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宋凌云

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇电路
  • 2篇电场
  • 2篇电场分布
  • 2篇电荷
  • 2篇电离
  • 2篇氧化层
  • 2篇元胞
  • 2篇栅介质
  • 2篇正电
  • 2篇正电荷
  • 2篇射频
  • 2篇射频系统
  • 2篇碳化硅
  • 2篇碰撞电离
  • 2篇热保护
  • 2篇终端结构
  • 2篇终端区
  • 2篇温度
  • 2篇温度传感器
  • 2篇金属

机构

  • 7篇电子科技大学

作者

  • 7篇宋凌云
  • 6篇张波
  • 6篇邓小川
  • 4篇陈茜茜

年份

  • 3篇2019
  • 2篇2017
  • 2篇2016
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
碳化硅功率器件终端结构及其制造方法
本发明提供一种碳化硅功率器件终端结构及其制造方法，器件包括器件元胞和器件终端；器件终端包括P型结终端拓展区，P型结终端拓展区之中有N+注入环和刻蚀沟槽，刻蚀沟槽和N+注入环相连，刻蚀沟槽位于N+注入环的外侧，刻蚀沟槽内部...
邓小川柏思宇宋凌云陈茜茜张波
文献传递
碳化硅功率器件终端结构及其制造方法
本发明提供一种碳化硅功率器件终端结构及其制造方法，器件包括器件元胞和器件终端；器件终端包括P型结终端拓展区，P型结终端拓展区之中有N+注入环和刻蚀沟槽，刻蚀沟槽和N+注入环相连，刻蚀沟槽位于N+注入环的外侧，刻蚀沟槽内部...
邓小川柏思宇宋凌云陈茜茜张波
大电流SiC MOSFET器件关键技术与器件研究
碳化硅（SiC）优良的材料特性，使其十分适用于制作大功率高速的开关器件，例如金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFETs）。目前国内诸多研究小组已经展开了SiC MOSFETs的研制，然而国内研制的这批器件正向电流特...
宋凌云
关键词：MOSFET器件集成电路芯片设计
文献传递
集成温度传感器的碳化硅VDMOS器件及其制作方法
本发明提供一种集成温度传感器的碳化硅VDMOS器件及其制作方法，器件包含金属漏电极、漏极欧姆接触区、碳化硅N+衬底、碳化硅N<Sup>‑</Sup>飘移区、第一Pbase区、第二Pbase区、第三Pbase区、N<Sup...
邓小川宋凌云陈茜茜柏思宇张波
带有过热保护功能的射频LDMOS晶体管
本发明提供一种带有过热保护功能的射频LDMOS晶体管，包括集成在同一芯片上的SONOS器件、NPN BJT热传感器和射频LDMOS器件；SONOS器件栅极存储有正电荷；SONOS器件栅极通过金属连接至NPN BJT热传感...
邓小川刘冬冬宋凌云童星万殊燕杨文驰谭犇张波
带有过热保护功能的射频LDMOS晶体管
本发明提供一种带有过热保护功能的射频LDMOS晶体管，包括集成在同一芯片上的SONOS器件、NPN BJT热传感器和射频LDMOS器件；SONOS器件栅极存储有正电荷；SONOS器件栅极通过金属连接至NPN BJT热传感...
邓小川刘冬冬宋凌云童星万殊燕杨文驰谭犇张波
文献传递
集成温度传感器的碳化硅VDMOS器件及其制作方法
本发明提供一种集成温度传感器的碳化硅VDMOS器件及其制作方法，器件包含金属漏电极、漏极欧姆接触区、碳化硅N+衬底、碳化硅N<Sup>‑</Sup>飘移区、第一Pbase区、第二Pbase区、第三Pbase区、N<Sup...
邓小川宋凌云陈茜茜柏思宇张波
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