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王越

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院更多>>
相关领域：电子电信文化科学军事历史地理更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 9篇会议论文
  • 3篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 4篇文化科学
  • 2篇军事
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇建筑科学
  • 1篇历史地理

主题

  • 11篇半导体
  • 10篇二维电子
  • 10篇二维电子气
  • 8篇氮化
  • 8篇氮化物
  • 8篇电流崩塌
  • 8篇电流崩塌效应
  • 8篇介质层
  • 8篇化物
  • 8篇半导体表面
  • 6篇HEMT器件
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇迁移率
  • 3篇文化
  • 3篇晶体管
  • 3篇高电子迁移率
  • 3篇高电子迁移率...
  • 2篇导体
  • 2篇等离子体处理
  • 2篇电子器件

机构

  • 22篇中国科学院
  • 4篇北京理工大学
  • 4篇中国工程院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 22篇王越
  • 13篇张宝顺
  • 13篇于国浩
  • 12篇董志华
  • 12篇蔡勇
  • 2篇王越
  • 2篇王越
  • 2篇曾春红
  • 1篇侯克玉
  • 1篇李未
  • 1篇宋振骐
  • 1篇王立平
  • 1篇李金龙
  • 1篇童东绅
  • 1篇蒋民华
  • 1篇赵德胜
  • 1篇王公应
  • 1篇顾国栋
  • 1篇姚洁
  • 1篇蔡勇

传媒

  • 2篇第十七届全国...
  • 1篇中国科学院院...
  • 1篇中国航天
  • 1篇高科技与产业...
  • 1篇中国化工学会...
  • 1篇2013‘全...
  • 1篇第十届中国科...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2016
  • 1篇2014
  • 6篇2013
  • 6篇2012
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2000
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Ⅲ族氮化物MISHEMT器件
本发明公开了一种Ⅲ族氮化物MISHEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，第一、第二介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第一半导体设置于源、漏电极之间，第二半...
蔡勇于国浩董志华王越张宝顺
文献传递
Ⅲ族氮化物HEMT器件
本发明公开了一种Ⅲ族氮化物HEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，绝缘介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导...
蔡勇于国浩董志华王越张宝顺
半导体电子器件
一种半导体电子器件，包括分布在衬底上的异质结结构和导电电极，所述导电电极包括源、漏、栅极，其中异质结结构主要由上、下层异质材料组成，上、下层异质材料界面处形成有量子阱限定的二维电子气，并且该半导体电子器件采用台面隔离结构...
王越蔡勇于国浩董志华张宝顺
文献传递
提高ALGAN/GAN HEMT关态击穿电压的纳米沟道阵列结构
本文提出了一种提高ALGAN/GAN HEMT的击穿电压的结构,即纳米沟道阵列.在栅漏间距为LM的情况下,含有纳米沟道阵列结构的器件的关态击穿电压达到105V,而无此结构的常规器件的击穿电压为54.5V.通过计算,纳米沟...
顾国栋蔡勇冯志红王越于国浩董志华曾春红张宝顺
关键词：GAN高电子迁移率晶体管击穿电压
文献传递网络资源链接
栅源场板AlGaN/GaN-HEMT动态特性分析
AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件，但在高电压动态使用时，存在“电流崩塌”现象。新制备了一种具有叠层双栅结构的AlGaN/GaN HEMT器件，该器件在栅电极之上新增加了一个通过介质层(Si3N4)与栅...
于国浩王越曾春红董志华蔡勇张宝顺
关键词：高电子迁移率晶体管半导体器件动态特性
文献传递
Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件
本发明公开了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，绝缘介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第一半导体设置于源、漏电极之间，第二半导体形...
蔡勇于国浩董志华王越张宝顺
文献传递
AlGaN/GaN HEMT漂移区动态电阻分析
AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件,但在高电压动态使用时,存在导通电阻增加的现象.目前可以有效降低动态导通电阻的方法有:场板结构和AlN介质层等.本论文采用叠层双栅结构AlGaN/GaN HEMT器件,...
于国浩蔡勇王越赵德胜曾春红侯克玉董志华张宝顺
关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓动态电阻
文献传递
关于培养世界水平高级专家的若干建议
2009年
通过院士座谈、企业员工访谈及优秀团队考查等实证研究，剖析了我国高层次人才培养体制机制存在的主要问题及原因．并针对诺贝尔自然科学奖获奖现象、中村修二现象、国际知名企业创新现象、知名的优秀科技团队持续创新案例等的制度创新特点，探讨了主要发达国家高层次人才的培养经验和措施。在对世界近代史中科技创新现象及其变迁过程和国内外科技创新体制机制分析的基础上，提出了我国培养世界前沿水平高级专家的有关体制及机制的对策和建议。
蒋民华王越李未宋振骐郑忠德王琪珑娄红祥王剑敏尹爱田赵显傅茂笋李士雪盛春光蒋宛莉
Ⅲ族氮化物MISHEMT器件
本发明公开了一种Ⅲ族氮化物MISHEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，第一、第二介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第一半导体设置于源、漏电极之间，第二半...
蔡勇于国浩董志华王越张宝顺
院士寄语
2013年
雷达与信息系统专家、教育家。北京理工大学教授。长期从事火控雷达系统、信息系统及其安全对抗领域的研究工作，曾担任过许多大型火控雷达系统的总设计师和行政指挥，主持完成了多个军事电子系统的研制。曾任北京理工大学校长，是国防科工委专家咨询委员会委员，863计划国家安全领域专家组顾问。
王越
关键词：院士雷达系统军事电子系统信息系统国防科工委
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