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李培咸

作品数：164 被引量：182H指数：6
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国防科技技术预先研究基金国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 115篇专利
  • 42篇期刊文章
  • 4篇科技成果
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 61篇电子电信
  • 10篇理学
  • 5篇化学工程
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 58篇衬底
  • 31篇发光
  • 30篇蓝宝
  • 28篇蓝宝石
  • 26篇成核
  • 24篇蓝宝石衬底
  • 24篇二极管
  • 23篇多量子阱
  • 23篇发光二极管
  • 18篇氮化
  • 17篇SUB
  • 16篇刻蚀
  • 14篇势垒
  • 14篇ALGAN
  • 13篇氮化物
  • 13篇深紫外
  • 13篇GAN
  • 12篇化物
  • 10篇阻挡层
  • 9篇电池

机构

  • 163篇西安电子科技...
  • 3篇西安科技大学
  • 2篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇西安中为光电...

作者

  • 164篇李培咸
  • 122篇郝跃
  • 65篇许晟瑞
  • 57篇张进成
  • 57篇周小伟
  • 52篇马晓华
  • 21篇姜腾
  • 18篇牛牧童
  • 17篇张进城
  • 17篇林志宇
  • 15篇范晓萌
  • 13篇孟锡俊
  • 13篇吴金星
  • 12篇杨凌
  • 12篇赵颖
  • 9篇毕臻
  • 9篇高志远
  • 8篇陈大正
  • 7篇李智敏
  • 7篇王学炜

传媒

  • 10篇电子科技
  • 7篇Journa...
  • 4篇物理学报
  • 3篇光子学报
  • 3篇西安电子科技...
  • 2篇电子器件
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇发光学报
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇中国科学：信...
  • 1篇2006年二...

年份

  • 4篇2024
  • 5篇2023
  • 11篇2022
  • 4篇2021
  • 11篇2020
  • 27篇2019
  • 8篇2018
  • 17篇2017
  • 2篇2016
  • 11篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 4篇2012
  • 3篇2011
  • 10篇2010
  • 11篇2009
  • 4篇2008
  • 4篇2007
  • 3篇2006
  • 8篇2005
共 164 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于c面蓝宝石衬底上N面黄光LED结构及其制作方法
本发明公开了一种基于c面蓝宝石衬底上N面黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)对c面蓝宝石进行热处理；2)在热处理后衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层上生长厚度为0.2‑100μm，Si掺...
许晟瑞郝跃任泽阳张进成李培咸姜腾蒋仁渊牛牧童
文献传递
高亮度GaN蓝光LED技术
郝跃李培咸张进城冯倩谢永桂过润秋张国华王省莲王冲周小伟杨燕马晓华龚欣张金凤陈军峰
该技术包含GaN材料生长用MOCVD设备制造技术和高亮度GaN蓝光LED制造技术。研制了MOCVD设备及恒流配气技术、MOCVD系统控制软件、P型GaN大气退火技术、InGaN/GaN多量子阱结构温度条件钝化工艺、InG...
关键词：
关键词：GAN材料MOCVD设备蓝光LED
基于m面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>图形衬底的半极性AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于m面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的半极性AlN薄膜及制备方法，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用昂贵的问题。该薄膜自下而上包括：200‑500μm厚的m面Al<S...
许晟瑞赵颖范晓萌李培咸牛牧童张进成林志宇姜腾郝跃
基于MOCVD生长的高Al组分Al_xGa_(1-x)N的HRXRD研究被引量：2
2009年
通过MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上异质外延了不同Al组分含量的AlxGa1-xN材料,生长过程中采用了低温缓冲层技术、脉冲原子外延技术(PALE)和多层超晶格缓冲技术,例如AlGaN/AlNSLs结构,成功得到了表面光滑无裂纹的AlxGa1-xN膜。并且通过HRXRD对材料进行了多个晶面方向上的摇摆曲线和2θ～ω表征测试,在此测试基础上对材料的Al组分、a轴和c轴的晶格常数以及位错密度进行了相应的计算,并定性的分析了材料的应变状态。
杜阳李培咸周小伟白俊春
关键词：ALXGA1-XNHRXRD晶格常数
基于蓝宝石衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件的制作方法
本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的AlGaN基uv-LED器件及其制作方法，它涉及到微电子技术领域。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层(2)、高温AlN成核层(3)、本征AlGaN外延层(4)、n-AlGaN势垒层(5...
郝跃杨凌马晓华周小伟李培咸
文献传递
基于c面蓝宝石衬底上Ga极性黄光LED材料及其制作方法
本发明公开了一种基于c面蓝宝石衬底上Ga极性黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)对c面蓝宝石进行热处理；2)在热处理后衬底上生长厚度为10-200nm的低温成核层；3)在成核层上生长厚度为0.2-100μm，S...
许晟瑞郝跃任泽阳张进成李培咸姜腾蒋仁渊张金风
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一种易剥离高结晶质量的铝钪氮薄膜及其制备方法
本发明提供的一种易剥离高结晶质量的铝钪氮薄膜及其制备方法，本发明使用溅射方法、MOCVD方法或MBE方法在转移在蓝宝石的二维BN层上生长AlScN薄膜，提高了可剥离性，并通过高温退火工艺提高了材料的质量，因此本发明的易剥...
周小伟冯宸宇李培咸杨雪马晓华
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基于m面蓝宝石衬底上半极性（11-22）黄光LED材料及其制作方法
本发明公开了一种基于m面蓝宝石衬底上半极性(11-22)黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)将m面蓝宝石衬底置于MOCVD反应室中进行热处理；2)在热处理后的衬底上生长厚度为10-200nm的低温成核层；3)在...
许晟瑞郝跃任泽阳张进成李培咸姜腾蒋仁渊孟锡俊
文献传递
GaN基光电器件材料生长方法研究
III族氮化物半导体材料以其优异的特性正在发挥着越来越广泛的作用。以GaN基蓝光、绿光及深紫外LED为核心技术的半导体照明技术正在引领着一场新的产业革命。经过近十几年的发展,GaN基蓝光LED已成功实现商业化,在景观灯、...
李培咸
关键词：MOCVD氮化铝铝镓氮铟镓氮掺杂发光二极管
一种具有高发射率的β射线三维发射源、制备方法及应用
一种具有高发射率的β射线三维发射源，包括具有三维金字塔结构的柔性衬底，柔性衬底表面修饰高分子黏附层，高分子黏附层通过分子官能团与金属颗粒间分子作用力，将金属<Sup>63</Sup>Ni颗粒吸附于柔性衬底表面；制备方法为...
张璐吴巍炜杜韬李培咸张永峰韩运成董怡晴
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