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李金钗

作品数：74 被引量：53H指数：4
供职机构：厦门大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇期刊文章
  • 25篇专利
  • 15篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 27篇理学
  • 12篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇电气工程
  • 2篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学

主题

  • 13篇发光
  • 13篇半导体
  • 10篇量子
  • 10篇光学
  • 10篇ALGAN
  • 8篇纳米
  • 7篇多量子阱
  • 7篇光学性
  • 7篇光学性质
  • 7篇ZNO
  • 7篇掺杂
  • 6篇氮化物
  • 6篇导体
  • 6篇电极
  • 6篇氧化锌
  • 6篇有源层
  • 6篇离子注入
  • 6篇光电
  • 5篇氮化
  • 5篇氮化物半导体

机构

  • 49篇厦门大学
  • 25篇武汉大学
  • 2篇厦门理工学院
  • 2篇嘉庚创新实验...
  • 1篇华北水利水电...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇厦门乾照光电...
  • 1篇厦门华联电子...
  • 1篇厦门光莆电子...

作者

  • 74篇李金钗
  • 46篇康俊勇
  • 27篇李书平
  • 19篇黄凯
  • 16篇林伟
  • 16篇高娜
  • 14篇陈航洋
  • 13篇蔡端俊
  • 13篇杨旭
  • 9篇刘达艺
  • 8篇杨伟煌
  • 7篇叶明生
  • 5篇卢红兵
  • 5篇廖蕾
  • 4篇范湘军
  • 4篇郭怀喜
  • 4篇张志宏
  • 3篇王多发
  • 3篇蒋昌忠
  • 2篇路险峰

传媒

  • 11篇武汉大学学报...
  • 4篇武汉大学学报...
  • 3篇厦门大学学报...
  • 2篇太阳能学报
  • 2篇物理学进展
  • 2篇发光学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇第13届全国...
  • 1篇信阳师范学院...
  • 1篇中国科技成果
  • 1篇科技纵览
  • 1篇材料科学
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇中国真空学会...
  • 1篇中国物理学会...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 5篇2022
  • 10篇2021
  • 6篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 5篇2013
  • 4篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 5篇2009
  • 7篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1998
共 74 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极
分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极，涉及一种电极。提供一种可抑制发光二极管金属电极吸收光较强的负面效应，改善发光二极管横向电流扩展均匀性的分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极。设有分布式布拉格反射结构、...
康俊勇高娜杨旭李金钗李书平
文献传递
一种基于局域表面等离激元耦合增强的MIS结构的超快micro-LED及其制备方法
本发明涉及光电半导体领域，特别涉及一种基于局域表面等离激元耦合增强的MIS结构的超快micro‑LED及其制备方法。所述micro‑LED自下而上依次包括衬底、缓冲层、氮化镓层、p型有源层、绝缘层、电流扩展层以及金属纳米...
黄凯王丽兰李金钗高娜江莹康俊勇张荣
文献传递
ZnO缓冲层上定向ZnO微棱柱的制备、表征和光致发光
以热氧化由离子束溅射的Zn膜形成的非晶ZnO为缓冲层,采用Zn粉真空热蒸发工艺在(100)硅衬底上生长出具有六角伞状顶部的ZnO微棱柱,其伞状顶部垂直向上长有细小的ZnO纳米线(直径约为17 nm)。ZnO微棱柱均匀垂直...
卢红兵李金钗田玉朱昱
关键词：离子束溅射晶体生长光学性质
文献传递
准定向ZnO纳米棒阵列的溶液生长制备及光学性质研究被引量：5
2008年
通过溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜,使其充当控制ZnO纳米线(棒)生长的先驱物种子,再采用溶液生长法制备ZnO纳米棒,运用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和室温光致发光谱(PL)研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质.结果表明先驱ZnO颗粒薄膜可以控制生长准定向的ZnO纳米棒.样品的PL测试结果表明,溶液法制备的ZnO样品具有微弱的紫外发光峰和宽又强的可见发射波带,可见峰与样品的本征缺陷相关.
许磊张天杰廖蕾李金钗蔡洪涛
关键词：氧化锌纳米棒溶胶凝胶法光学性质
一种全彩有源寻址Micro-LED芯片结构及其制作方法
本发明涉及一种全彩有源寻址Micro‑LED芯片结构及其制作方法，包括具有驱动电路阵列的支撑衬底、位于支撑衬底上的堆叠层，以及贯穿堆叠层与驱动电路阵列连接的互联电极，其中堆叠层从下至上包括有衬底金属键合层、多色发光外延层...
杨旭李金钗李书平康俊勇
文献传递
有效提高外量子效率的深紫外发光二极管及其制备方法
有效提高外量子效率的深紫外发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。深紫外发光二极管设有衬底，在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层，在p-GaN盖层上沉积铝膜层，在n...
康俊勇高娜黄凯李书平李金钗杨旭
文献传递
高负载磨损下的氮化碳抗腐蚀研究
利用新型超硬材料α-CN的抗腐蚀、耐磨损的特性,将其沉积在制造人工关节的材料钛合金TC4的表面后,再浸没在仿照人体体液中,加上高负载进行磨损实验.通过线性极电阻测试表明:表面沉积了α-CN的TC试样,比起表面未沉积α-C...
郭怀喜张志宏桂阳李金钗路险峰蒋昌忠叶明生
关键词：人工关节
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GaN基底上单层WS<sub>2</sub>调控生长及其光学性质研究
2020年
本文采用化学气相沉积法在GaN上调控生长了单层WS2,并研究了基底耦合效应对其光学性质的影响。研究结果显示,生长温度为850℃,可以生长出质量较好的单层三角形WS2;当温度大于900℃时,GaN基底表面开始发生分解,不利于材料生长。通过载气H2流量调节,可在基底上生长出满覆盖的WS2。GaN基底上生长的三角形WS2呈现良好的60?旋转对称性,通过GaN纳米柱上WS2的生长与第一性原理模拟计算,推测出了WS2/GaN样品的稳定结构。通过拉曼表征发现,GaN基底会对WS2产生一定的张应力作用,使E2g1拉曼峰和激子峰出现红移,并且由于WS2与GaN基底形成Ⅱ型异质结能带结构,WS2/GaN样品出现发光淬灭现象。本文为开发新型二维光电子器件提供了一定的实验依据。
曾昊孙保帆陈嘉俊吴志明吴雅苹李煦李金钗康俊勇
关键词：化学气相沉积氮化镓异质结
高Al组分AlGaN多量子阱结构材料发光机制探讨被引量：4
2016年
紫外LED的发光功率和效率还远不能令人们满意,波长短于300 nm的深紫外LED的发光效率普遍较低。厘清高Al组分Al Ga N多量子阱结构的发光机制将有利于探索改善深紫外LED的发光效率的新途径、新方法。为此,本文通过金属有机气相外延技术外延生长了表面平整、界面清晰可辨且陡峭的高Al组分AlGa N多量子阱结构材料,并对其进行变温光致发光谱测试,结合数值计算,深入探讨了Al Ga N量子阱的发光机制。研究表明,量子阱中具有很强的局域化效应,其发光和局域激子的跳跃息息相关,而发光的猝灭则与局域激子的解局域以及位错引起的非辐射复合有关。
李金钗季桂林杨伟煌金鹏陈航洋林伟李书平康俊勇
关键词：ALGAN多量子阱结构发光机制
选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法
选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料；在基质材料上...
康俊勇李金钗李书平杨伟煌陈航洋刘达艺
文献传递
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