陈楠
- 作品数：3 被引量：7H指数：1
- 供职机构：西北工业大学计算机学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省科技统筹创新工程计划项目西北工业大学研究生创业种子基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 电离总剂量辐射加固SRAM设计
- 2013年
- 在空间和核辐射环境下,电离总剂量辐射(TID)效应严重影响采用商用CMOS工艺的SRAM的可靠性和寿命。针对SRAM,设计了四种TID加固的存储单元,分析对比了四个加固单元对TID,单粒子闩锁、单粒子翻转三种SRAM中常见辐射效应的抵御水平以及加固单元的面积和速度。加固SRAM单元的抗TID水平得到极大提高,同时,抗单粒子效应水平、面积、速度也达到一定的要求。这些单元可用于实现基于商用CMOS工艺并具有高抗辐射性能的SRAM。
- 魏晓敏高德远魏廷存陈楠
- 关键词：静态随机存取存储器
- 邻周期采样的数字控制DC-DC开关变换器被引量：1
- 2016年
- 针对高频DC-DC开关变换器,提出了数字控制DC-DC开关变换器的邻周期采样(adjacent cycle sampling,ACS)控制方法,缓解硬件处理速度与系统瞬态性能之间的矛盾。依据纹波控制方法,ACS控制算法利用硬件空闲阶段采样数据,增大环路预留时间,消除占空比的影响。采用ACS控制算法,推导出适用于后缘调制降压型DC-DC开关变换器的数字V2控制律和电流控制律,并且研究了次谐振荡现象及其数字斜坡补偿消除方法。仿真结果表明,在相同的硬件条件,对于负载的瞬间扰动,数字V2控制较数字电流控制具有更快的瞬态响应速度;与现有技术相比,ACS控制方法可有效提高系统的瞬态响应性能。
- 陈楠魏廷存陈笑
- 关键词：瞬态响应
- 抗单粒子翻转效应的SRAM研究与设计被引量：6
- 2013年
- 在空间应用和核辐射环境中,单粒子翻转(SEU)效应严重影响SRAM的可靠性。采用错误检测与校正(EDAC)和版图设计加固技术研究和设计了一款抗辐射SRAM芯片,以提高SRAM的抗单粒子翻转效应能力。内置的EDAC模块不仅实现了对存储数据"纠一检二"的功能,其附加的存储数据错误标志位还简化了SRAM的测试方案。通过SRAM原型芯片的流片和测试,验证了EDAC电路的功能。与三模冗余技术相比,所设计的抗辐射SRAM芯片具有面积小、集成度高以及低功耗等优点。
- 陈楠魏廷存魏晓敏高武郑然
- 关键词：静态随机存储器单粒子翻转
