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一种宇航用模拟开关备份特性试验方法: 本发明公开了一种宇航用模拟开关备份特性试验方法，提出了基于备份应用验证电路的4种试验方法，覆盖了模拟开关在航天器中的实际应用状态，获得宇航用模拟开关电路的备份功能特性。本发明提出的宇航用模拟开关电路备份特性验证试验方法及...; 莫日根梅博张洪伟马镇孙毅魏志超曹爽吕贺

一种基于深度学习的存储器在轨故障预测与健康管理方法: 一种基于深度学习的存储器在轨故障预测与健康管理方法，模拟产生待测试存储器的故障模式数据集；使用PYNQ处理器通过数据总线对待测试存储器进行读写操作，待测试存储器中的数据作为神经网络的输入激励；根据SVM和1D CNN算法...; 怀娜娜张竞择王博魏志超张洪伟

一种电子器件背面开孔减薄装置及减薄方法: 本发明公开了一种电子器件背面开孔减薄装置及减薄方法，包括：圆台固定夹具、升降载物台、纵向可伸缩旋转连杆、磨抛钻头、锁紧旋钮、传感器、传动皮带、电动马达、程控单元、数据传输线、连杆外壳和连杆弹簧；圆台固定夹具具有直角卡槽；...; 梅博魏志超罗磊于庆奎张洪伟唐民; 文献传递

一种电子器件背面开孔减薄装置: 本实用新型公开了一种电子器件背面开孔减薄装置包括：圆台固定夹具、升降载物台、纵向可伸缩旋转连杆、磨抛钻头、锁紧旋钮、传感器、传动皮带、电动马达、程控单元、数据传输线、连杆外壳和连杆弹簧；圆台固定夹具具有直角卡槽；升降载物...; 梅博魏志超罗磊于庆奎张洪伟唐民; 文献传递

一种集成电路单粒子软错误仿真等效故障注入方法: 一种集成电路单粒子软错误仿真等效故障注入方法，基于地面加速器试验粒子注入位置分布和故障引入机制分析、芯片集成的各单元电路单粒子敏感区域占比分析、数量占比分析等因素考虑，通过等效故障注入样本集抽样方法，为芯片级单粒子软错误...; 孙毅梅博魏志超曹爽李鹏伟莫日根张洪伟王亮刘春学

纳米器件质子在轨单粒子翻转率预计方法被引量：3: 2017年; 研究了纳米器件在空间轨道中质子引起单粒子翻转(SEU)率的预计方法。以65 nm SRAM为样品,利用加速器进行了质子和重离子单粒子翻转试验,分别基于质子试验数据和重离子试验数据,预计了空间轨道中质子引起的单粒子翻转率。结果表明,用重离子试验数据预计的质子单粒子翻转率比用质子试验数据预计的低1.5个数量级。研究认为,为了评估纳米器件单粒子翻转敏感性,需进行质子单粒子翻转试验,并基于质子试验数据进行在轨质子翻转率预计。; 于庆奎罗磊唐民孙毅魏志超李铮; 关键词：质子重离子单粒子翻转

一种用于空间飞行验证平台的供配电控制系统及控制方法: 一种用于空间飞行验证平台的供配电控制系统及控制方法，针对未来在轨批量化飞行试验的供配电可靠性需求，提出了一种支持多目标集中供配电管理的高可靠实时控制系统设计和控制方案。本发明先提出了一种用于飞行验证的供配电控制系统设计，...; 张绍林刘迎辉肖爱斌邓峥魏志超王喆张洪伟刘辉张竞择汪洋; 文献传递

一种SiP器件抗单粒子效应能力评估方法: 本发明公开了一种SiP器件抗单粒子效应能力评估方法，步骤如下：对SiP进行开帽处理；获取SiP内部芯片信息，并确定SiP内部器件的抗辐射性能是否记录在辐射数据库中；若辐射数据库中有相应SIP芯片的抗辐射性能数据，且所有S...; 罗磊魏志超梅博孙毅于庆奎张洪伟; 文献传递

重离子引起SiC MOSFET栅氧化物潜在损伤研究被引量：1: 2023年; 针对空间应用,开展SiC MOSFET单粒子效应试验研究。在加速器上用重离子辐照1200 V SiC MOSFET,离子线性能量传输(LET)在0.26~118 MeV·cm^(2)/mg之间,辐照中被试器件加50~600 V静态漏源偏置电压、栅源短接,实时测量电特性,进行辐照后栅应力(PIGS)测试。试验结果发现,50~100 V偏置电压下,离子引起瞬态电流,PIGS测试栅失效。分析认为离子引起栅氧化物潜在损伤,PIGS测试过程中,潜在损伤进一步退化导致栅失效。氧化物潜在损伤不仅与辐照偏置电压有关,还与入射离子LET和注量有关。PIGS测试需要的栅应力时间与潜在损伤程度有关,可超过300 s。并给出了电荷累积损伤模型。模型进行SiC MOSFET单粒子效应评估时,应考虑离子引起栅氧化物潜在损伤的影响,需根据轨道和任务周期确定试验离子注量,根据应用情况确定辐照偏置电压,并评估确定PIGS测试栅应力时间。; 于庆奎曹爽张琛睿孙毅孙毅王乾元梅博魏志超张洪伟王贺柏松; 关键词：单粒子效应单粒子烧毁

SiC结势垒肖特基二极管的重离子单粒子效应被引量：2: 2019年; 在100～600V偏压下,对600,1 200,3 300V的SiC结势垒肖特基二极管用加速器产生的氙(Xe)和钽(Ta)重离子进行了辐照实验。结果表明,器件漏电流随入射离子LET、注量及偏压的增加而增大,甚至出现了短路失效。分析认为,肖特基结局部被重离子破坏,形成漏电通路,造成SiC二极管漏电流增大,直至发生单粒子烧毁。; 于庆奎张洪伟张洪伟梅博孙毅李晓亮梅博吕贺魏志超曹爽唐民; 关键词：SIC 肖特基二极管单粒子效应

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魏志超