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宋旭波

作品数：237 被引量：24H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金陕西省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 208篇专利
  • 23篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 93篇电子电信
  • 5篇化学工程
  • 5篇自动化与计算...
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇航空宇航科学...
  • 2篇文化科学

主题

  • 59篇晶体管
  • 51篇二极管
  • 49篇氧化镓
  • 49篇场效应
  • 47篇场效应晶体管
  • 43篇肖特基
  • 37篇衬底
  • 35篇半导体
  • 34篇电极
  • 33篇肖特基二极管
  • 27篇电路
  • 26篇刻蚀
  • 26篇倍频
  • 25篇压力传感器
  • 25篇势垒
  • 25篇力传感器
  • 25篇感器
  • 25篇传感
  • 22篇沟道
  • 20篇势垒层

机构

  • 221篇中国电子科技...
  • 10篇河北半导体研...
  • 10篇专用集成电路...
  • 2篇中国空间技术...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇东南大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇中国航天
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 237篇宋旭波
  • 226篇冯志红
  • 196篇吕元杰
  • 49篇顾国栋
  • 39篇房玉龙
  • 36篇张立森
  • 29篇何泽召
  • 29篇蔚翠
  • 26篇郭红雨
  • 25篇韩婷婷
  • 24篇马春雷
  • 22篇敦少博
  • 21篇付兴昌
  • 16篇李佳
  • 16篇杨大宝
  • 15篇尹甲运
  • 15篇张志荣
  • 10篇蔡树军
  • 10篇邢东
  • 9篇邹学锋

传媒

  • 11篇半导体技术
  • 5篇红外与毫米波...
  • 3篇2013‘全...
  • 2篇空间电子技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇中国激光
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 4篇2024
  • 25篇2023
  • 23篇2022
  • 35篇2021
  • 37篇2020
  • 29篇2019
  • 30篇2018
  • 19篇2017
  • 15篇2016
  • 5篇2015
  • 1篇2014
  • 14篇2013
共 237 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
紫外光电二极管及其制备方法
本发明适用于光电探测技术领域，提供了一种紫外光电二极管及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次制备第一接触层和台面结构，并在第一接触层上除台面结构之外区域制备下电极，形成第一样品；将制备的多层石墨烯薄膜转移到第一样品表面并...
周幸叶谭鑫吕元杰王元刚宋旭波韩婷婷冯志红
文献传递
用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底
本发明公开了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，属于半导体器件领域。本发明包括半绝缘衬底，在所述半绝缘衬底的背面设有两个以上的空气孔，所述空气孔的深度小于半绝缘衬底的厚度，大于半绝缘衬底厚度的三分之一。本发明给出的在半...
王俊龙冯志红邢东梁士雄张立森杨大宝张雄文宋旭波何泽召蔚翠
文献传递
一种高精度测量晶片横向对准误差的方法
本发明公开了一种高精度测量晶片横向对准误差的方法，涉及半导体器件与电路的制作方法技术领域。包括以下步骤：1）在光刻版上横向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为光刻版测量标尺；2）在晶片上横向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为晶...
宋旭波冯志红吕元杰王元刚顾国栋谭鑫徐鹏
文献传递
在蓝宝石衬底上制备纳米晶石墨烯的方法
本发明公开了一种在蓝宝石衬底上制备纳米晶石墨烯的方法，属于半导体材料制备领域。本发明包括以下步骤：将蓝宝石衬底放入石墨烯PECVD等离子体设备内，抽真空，充入惰性气体至目标压力；加热蓝宝石衬底到目标温度；蓝宝石衬底在氢气...
蔚翠冯志红刘庆彬何泽召王晶晶宋旭波周闯杰
GaN高温压力传感器
本发明提供了一种GaN高温压力传感器，包括硅衬底和硅基座，硅衬底上设有GaN外延层，GaN外延层上设有压阻器件和引脚，硅衬底的下表面且对应压阻器件正下方设有减薄凹槽，减薄凹槽对应的区域为压力检测区，压阻器件位于压力检测区...
宋旭波吕元杰谭鑫韩婷婷周幸叶冯志红
文献传递
应用于三维集成微系统的GaN外延片结构及制备方法
本发明公开了一种应用于三维集成微系统的GaN外延片结构及制备方法，属于微电子技术领域。本发明包括衬底，在衬底上刻蚀有若干呈阵列排布的深槽，每个深槽的槽底均覆盖有GaN外延层，所述GaN外延层是在槽底上直接外延生长而成的。...
宋旭波吕元杰冯志红
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一种具有新型栅结构的栅控半导体器件
本发明公开了一种具有新型栅结构的栅控半导体器件，属于半导体高频功率器件和高压器件。本发明中栅结构是由沿栅宽方向介质栅和肖特基栅交替连接组成。和常规栅结构相比，本发明主要创新是采用沿栅宽方向肖特基栅和介质栅交替出现的新型栅...
王元刚冯志红敦少博吕元杰房玉龙顾国栋宋旭波
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自对准表面沟道场效应晶体管的制备方法及功率器件
本发明提供了一种自对准表面沟道场效应晶体管的制备方法及功率器件，属于微波功率器件领域，包括：淀积第一金属掩膜层；制备第一光刻胶层；形成源区域图形和漏区域图形；在源区域图形和漏区域图形部位淀积源金属层和漏金属层；剥离去除第...
王元刚吕元杰冯志红蔚翠周闯杰何泽召宋旭波梁士雄
文献传递
氧化镓SBD终端结构及制备方法
本发明适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种氧化镓SBD终端结构，自下至上包括阴极金属层、N+高浓度衬底层、N‑低浓度Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层和阳极金属层，其中，N‑低浓度Ga<Su...
吕元杰王元刚周幸叶谭鑫宋旭波邹学锋梁士雄冯志红
Si基GaN压力传感器的制备方法
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种Si基GaN压力传感器的制备方法，该方法包括：在GaN晶圆上制备压力敏感单元，其中，所述GaN晶圆包括衬底、衬底上表面的GaN缓冲层和所述GaN缓冲层上表面的势垒层；在第一硅片中制备...
谭鑫吕元杰周幸叶宋旭波王元刚冯志红马春雷邹学锋
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