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杜阳

作品数：3 被引量：7H指数：2
供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇AL组分
  • 2篇MOCVD
  • 2篇MOCVD生...
  • 1篇数值仿真
  • 1篇数值模拟
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格常数
  • 1篇仿真
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇XGA
  • 1篇ALXGA1...
  • 1篇CFD
  • 1篇GAN
  • 1篇HRXRD
  • 1篇值模拟

机构

  • 3篇西安电子科技...

作者

  • 3篇杜阳
  • 2篇李培咸
  • 2篇白俊春
  • 1篇周小伟
  • 1篇郝跃

传媒

  • 2篇电子科技

年份

  • 3篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
GaN-MOCVD系统反应室流场的数值仿真被引量：5
2009年
针对某高校自主研发的120型GaN-MOCVD系统反应室的流场,进行了计算流体力学(CFD)数值模拟。在模拟过程中,讨论分析了运行参数和反应室结构尺寸的变化对反应室内流场、压力场和温度场的影响及对工艺条件的优化。模拟结果表明,数值仿真对MOCVD设备的结构设计及调试运行具有重要的指导和辅助作用。
白俊春李培咸郝跃杜阳
关键词：CFD数值模拟
基于MOCVD生长的高Al组分Al_xGa_(1-x)N的HRXRD研究被引量：2
2009年
通过MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上异质外延了不同Al组分含量的AlxGa1-xN材料,生长过程中采用了低温缓冲层技术、脉冲原子外延技术(PALE)和多层超晶格缓冲技术,例如AlGaN/AlNSLs结构,成功得到了表面光滑无裂纹的AlxGa1-xN膜。并且通过HRXRD对材料进行了多个晶面方向上的摇摆曲线和2θ～ω表征测试,在此测试基础上对材料的Al组分、a轴和c轴的晶格常数以及位错密度进行了相应的计算,并定性的分析了材料的应变状态。
杜阳李培咸周小伟白俊春
关键词：ALXGA1-XNHRXRD晶格常数
高Al组分的AlGaN外延材料的MOCVD生长研究
本论文通过MOCVD生长手段，通过一系列实际的生长和测试实验，在蓝宝石衬底上异质外延了高Al组分的AlxGa1-xN外延层，并且针对多种缓冲层技术下的成核层生长、脉冲缓冲层生长和超晶格缓冲层生长工艺，通过材料生长和材料表...
杜阳
关键词：半导体材料MOCVD生长
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