张蕾
- 作品数：31 被引量：76H指数：6
- 供职机构：北京跟踪与通信技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学医药卫生更多>>
- InGaN/GaN多量子阱蓝光LED电学特性研究被引量：9
- 2006年
- 对不同温度（120～363K）下InGaN／GaN多量子阱（MQW）结构蓝光发光二极管（LED）的电学特性进行了测试与深入的研究。发现对数坐标下I—V特性曲线斜率随温度变化不大。分别用载流子扩散-复合模型和隧道复合模型对其进行计算，发现室温下其理想因子远大于2，并且随着温度的下降而升高；而隧穿能量参数随温度变化不大。这说明传统的扩散一复合栽流子输运模型不再适用于InGaN／GaNMQW蓝光LED。分析指出由于晶格失配以及生长工艺的制约，外延层中具有较高的缺陷密度和界面能级密度，导致其主要输运机制为栽流子的隧穿。
- 刘诗文郭霞艾伟伟宋颖娉顾晓玲张蕾沈光地
- 关键词：氮化镓蓝光发光二极管
- 光学遥感卫星的激光威胁及防护体制探讨被引量：4
- 2021年
- 针对光学遥感器激光防护任务需求,文章分析了激光对光学遥感卫星的光学部件、光电探测器件、电子学部组件的辐照效应,结合地基、天基激光武器对卫星的作战场景和模式,梳理了激光武器对卫星光学遥感器不同程度的打击效能及相应的阈值。文章对自适应激光限幅防护和快速响应快门防护技术、对防护的原理、关键技术进行了阐述;对应用配置和防护效能进行了分析;对激光威胁及防护的发展趋势进行总结。
- 乔凯高超高秀娟尚卫东赵思思韩潇张蕾
- 关键词：激光威胁激光辐照激光防护光学遥感
- 多量子阱红外探测器垂直光耦合研究被引量：1
- 2008年
- 对多量子阱红外探测器制作中GaAs衬底减薄工艺程序进行了研究与讨论。通过将器件压焊封装进杜瓦瓶中,测量其室温和低温条件下I-V特性,以及在低温条件下的器件信噪比,并以傅里叶变换红外光谱仪对器件进行光谱测量,得到光电流谱,从而比较了将器件衬底磨45°斜角的边耦合情况,以及直接将衬底减薄至(29±2)μm两种情况下器件的性能。并讨论了减薄材料在垂直入射情况下仍能引起器件光吸收的主要原因。结果表明,由于GaAs材料的各向异性,湿法腐蚀会使器件台面形成正梯形和倒梯形结构,其作用等同于器件磨至45°斜角,因此在垂直入射时器件也会有光电流产生。此外,在衬底进行减薄抛光后,衬底会有很小的起伏,这也可能引起光耦合,从而产生光电流。
- 马楠邓军牟明威史衍丽崔碧峰张蕾沈光地
- 关键词：多量子阱红外光耦合
- 隧道再生半导体激光器的三维稳态热特性研究被引量：1
- 2008年
- 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器稳态三维温度分布。模拟结果表明,靠近衬底的有源区的光出射腔面中心的温度最高。在平行于结的方向上,温升集中在脊形电极内;在垂直于结的方向上,靠近衬底的有源区温度始终高于靠近热沉的有源区的温度;沿腔长方向,在光反射腔面附近温度下降较快。随着注入电流的增大,两有源区的温度升高,温差变大。实验测量了不同注入电流下器件的峰值波长,将其转换为温升,与模拟结果吻合。
- 张蕾崔碧峰郭伟玲王智群沈光地
- 关键词：半导体激光器稳态隧道再生
- 横向微堆积大功率半导体激光器线阵的制备
- 2010年
- 提出了一种横向微堆积大功率半导体激光器线阵的新结构,在相同的注入电流下提高了器件的输出光功率,有效缓解了大电流下的器件热烧毁和光学灾变性毁坏(COD)。制备了横向微堆积三有源区半导体激光器线阵列,在50A的工作电流下,其输出光功率可达到79.3W,斜率效率可达1.81W/A,是传统单有源区bar条的两倍多。
- 张蕾崔碧峰高昕李明郭伟玲王建军王汝杰沈光地
- 关键词：激光技术半导体激光器线阵
- 利用光谱解混合的目标检测
- 2023年
