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陈茜茜
作品数:
12
被引量:5
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
文学
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合作作者
邓小川
电子科技大学
张波
电子科技大学
宋凌云
电子科技大学
李立均
电子科技大学
李轩
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作者
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陈茜茜
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张波
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邓小川
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宋凌云
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李轩
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李立均
1篇
黄炜
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2017
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2016
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2015
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2005
1篇
2004
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碳化硅功率器件终端结构及其制造方法
本发明提供一种碳化硅功率器件终端结构及其制造方法,器件包括器件元胞和器件终端;器件终端包括P型结终端拓展区,P型结终端拓展区之中有N+注入环和刻蚀沟槽,刻蚀沟槽和N+注入环相连,刻蚀沟槽位于N+注入环的外侧,刻蚀沟槽内部...
邓小川
柏思宇
宋凌云
陈茜茜
张波
集成温度传感器的碳化硅VDMOS器件及其制作方法
本发明提供一种集成温度传感器的碳化硅VDMOS器件及其制作方法,器件包含金属漏电极、漏极欧姆接触区、碳化硅N+衬底、碳化硅N<Sup>‑</Sup>飘移区、第一Pbase区、第二Pbase区、第三Pbase区、N<Sup...
邓小川
宋凌云
陈茜茜
柏思宇
张波
SiC MOSFET的结构设计和动态特性研究
碳化硅材料有大禁带宽度、高临界击穿电场、高热导率和高载流子饱和漂移速度等优良特点,能满足更恶劣环境的需求,使其在高温、高频、大功率和抗辐照等领域的应用更加广泛。4H-SiC MOSFET器件功率大且开关损耗低,正逐步应用...
陈茜茜
关键词:
MOSFET器件
集成电路
栅氧化层
芯片设计
一种碳化硅VDMOS器件
本发明属于半导体技术领域,具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件。本发明针对SiC VDMOS器件提供的复合栅介质结构,在沟道上方采用高介电常数栅介质/SiO<Sub>2</Sub>堆垛结构,JFET区上方全部采用SiO...
邓小川
李妍月
陈茜茜
张波
文献传递
远程无线监测网的设计与应用
2004年
本文系统地阐述了远程无线监测网设计开发时采用的核心技术.包括其通信网的设计.天线及监测站硬件电路的设计。并介绍了研制成功的海上新型远程无线监测网。
陈茜茜
黄炜
关键词:
无线
监测网
远程
通信网
监测站
硬件电路
碳化硅MOSFET器件及其制作方法
本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其制作方法,器件包括漏极金属、N+衬底、N‑漂移区;N‑漂移区的内部设有凹槽,制作方法包括步骤:在外延片上刻蚀出凹槽,该凹槽和光刻对准标记同时形成;N‑外延上淀积多晶硅并刻蚀形成离子...
邓小川
陈茜茜
李立均
李轩
张波
文献传递
一种碳化硅VDMOS器件
本发明属于半导体技术领域,具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件。本发明针对SiC VDMOS器件提供的复合栅介质结构,在沟道上方采用高介电常数栅介质/SiO<Sub>2</Sub>堆垛结构,JFET区上方全部采用SiO...
邓小川
李妍月
陈茜茜
张波
微型无线图像传输系统的设计
本论文首先对目前战场上运用的几种主要侦察手段进行对比分析,提出了设计微型无线图像传输系统的必要性.并且介绍了当前国内外微型无线图像传输系统的发展现状,在此基础上设计了一种全新平台上运行的小区域战场侦察系统.本论文根据项目...
陈茜茜
关键词:
压控振荡器
图像传感器
微控制器
无线收发芯片
文献传递
碳化硅MOSFET器件及其制作方法
本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其制作方法,器件包括漏极金属、N+衬底、N?漂移区;N?漂移区的内部设有凹槽,制作方法包括步骤:在外延片上刻蚀出凹槽,该凹槽和光刻对准标记同时形成;N?外延上淀积多晶硅并刻蚀形成离子...
邓小川
陈茜茜
李立均
李轩
张波
碳化硅功率器件终端结构及其制造方法
本发明提供一种碳化硅功率器件终端结构及其制造方法,器件包括器件元胞和器件终端;器件终端包括P型结终端拓展区,P型结终端拓展区之中有N+注入环和刻蚀沟槽,刻蚀沟槽和N+注入环相连,刻蚀沟槽位于N+注入环的外侧,刻蚀沟槽内部...
邓小川
柏思宇
宋凌云
陈茜茜
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