您的位置： 专家智库 > >

董志华

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇国内会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子迁移率
  • 1篇动态特性
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶体管
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇HEMT
  • 1篇场板

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 1篇张宝顺
  • 1篇王越
  • 1篇于国浩
  • 1篇蔡勇
  • 1篇曾春红
  • 1篇董志华

传媒

  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
栅源场板AlGaN/GaN-HEMT动态特性分析
AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件，但在高电压动态使用时，存在“电流崩塌”现象。新制备了一种具有叠层双栅结构的AlGaN/GaN HEMT器件，该器件在栅电极之上新增加了一个通过介质层(Si3N4)与栅...
于国浩王越曾春红董志华蔡勇张宝顺
关键词：高电子迁移率晶体管半导体器件动态特性
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0