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康俊勇

作品数:235 被引量:131H指数:6
供职机构:厦门大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金福建省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 123篇专利
  • 71篇期刊文章
  • 36篇会议论文
  • 4篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 58篇理学
  • 47篇电子电信
  • 9篇自动化与计算...
  • 7篇一般工业技术
  • 6篇机械工程
  • 4篇金属学及工艺
  • 4篇电气工程
  • 4篇文化科学
  • 3篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇医药卫生
  • 1篇农业科学

主题

  • 28篇半导体
  • 27篇发光
  • 25篇纳米
  • 18篇量子
  • 18篇晶体
  • 17篇晶格
  • 17篇光电
  • 16篇深紫外
  • 16篇光学
  • 15篇自旋
  • 15篇二极管
  • 15篇ALGAN
  • 14篇电极
  • 14篇探测器
  • 14篇铁磁
  • 14篇铁磁金属
  • 13篇光电探测
  • 13篇光电探测器
  • 13篇发光二极管
  • 11篇氮化

机构

  • 235篇厦门大学
  • 3篇东北大学
  • 3篇厦门理工学院
  • 2篇日本东北大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇嘉庚创新实验...
  • 1篇福建医科大学
  • 1篇福建农林大学
  • 1篇集美大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇昆明物理研究...
  • 1篇厦门乾照光电...
  • 1篇厦门华联电子...
  • 1篇独立行政法人...
  • 1篇厦门大学九江...
  • 1篇厦门光莆电子...

作者

  • 235篇康俊勇
  • 65篇李书平
  • 46篇黄凯
  • 46篇李金钗
  • 44篇高娜
  • 36篇吴雅苹
  • 31篇蔡端俊
  • 30篇吴志明
  • 27篇林伟
  • 24篇张纯淼
  • 21篇陈航洋
  • 18篇詹华瀚
  • 18篇杨旭
  • 17篇王惠琼
  • 16篇陈晓航
  • 15篇黄启圣
  • 13篇周颖慧
  • 12篇刘达艺
  • 10篇姜伟
  • 9篇杨伟煌

传媒

  • 17篇厦门大学学报...
  • 14篇发光学报
  • 7篇物理学报
  • 5篇Journa...
  • 5篇第13届全国...
  • 5篇第十二届全国...
  • 4篇人工晶体学报
  • 3篇福州大学学报...
  • 3篇材料科学
  • 3篇第十届全国分...
  • 3篇中国物理学会...
  • 2篇物理学进展
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇中国真空学会...
  • 1篇物理实验
  • 1篇半导体技术
  • 1篇光学学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光子学报
  • 1篇红外技术

