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杨萌萌

作品数：26 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇中文专利

主题

  • 23篇半导体
  • 23篇半导体器件
  • 12篇集成度
  • 11篇衬底
  • 8篇半导体材料
  • 7篇体效应
  • 7篇漏电
  • 7篇浮体效应
  • 6篇叠层
  • 6篇自热效应
  • 6篇埋氧层
  • 6篇刻蚀
  • 5篇介电
  • 5篇介电常数
  • 5篇绝缘体上硅
  • 4篇堆叠
  • 4篇功耗
  • 3篇氧化物
  • 3篇体硅
  • 3篇阻挡层

机构

  • 26篇中国科学院微...

作者

  • 26篇闫江
  • 26篇许静
  • 26篇王红丽
  • 26篇唐波
  • 26篇唐兆云
  • 26篇杨萌萌
  • 21篇李春龙
  • 15篇陈邦明
  • 2篇李俊峰

年份

  • 2篇2019
  • 5篇2018
  • 19篇2016
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底；在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第二半导体层上形成器件结构；刻蚀器件两侧的第二半导体层，以形成刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀至少去除器件结构的栅...
唐兆云闫江徐烨锋唐波王红丽许静杨萌萌
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半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供SOI衬底；在衬底上形成器件结构；去除器件结构的栅极，直至暴露顶层硅，以形成栅开口；沿顶层硅的(111)晶面进行刻蚀，以在栅开口下形成沟槽；填充栅开口及沟槽，以重新形成栅极...
许静闫江王红丽唐波唐兆云徐烨锋李春龙杨萌萌
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半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体器件，包括：第一器件区域和第二器件区域；其中，第一器件区域包括：衬底，所述衬底具有第一半导体材料；第二半导体层，位于衬底之上；第三半导体层，位于第二半导体层之上，为第一器件形成区域；第一隔离结构，位...
许静闫江陈邦明王红丽唐波唐兆云徐烨锋李春龙杨萌萌
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一种半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在衬底上形成第一半导体层，以及在第一半导体层上依次形成具有第一类型沟道材料的第二半导体层和具有第二类型沟道材料的第三半导体层的叠层；在叠层中形成第一刻蚀槽，并通...
唐兆云徐烨锋唐波王红丽许静李春龙杨萌萌闫江
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半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有第一半导体材料；第二半导体层，位于衬底之上；第三半导体层，位于第二半导体层之上，为器件形成区域；隔离结构，位于第三半导体层两侧、衬底之上；空腔，位于第三半导体层的源漏区...
许静闫江陈邦明王红丽唐波唐兆云徐烨锋李春龙杨萌萌
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一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底；在衬底中形成背栅掺杂区；在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第二半导体层上形成器件结构；刻蚀器件两侧的第二半导体层，以形成刻蚀孔；通过刻蚀孔...
闫江唐兆云唐波王红丽许静徐烨锋杨萌萌李俊峰
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半导体器件的制造方法
本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底具有第一半导体层；在第一半导体层上形成图案化的第二半导体层和第三半导体层堆叠，堆叠上具有第一氧化阻挡层，堆叠两侧为隔离沟槽；从第二半导体层的端部去除部分的...
唐波许静闫江王红丽唐兆云徐烨锋李春龙陈邦明杨萌萌
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半导体衬底、器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体衬底的制造方法，包括：提供体衬底；刻蚀衬底，以形成有源区和沟槽，有源区的表面上形成有掩膜层；继续刻蚀衬底，以在有源区下形成开口；填充沟槽及开口，以形成隔离和绝缘层。由于绝缘层的存在，明显减小了器件的...
许静闫江唐兆云王红丽唐波徐烨锋李春龙杨萌萌陈邦明
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半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体器件，包括第一器件区域：衬底；第一有源区堆叠，包括衬底上的第一半导体区和其上的第二半导体区，以及空腔，空腔位于第一半导体区的端部、第二半导体区与衬底之间；第一器件，位于第二半导体区之上，且其源漏区位...
唐波许静闫江王红丽唐兆云徐烨锋李春龙陈邦明杨萌萌
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一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第一区域和第二区域的第二半导体层上形成器件结构；刻蚀第一区域的器件结构两...
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