2025年1月18日
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张阳
作品数:
27
被引量:3
H指数:1
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
国家科技重大专项
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
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合作作者
李超波
中国科学院微电子研究所
夏洋
中国科学院微电子研究所
解婧
中国科学院微电子研究所
卢维尔
中国科学院微电子研究所
董亚斌
中国科学院微电子研究所
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作者
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李超波
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张阳
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用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法
本发明公开一种用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法,其包括将衬底进行清洗和表面前处理;将衬底放入原子层沉积设备的反应腔室中;对衬底、管道及腔室进行加热;然后依次分别进行锌源、掺杂源Te、掺杂N源和氧源的沉积。本发明提供的...
卢维尔
夏洋
李超波
解婧
张阳
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石墨烯晶片的制备方法
本发明提供一种石墨烯晶片的制备方法,包括对需要沉积石墨烯晶片的衬底和石墨材料表面进行活化处理;通过离子注入方法控制石墨烯的厚度;将衬底与石墨表面接触,施加外物理场使石墨烯晶片从石墨材料表面剥离下来并沉积到衬底表面。本发明...
夏洋
李超波
解婧
罗巍
张阳
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基于氮的施主-受主共掺氧化锌薄膜的制备方法
本发明公开一种基于氮的施主-受主共掺氧化锌薄膜的制备方法,包括将基片放入ALD反应腔室中,对基片及腔室管道进行加热,然后依次进行多组分的复合沉积;所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后,分别引入一次包含III主族元素X的施主...
卢维尔
夏洋
李超波
张阳
解婧
董亚斌
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一种制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法
本发明公开了一种制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法,属于氧化锌薄膜制备技术领域。所述方法包括:原子层沉积设备通入含锌源气体和含氧源气体,在原子层沉积设备反应腔中的硅衬底表面生长氧化锌薄膜;原子层沉积设备通入含铝源气体和含氧...
张阳
董亚斌
卢维尔
解婧
李超波
夏洋
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一种晶圆级阳极键合方法
本发明涉及一种晶圆级阳极键合方法。所述晶圆级阳极键合方法,包括如下步骤:将待键合的硅或金属样片和玻璃样片浸泡到清洗液中清洗;将清洗后的硅或金属样片和玻璃样片吹干,放入键合装置中,一边加热,一边抽真空,到达预设工作温度和真...
罗巍
解婧
张阳
李超波
夏洋
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一种原子层沉积设备
本发明涉及微电子器件制造技术领域,具体涉及一种原子层沉积设备。所述原子层沉积设备,包括腔室和直流电源,所述腔室内设有加热盘及设置在所述加热盘上的匀热盘,所述匀热盘上设有绝缘导热层,所述绝缘导热层上设有导电盘,所述导电盘通...
董亚斌
夏洋
李超波
张阳
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一种利用混合溶剂相剥离石墨制备石墨烯的方法
本发明涉及一种利用混合溶剂相剥离石墨制备石墨烯的方法。该方法包括以下步骤:首先,配制混合溶剂,所述混合溶剂由至少两种沸点小于或者等于100℃的有机溶剂组成;接着,将石墨粉加入至所述混合溶剂内配制石墨粉混合液,并将所述石墨...
张阳
解婧
罗巍
李超波
夏洋
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一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法
本发明涉及材料技术领域,具体涉及一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法。所述制备方法,包括如下步骤:(1)根据需求选择合适的绝缘衬底;(2)对绝缘衬底的表面和/或待转移至绝缘衬底的体材料的表面进行活化处理;(3)将绝缘衬底与...
解婧
张阳
罗巍
李超波
夏洋
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原子层沉积制备N‑As共掺的氧化锌薄膜的方法
本发明公开原子层沉积制备N‑As共掺的氧化锌薄膜的方法,其包括:将基片放入原子层沉积设备的反应腔室中;进行多组分的复合沉积;所述复合沉积包括在锌源沉积之前引入一次As掺杂源的沉积和氧源的沉积之后引入一次氮掺杂源的沉积;循...
卢维尔
夏洋
李超波
张阳
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用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法
本发明公开一种用于Te‑N共掺氧化锌薄膜的制备方法,其包括将衬底进行清洗和表面前处理;将衬底放入原子层沉积设备的反应腔室中;对衬底、管道及腔室进行加热;然后依次分别进行锌源、掺杂源Te、掺杂N源和氧源的沉积。本发明提供的...
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