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郭红雨

作品数：39 被引量：4H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 34篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 25篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 11篇晶体管
  • 10篇半导体
  • 10篇场效应
  • 10篇场效应晶体管
  • 9篇氧化镓
  • 9篇刻蚀
  • 8篇电极
  • 8篇沟道
  • 8篇二极管
  • 7篇欧姆接触
  • 7篇肖特基
  • 6篇电阻
  • 6篇沟道电阻
  • 6篇半导体制造
  • 6篇半导体制造技...
  • 5篇倍频
  • 4篇异质结
  • 4篇牺牲层
  • 4篇肖特基二极管
  • 4篇ALGAN/...

机构

  • 37篇中国电子科技...
  • 3篇专用集成电路...
  • 2篇河北半导体研...

作者

  • 39篇吕元杰
  • 39篇郭红雨
  • 37篇冯志红
  • 26篇宋旭波
  • 16篇顾国栋
  • 10篇付兴昌
  • 10篇敦少博
  • 6篇蔡树军
  • 6篇韩婷婷
  • 5篇张立森
  • 5篇房玉龙
  • 4篇张志荣
  • 3篇谭鑫
  • 2篇尹甲运
  • 2篇刘玉贵
  • 2篇马春雷
  • 1篇邹学锋
  • 1篇卜爱民
  • 1篇马灵

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 2篇红外与毫米波...

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 9篇2022
  • 7篇2021
  • 4篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 6篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
共 39 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于太赫兹肖特基二极管的多孔金刚石衬底的制备方法
本发明提供了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔金刚石衬底的制备方法，属于半导体技术领域，包括：在衬底的正面沉积外延层；在衬底的背面沉积牺牲层；选择性腐蚀牺牲层，使牺牲层在衬底的背面形成多个相互独立的柱状体；继续选择性刻蚀衬...
吕元杰宋旭波徐森峰王元刚付兴昌梁士雄郭红雨冯志红
文献传递
横向光电探测器
本发明提供一种横向光电探测器。该横向光电探测器包括：衬底；第一外延层，形成于衬底上，且背离衬底的一侧形成吸收倍增区，吸收倍增区为轻掺杂N型区；阳极区和阴极区，分别形成于第一外延层上表面的两侧；其中，阳极区和阴极区未直接接...
周幸叶吕元杰王元刚郭红雨冯志红
文献传递
GaN太赫兹二极管、倍频单片、倍频器及其制备方法
本发明提供了一种GaN太赫兹二极管、倍频单片、倍频器及其制备方法，属于半导体器件技术领域，GaN太赫兹二极管包括高阻硅衬底、外延生长于高阻硅衬底上的金刚石薄膜层、外延生长于金刚石薄膜层上的N+GaN层、外延生长于N+Ga...
梁士雄吕元杰顾国栋宋旭波王元刚郭红雨张立森冯志红
文献传递
肖特基二极管及其制备方法
本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管及其制备方法。该肖特基二极管包括：衬底；n型氧化镓层，形成在所述衬底上，其中，所述n型氧化镓层中包括：至少一个第一热氧化区和两个第二热氧化区；阳极金属层，形成在所述n型氧化镓...
王元刚吕元杰冯志红刘红宇梁士雄宋旭波周幸叶谭鑫郭红雨
一种斜栅型氧化镓场效应晶体管及制备方法
本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种斜栅型氧化镓场效应晶体管及制备方法。所述斜栅型氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在所述衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在所述n型氧化镓沟道层两端的源电极和漏电极、以及设置在所述...
吕元杰刘宏宇徐森峰付兴昌王元刚宋旭波郭红雨冯志红
基于金刚石衬底的GaN场效应晶体管的制备方法
本发明提供了一种基于金刚石衬底的GaN场效应晶体管的制备方法，属于半导体制造技术领域，包括：SiC衬底正面制备GaN异质结层；减薄SiC衬底；刻蚀SiC衬底；生长金刚石层；去除牺牲层及其上的金刚石层；GaN异质结层的正面...
王元刚敦少博吕元杰付兴昌梁士雄宋旭波郭红雨冯志红
降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法
本发明公开了一种降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法，涉及氮化物的制备方法技术领域。所述方法包括以下步骤：1）外延结构生长，依次在衬底上形成GaN层和势垒层；2）在势垒层的上表面生长SiO<Sub>2</Sub>层；3）在...
吕元杰冯志红顾国栋郭红雨尹甲运敦少博
文献传递
太赫兹二极管电路装配板及其制备方法
本发明适用于太赫兹技术领域，提供了一种太赫兹二极管电路装配板及其制备方法，该太赫兹二极管电路装配板包括：用于装配太赫兹二极管的电路基板，还包括：多个太赫兹二极管定位桩；其中多个太赫兹二极管定位桩设置于电路基板上，位于电路...
宋旭波梁士雄吕元杰张立森冯志红顾国栋郭红雨
一种纳米栅的制备方法
本发明公开了一种纳米栅的制备方法，涉及半导体器件制造技术领域；在清洗好的衬底材料表面悬涂第一光刻胶，并烘烤、曝光，并用第一光刻胶对应的第一显影液显影实现第一纳米栅；涂第二光刻胶，并在一定的恒温条件下烘烤、曝光，曝光图形相...
吕元杰谭鑫王元刚宋旭波郭红雨冯志红
文献传递
一种光刻方法
本发明提供一种光刻方法。该方法包括：清洗和沉积：清洗半导体衬底，并在其表面沉积生长介质；光刻和蒸镀金属：在生长介质表面涂覆光刻胶，利用光刻机及光刻版对生长介质表面进行曝光、显影，形成曝光图形，在曝光图形表面蒸镀金属薄膜，...
王元刚吕元杰郭红雨卜爱民徐森锋冯志红
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