年份

  • 9篇2024
  • 9篇2023
  • 10篇2022
  • 15篇2021
  • 25篇2020
  • 11篇2019
  • 17篇2018
  • 6篇2017
  • 6篇2016
  • 12篇2015
  • 9篇2014
  • 18篇2013
  • 16篇2012
  • 8篇2011
  • 8篇2010
  • 6篇2009
  • 7篇2008
  • 6篇2007
  • 7篇2006
  • 1篇2005
235 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构与方法
本发明提供了一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构,包括:由下至上依次层叠设置在基板上的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂有铁磁金属原子的III‑VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极。采用激光入射至上...
吴雅苹柯聪明周江鹏康俊勇吴志明张纯淼
文献传递
氮杂质在ZnO氧极性表面的原子动力学行为
实现ZnO材料稳定和可重复的p型掺杂是其能够在光电器件,诸如LED、激光及自旋电子器件等,中广泛应用的壁垒之一.N原子因与O原子大小相近,被视为ZnO的p型掺杂剂候选之一.但理论上认为,N替代O(NO)的空穴离化能有1....
王浩詹华瀚康俊勇
一种碳化硅晶体质量的快速无损检测方法
本发明公开了一种碳化硅晶体质量的快速无损检测方法,将碳化硅晶体置于计算机层析扫描(CT)的载物台上,通过特定参数下的计算机层析扫描结合图像衬度,以及形貌特征的鉴别,可对碳化硅晶体内典型缺陷实现快速无损地检测,直接获取被测...
尹君叶晓芳康闻宇姜伟康俊勇
ZnO中Li相关缺陷结构性质被引量:5
2006年
采用第一性原理量子力学分子动力学方法,基于32个原子的超原胞模型,计算了ZnO中各种L i相关缺陷的有关几何和电子结构。通过不同模型的计算分析表明,ZnO中L i杂质在间隙位上的总能比替位Zn格位的能量更低,但却形成施主能级。进一步通过构造L i替Zn位L iZn与不同本征缺陷所构成的复合体结构,并对模拟计算的结果进行分析比较得出,O反位OZn可与L iZn形成比L i间隙位更稳定的复合体,可高溶解度地稳定存在于ZnO中,并在禁带中产生受主能级,是较好的p型导电性候选缺陷。
徐群和康俊勇
关键词:ZNO本征缺陷第一性原理计算
WS2二维表面Co全同量子结构制备及电子性质研究
二维过渡金属硫族化合物具有可见光范围的直接带隙、稳定丰富的激子、强自旋轨道耦合与能谷极化特性,在光电子学、自旋电子学与能谷电子学领域显示出广阔的应用前景[1,2],所以实现对其电子及自旋性质的有效调控对于发展器件应用而言...
唐唯卿付明明吴雅苹吴志明康俊勇
关键词:超高真空
基于GaN微米阵列结构的单芯片白光LED有源区InGaN/GaN多量子阱结构设计被引量:1
2022年
通过模拟仿真对双波长堆叠的c面InGaN/GaN多量子阱(MQWs)发光二级管的载流子浓度、自发辐射复合率以及极化电场等进行了研究。结果表明,通过调节双波长堆叠的InGaN多量子阱的阱层和垒层厚度,可调控载流子特别是空穴在量子阱有源区的分布,实现双波长发光峰比例调制。进而考察了在相同外延条件下生长的半极性面InGaN/GaN堆叠量子阱LED的发光特性。在此基础上,提出基于多波长堆叠InGaN/GaN多量子阱结构的c面和{1011}或{1122}半极性面混合的单芯片白光LED设计方案,通过调节c面发光光谱在混合光谱中的比例,可获得覆盖大部分可见光波段、色温从4500~9000 K可调、且显色指数最高可达91.3的白光。
王永嘉杨旭李金钗李金钗康俊勇
关键词:INGAN极化效应
一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法
本发明公开了一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法,其器件结构包括至下而上依次设置的背电极、N+型4H‑SiC外延材料基片层、AlN与Al2O3堆叠的栅介质层、栅电极。本发明通过采用高介电常数的AlN与Al2O3...
康俊勇李光容王伟平吴志明孔丽晶吴雅苹李煦
文献传递
一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法
本发明涉及一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法,利用外延于同一衬底上的两组完全应变超短周期超晶格结构完成紫外双波长的窄线宽探测,不仅极大地简化了双波段探测器件材料结构、生长过程及制备工艺,而且通过精确选择、...
高娜冯向卢诗强黄凯陈航洋李书平康俊勇
文献传递
一种表面等离激元同轴光波导结构
一种表面等离激元同轴光波导结构,涉及一种光波导。提供一种有利于传播光信号的表面等离激元同轴光波导结构。设有圆柱形芯层和管状壳层,圆柱形芯层为金属芯层,壳层为宽带隙介质壳层。以金属为芯层的表面等离激元同轴线光波导结构,可以...
康俊勇庄庆瑞冯夏
文献传递
一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及生长方法
本发明公开了一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及其生长方法,通过在生长坩埚内部、粉料表面上方的位置安装特定结构的石墨导流板,有效减小生长腔室内对流不规则性和物质流通量的不均匀性,从而保证输运到籽晶表面、参与生长的气相物质...
康闻宇檀鹏尹君康俊勇
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