崔碧峰
- 作品数：126 被引量：273H指数：9
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>
- 一种基于蓝宝石衬底的单芯片白光发光二极管
- 一种基于蓝宝石衬底的单芯片白光发光二极管，属于半导体光电子技术领域。包括上层p型电极、蓝色发光单元、隧道结、绿色发光单元、上层n型电极和蓝宝石衬底构成的上层结构，或者由蓝绿光p-电极、蓝绿光发光单元、蓝绿光n-电极和蓝宝...
- 郭伟玲闫薇薇崔碧峰刘莹高伟
- 文献传递
- 一种医学静脉寻找眼镜
- 一种医学静脉寻找眼镜,包括镀有滤光膜镜片、眼镜腿、眼镜框、光源控制开关、两种若干发光波段不同的光源，所述光源控制开关可打开或关断所有光源，且所述光源控制开关可以调节所有光源的所发出光的亮度，所述第一种光源和第二种光源均发...
- 崔碧峰黄欣竹孔真真李莎
- 一种基于补偿型刻蚀结构的氧化孔制备方法
- 本发明公开了一种基于补偿型刻蚀结构的氧化孔制备方法，该方法得到的器件台面结构非圆形，而是由多边形构成的补偿型刻蚀台面结构，该器件在N型GaAs衬底上生长出外延结构，器件的外延结构自衬底向上依次包括：N型金属电极、GaAs...
- 崔碧峰陈中标郑翔瑞杨春鹏闫博昭
- 注入电流对GaN基LED发光特性的影响被引量：14
- 2011年
- 通过调节量子阱中的In组分,制备了GaN基蓝光和绿光发光二极管(LED)。对两种LED进行变电流测试发现,注入电流由3 mA增加到900 mA过程中,波长有蓝移现象,且绿光LED的波长蓝移较明显。这是量子阱限制斯塔克效应(QCSE)造成的。由于绿光LED中In组分含量较大,QCSE较明显。并且发现,光效迅速下降,绿光LED的光效下降幅度更大。这是由于电流不强时局域态中的电子溢出到导带与位错缺陷和空穴发生非辐射复合,电流很大时空穴量子阱中空穴分布不均匀,没有足够的空穴与导带的电子复合,电子溢出有源区形成无效的电流注入,造成光效迅速下降;绿光LED的明显蓝移使视效函数V(λ)值减小,使测量的光效下降幅度更大。
- 崔德胜郭伟玲崔碧峰闫薇薇刘莹
- 关键词：发光二极管(LED)蓝移
- 激光侧面激发实时荧光PCR仪
- 本实用新型公开了一种激光侧面激发实时荧光PCR仪，属于光电探测技术与生物科技交叉领域。包括PCR仪底座、加热台、光源模块支杆、样品池模块、激光光源模块；加热台固定在PCR仪底座上，激光光源模块通过光源模块支杆固定在PCR...
- 崔碧峰杜晓东郭伟玲
- 文献传递
- 一种通用的卷积神经网络无损压缩与加速方法
- 本发明公开了一种通用的卷积神经网络无损压缩与加速方法，卷积神经网络模型经过无损压缩器优化，以实现模型在嵌入式设备或移动设备上的部署问题。该无损压缩器由结构化剪枝器与模型重塑器进行级联构成。结构化剪枝器用于实现模型结构上的...
- 崔碧峰许建荣李超张宇航王翔媛
- 文献传递
- 一种色温和显色指数可调的白光LED集成模块封装结构
- 本发明涉及一种LED集成模块的封装结构及其制备工艺，其包括红光LED芯片7和蓝光LED芯片8、具有独立电极3、4、5的LED支架1、陶瓷基板6、荧光粉10、硅胶11，红色LED芯片7和蓝色LED芯片8被固定与LED支架1...
- 郭伟玲崔德胜崔碧峰刘莹
- 文献传递
- GaAs基大功率激光器静电失效现象的研究被引量：3
- 2017年
- 为了判别大功率半导体激光器是否为静电损毁失效,对大功率半导体激光器进行了静电损毁机制的研究。通过测量和表征大功率半导体激光器静电损毁现象,为判别其失效提供有效判据。首先,对GaAs基980 nm大功率半导体激光器(HPLD)分别施加了-200 V,-600 V,-800 V,-1200 V以及+5000 V的静电打击(ESD),每次打击后,测量样品电学参数和光学参数。其次,对打击后的器件进行腐蚀并显微观察其打击后损伤现象。反相ESD后,半导体激光器I-V曲线有明显的软击穿现象,在反向4 V电压下反向1200 V静电打击后漏电为打击的5883854.92倍。正向5000 V静电打击后器件没有明显的软击穿现象,且功率下降很小。在反向ESD后器件腐蚀金电极后表面有明显熔毁现象,正向静电打击后则没有此现象。通过正向静电打击和反向静电打击下器件反应的不同I-V特性和损伤表征,推测正向瞬时大电压大电流下,器件的I-V特性无明显变化,而反向大电压大电流打击会导致I-V曲线出现明显软击穿,功率下降和表面熔毁现象,为判别静电损毁提出了有效判据。
- 黄欣竹崔碧峰郭伟玲李莎孔真真房天啸郝帅
- 关键词：大功率半导体激光器静电I-V特性光输出功率
- 量子阱激光器的阈值电流与腔长关系
- 2010年
- 一般激光器的阈值电流会随着腔长增加而增大,但是最近发现单量子阱激光器的阈值电流在很大的腔长范围内保持恒定。造成这样现象的原因是由于激光器有源区不掺杂和采用了线形渐变折射率导引机制的量子阱激光器结构,这样可以有效的减少载流子泄漏和非辐射复合,因此激光器内损耗很小,阈值增益主要由腔面损耗决定,致使阈值电流在很大的腔长范围内保持恒定。
- 段天利崔碧峰王智群沈光地
- 关键词：阈值电流阈值增益
- 表面液晶-垂直腔面发射激光器温度特性的研究被引量：2
- 2013年
- 本文利用向列相液晶层作为激光偏振调控单元,涂覆于垂直腔面发射激光器(VCSEL)表面,测量并分析了不同温度下VCSEL正交线偏振光的阈值电流、峰值光功率和I-P特性.实验结果表明:温度为293 K时,涂覆液晶后激光偏振第一跳变点和第二跳变点之间的电流值I增大了2.2 mA,比无液晶时增大1倍.温度为313 K、注入电流为3 mA时,两种正交线偏振光的光功率差P由133.6μW增大到248.8μW,进一步增加了线偏振光的各向异性.表面液晶层的引入有效地扩大了VCSEL的正交线偏振态稳定范围和光功率差,为实现液晶VCSEL高温单偏振稳定的设计和器件制备提供了理论和实验基础.
- 王强关宝璐刘克史国柱刘欣崔碧峰韩军李建军徐晨
- 关键词：垂直腔面发射激光器向列相液晶偏振态
