吴建
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
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- 硅-硅键合晶片在减薄过程中产生的应力及影响被引量：1
- 2002年
- 硅 -硅键合晶片在机械减薄过程中产生的应力使硅片产生弯曲变形 ,这种变形在其后的加工过程中会使图形发生扭曲或位移 ,导致硅片加工中途报废。经过应力消除处理后可以顺利完成加工。
- 杨国渝冯建吴建
- 关键词：介质隔离
- 多晶硅平坦技术研究
- 介绍了在原有多晶硅平坦技术之上，采用新工艺利用现有的外延、精密减薄工艺，增加了两道工艺流程设置，使得多晶硅平坦化后，多晶硅表面平整度提高，同时为后工艺加工提供了有利保障。
- 冯建王大平吴建陈俊徐俊
- 关键词：集成电路多晶硅
- 键合SOI材料应力的控制技术被引量：2
- 2017年
- 在基于绝缘体上硅(SOI)材料的IC器件及MEMS器件研发过程中,薄膜应力引起的晶圆变形、膜层脱落等工艺问题,制约了其研发进度和器件性能。对键合SOI材料整体残余应力展开研究,推出埋氧层、背面氧化层、衬底厚度与SOI整体残余应力的关系,并采用翘曲度值表征由残余应力引起的SOI形变的大小,弯曲度的正负表征SOI形变的方向。针对IC和MEMS产品在开发过程中因残余应力过大而引起的光刻无法吸片、牺牲层释放不干净等问题,通过工艺优化,制备出与残余应力方向相反、应力大小适中的SOI片,从而抵消了部分残余应力,翘曲度由200μm以上下降到100μm以内,有效解决了工艺异常问题。
- 陈俊王学毅谭琦杜金生吴建
- 关键词：翘曲度压应力
- 一种新型检验键合(SDB/SOI)硅片界面缺陷的方法
- 本文介绍利用兆声波检查已经键合完成的硅片,硅片界面是否存在有缺陷.通过磨片将器件层的大部分厚度磨掉,然后兆声波利用去离子水作为介质对整个硅片表面进行扫射来检查硅片界面是否存在有缺陷,通过实验和具体工作中应用发现,能够非常...
- 冯建毛儒焱吴建王大平
- 文献传递