- 高光谱目标检测中背景信息的统计往往受到目标信息的干扰,而高光谱图像中存在的大量混合像元会进一步加深这一干扰。为了准确统计背景信息、显著降低目标像元对背景统计信息的干扰,提出了一种利用光谱解混合的目标检测算法,通过光谱解混合和目标相似性判断,获取目标端元对应丰度系数,并与光谱夹角系数相结合生成合理的背景加权系数,进行加权约束最小能量算子(CEM)目标检测,从而有效提高混合像元的背景信息统计准确度;利用目标端元对应丰度系数和光谱夹角系数生成初步的目标检测结果,与加权CEM目标检测结果相融合进行进一步优化,有效提高算法稳定性,同时再次提高目标检测精度。实验结果表明:对于模拟高光谱图像和真实高光谱图像,本文算法均得到了较好的目标检测效果,算法稳定性较强,且有效提高了目标检测精度,相比传统CEM算法、基于光谱角的加权CEM算法、归一化丰度系数作为目标结果,AUC值分别平均提高了0.0712,0.0312和0.0150,在高光谱应用中具有较强的实用性。
- 张蕾乔凯吴银花李思远
- 关键词：高光谱图像目标检测丰度光谱角
- 几种体温计测量体温和测温速度的比较被引量：5
- 2011年
- 目的目前市场上体温计的种类很多,但各类体温计测量的体温和测温速度不尽相同。本文通过温度试验对五种不同原理和不同品牌的体温计测量的体温和测量速度进行了对比研究。方法以水银体温计为温度测量的标准,使用额温体温计、耳温体温计、电子体温计和伟伦体温计分别测量受试者体温,对四种体温计测量的体温和测温速度进行对比分析。结果伟伦体温计测量的腋温与水银体温计测量腋温没有统计学差异;电子体温计测量的腋温、额温测温计测量的额温和耳温测温计测量的耳温与水银体温计测量的腋温相比有统计学差异。耳温体温计测量耳温的时间最短,但有4 s的复位时间,且易因操作不当产生误差;额温体温计在4 s左右温度会达到稳定;电子体温计测温时间最长,连续使用时需要3 s复位;伟伦体温计测量口腔温度较快,但连续测量时脱去和再次取用口套约需3 s,伟伦体温计测量腋温时间相对其它腋温测量方式最短。结论耳温体温计与额温体温计测量温度方便、快速,能够满足快速体温测量场合的需要,但其测量的额温或耳温与水银体温计测量的腋温有一定差异;伟伦体温计和电子体温计测量的腋温与水银体温计测量的腋温相比,伟伦体温计更为快速、准确。
- 王薇薇郭鑫媛杨琳王杨柳张蕾张松杨益民
- 关键词：体温计体温
- 大功率半导体激光器线阵列电流扩展的研究
- 2007年
- 利用金属有机物气相淀积生长了980 nm GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器物质,通过常规工艺制成国际标准的1 cm半导体激光器线阵列。隔离槽的深度与电流扩展有着密切的关系,对出光功率等重要参数有着较大的影响。通过隔离槽变深度实验,发现在不超过有源层的前提下,输出功率和斜率效率与隔离槽深度均成正比,阈值电流与隔离槽深度成反比,隔离槽深度过深即超过有源层会导致激光器线阵列的主要参数下降,从而最佳腐蚀深度应不超过有源层,本实验为1.993μm。
- 张楠崔碧峰刘斌邹德恕李建军高国张蕾王智群沈光地
- 关键词：电流扩展
- 条形列阵激光器侧向隔离研究
- 2009年
- 对条形激光器漏电流进行了理论分析,结果表明,漏电流占注入电流的比例随着激光器条形台面宽度的增大而降低,因此实验中采用宽条形台面激光器。同时根据理论分析做对比实验得出,在不增加非辐射复合情况下,隔离槽与台面越近越能充分发挥其减小漏电流的作用,这样阈值电流密度降低,最佳工作点的功率效率提高。
- 段天利崔碧峰张蕾邹德恕王智群沈光地
- 关键词：列阵激光器漏电流
- 多量子阱红外探测器衬底减薄工艺研究被引量：1
- 2008年
- GaAs衬底减薄是制作GaAs基多量子阱焦平面红外探测阵列器件工艺中重要的一步,对器件的性能有重要的影响。采用手工和机器减薄抛光相结合的方法,成功地将器件厚度从625μm降为29±2μm。在77 K下,得到了器件的光响应,并对实验结果进行了分析,讨论了垂直入射引起器件光吸收的主要原因。
- 马楠邓军史衍丽崔碧峰李晓波张蕾沈光地
- 关键词：多量子阱红外光耦合
