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硫系相变材料Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变速度及电学输运性质研究: 2011年; 利用磁控溅射方法制备了Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5两种相变存贮材料的薄膜。原位X射线衍射(XRD)的结果表明,随着退火温度的升高,Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5薄膜都逐步晶化,材料结构发生了从非晶态到面心立方结构、再到六角密堆结构的转变。由衍射峰的半宽高可以看出,在达到第一次相变温度后,Ge_2Sb_2Te_5比Ge_1Sb_2Te_4结晶更快。原位变温电阻测量的结果显示,在相同的升温速率下,Ge_2Sb_2Te_5的热致晶化速率更快。而且Ge_2Sb_2Te_5非晶态与晶态的电阻差值更高。故Ge_2Sb_2Te_5比Ge_1Sb_2Te_4更适合作为相变存储器的材料。另外,对两种薄膜的电学输运性质进行了研究,霍尔效应的测量表明,Ge_1Sb_2Te_4材料电导的变化是迁移率和载流子浓度共同作用的结果,而Ge_2Sb_2Te_5材料电导的变化主要是由于载流子浓度的变化引起。; 刘文强仝亮徐岭刘妮杨菲廖远宝刘东徐骏马忠元陈坤基

应用于相变存储器的硅掺杂锗锑碲相变材料的制备及光电性质: 相变随机存储器(Phase-change Random Accessed Memory，PCRAM)是利用相变材料的可逆转的相变来存储信息的一种新型存储器，被认为是未来替代随机存储器（DRAM）的最优选择之一。本文以Si...; 仝亮; 关键词：光电性质相变存储器

一种硫系太阳能电池及其制作方法: 本发明公开了一种硫系太阳能电池及其制作方法，硫系太阳能电池包括衬底、ITO、纳米结构层、纳米硅层和下电极；所述下电极设在纳米硅层上；所述纳米硅层设在纳米结构层上；所述纳米结构层设在ITO上；所述ITO设在衬底上；方法包括...; 徐岭徐骏马忠元肖金荣耿雷陈坤基李伟方力刘妮江一帆杨菲仝亮; 文献传递

应用于相变存储器的硅掺杂锗锑碲相变材料制备及光电性质: 相变随机存储器(Phase-change Random Accessed Memory,PCRAM)是利用相变材料的可逆转的相变来存储信息的一种新型存储器,被认为是未来替代随机存储器(DRAM)的最优选择之一。本文以si...; 仝亮; 关键词：相变随机存储器光学带隙开关特性; 文献传递

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仝亮