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刘雪松

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：南京邮电大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇LIGBT
  • 5篇阳极
  • 5篇介质隔离
  • 4篇负阻
  • 4篇负阻效应
  • 3篇极区
  • 3篇关断
  • 2篇电阻特性
  • 2篇短路
  • 2篇载流子
  • 2篇击穿电压
  • 2篇关断时间
  • 2篇RESURF
  • 2篇LDMOS器...
  • 2篇尺寸
  • 2篇新结构
  • 1篇制作方法
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇拖尾
  • 1篇晶体管

机构

  • 8篇南京邮电大学

作者

  • 8篇刘雪松
  • 7篇成建兵
  • 5篇陈旭东

年份

  • 1篇2017
  • 7篇2015
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件
本实用新型涉及一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区采用介质隔离与结隔离相结合的结构：阳极N+和P+之间用介质隔离，N+下面采用结隔离。这种新型的介质隔...
刘雪松成建兵俞露露陈旭东郭厚东滕国兵
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一种阳极抬高的LIGBT器件及制造方法
本发明涉及一种阳极抬高的LIGBT器件及制造方法，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区的N+抬高，并且将阳极N+和阳极P+之间用介质隔离。这种新型的阳极N+抬高的结构一方面在保证器件较少的关断时...
成建兵刘雪松俞露露陈旭东郭厚东滕国兵
一种阳极抬高的LIGBT器件及制造方法
本发明涉及一种阳极抬高的LIGBT器件及制造方法，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区的N+抬高，并且将阳极N+和阳极P+之间用介质隔离。这种新型的阳极N+抬高的结构一方面在保证器件较少的关断时...
成建兵刘雪松俞露露陈旭东郭厚东滕国兵
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一种P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURF LDMOS器件
本实用新型公开了一种P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURF LDMOS器件，本实用新型创新之处在于，用RESURF结构与二维超结结构相结合的漂移区代替常规LDMOS的单一轻掺杂漂移区。如图所示，靠近源极的一侧采用二维横...
俞露露成建兵刘雪松袁晴雯
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SOI LIGBT负阻效应研究
横向绝缘栅双极晶体管（Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor，LIGBT）是一种将功率MOS场效应晶体管和双极晶体管两者优点结合而成的功率器件，同时具备高输入阻抗和低导通压降的...
刘雪松
关键词：横向绝缘栅双极晶体管负阻效应绝缘层上硅
一种阳极抬高的LIGBT器件
本实用新型涉及一种阳极抬高的LIGBT器件，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区的N+抬高，并且将阳极N+和阳极P+之间用介质隔离。这种新型的阳极N+抬高的结构一方面在保证器件较少的关断时间的基...
成建兵刘雪松俞露露陈旭东郭厚东滕国兵
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一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件及制作方法
本发明涉及一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件及制造方法，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区采用介质隔离与结隔离相结合的结构：阳极N+和P+之间用介质隔离，N+下面采用结隔离。这种新型的...
刘雪松成建兵俞露露陈旭东郭厚东滕国兵
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一种P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURF LDMOS器件及其制造方法
本发明公开了一种具有P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURF LDMOS器件及其制造方法，本发明创新之处在于，用RESURF结构与二维超结结构相结合的漂移区代替常规LDMOS的单一轻掺杂漂移区。如图所示，靠近源极的一侧采...
俞露露成建兵刘雪松袁晴雯
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