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梅博: 作品数：48 被引量：26H指数：3; 供职机构：中国空间技术研究院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术核科学技术更多>>

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核与空间辐射效应模拟试验技术研究被引量：1: 2023年; 在天然与人为辐射环境中,辐射可能在电子器件中引发瞬时电离、单粒子、位移损伤、总剂量等多种辐射效应,导致器件性能退化、功能异常、故障甚至损毁,是制约电子器件及所属系统长期、稳定、可靠工作的关键.核与空间辐射效应模拟试验技术是抗辐射加固的基础,可用于研究辐射效应机理、检验抗辐射加固方法有效性,是提升电子器件和系统抗辐射能力不可或缺的重要手段.本文从瞬时电离辐射效应模拟试验技术、空间单粒子效应模拟试验技术、位移损伤效应模拟试验技术、总剂量效应模拟试验技术四个方面出发,梳理了辐射效应研究和模拟试验装置现状,结合微电子工艺的发展趋势,分析提炼需要重点关注的科学问题与技术问题,为抗辐射加固技术创新发展提供参考.; 陈伟陈伟马武英罗尹虹丁李利马武英刘岩王晨辉姚崇斌丁李利郭晓强王祖军吴伟

一种基于电流监测的3D NAND存储器辐照效应测试装置及方法: 在实际工程测试中，一般采用外接的直流电源分析仪来对器件的电流进行实时监测，体积笨重且价格昂贵，而且还需要外接复杂的线缆，杂乱无序，不利于实际试验的开展。为解决器件实际测试过程中遇到的工程问题，本发明提出了一种基于电流监测...; 郑雪松莫日根王亚男王博吉俐杨智博张雷浩王文炎梅博

一种SiC MOSFET器件总剂量效应试验方法: 本发明涉及一种SiC MOSFET器件总剂量效应试验方法，主要应用于SiC MOSFET总剂量效应试验。本发明可以解决SiC MOSFET的总剂量试验问题，实现了对SiC MOSFET复杂总剂量效应的验证，在试验过程中，...; 于庆奎王贺曹爽孙毅梅博吕贺莫日根王乾元孙佳佳张洪伟

一种宇航用模拟开关备份特性试验方法: 本发明公开了一种宇航用模拟开关备份特性试验方法，提出了基于备份应用验证电路的4种试验方法，覆盖了模拟开关在航天器中的实际应用状态，获得宇航用模拟开关电路的备份功能特性。本发明提出的宇航用模拟开关电路备份特性验证试验方法及...; 莫日根梅博张洪伟马镇孙毅魏志超曹爽吕贺

FinFET器件单粒子翻转物理机制研究评述: 2024年; 鳍式场效应晶体管(FinFET)器件由于其较高的集成度以及运算密度,已成为未来航天应用领域的重要选择。FinFET器件的辐射敏感性与其制作工艺和工作条件息息相关。为了解FinFET器件的单粒子翻转(SEU)敏感机制,文章结合国内外开展的相关研究,从SEU机理出发,分析了器件特征尺寸、电源电压和入射粒子的线性能量传输(LET)值等不同条件对器件SEU敏感性的影响,最后结合实际对FinFET器件SEU的研究发展方向进行展望。; 王仕达张洪伟唐民唐民梅博; 关键词：单粒子翻转静态随机存取存储器

一种电子器件背面开孔减薄装置及减薄方法: 本发明公开了一种电子器件背面开孔减薄装置及减薄方法，包括：圆台固定夹具、升降载物台、纵向可伸缩旋转连杆、磨抛钻头、锁紧旋钮、传感器、传动皮带、电动马达、程控单元、数据传输线、连杆外壳和连杆弹簧；圆台固定夹具具有直角卡槽；...; 梅博魏志超罗磊于庆奎张洪伟唐民; 文献传递

一种低剂量率辐照损伤增强效应判定方法: 一种低剂量率辐照损伤增强效应判定方法，包括步骤：1)获得所述待测试对象辐照前的电参数测试结果；2)制作成多个辐照试验线路板，分别进行不同剂量率、不同偏置的电离辐照试验，获得多个辐照剂量点的电参数测试结果；3)确定所述待测...; 吕贺李鹏伟孙明张洪伟梅博于庆奎李兴冀杨剑群; 文献传递

一种单粒子锁定效应防护电阻的甄选方法和系统: 本发明公开了一种单粒子锁定效应防护电阻的甄选方法和系统，所述方法包括：根据获得的待防护对象的单粒子锁定效应电参数测试结果，给出锁定电流值；对待防护对象的正常工作电性能条件进行分析，确定待防护对象在工作条件下的正常工作电压...; 李鹏伟张洪伟李勇张宇飞赵亚飞吕贺梅博李晓亮; 文献传递

一种对应用加固器件进行单粒子效应评估的试验方法: 本发明涉及一种对应用加固器件进行单粒子效应评估的试验方法，特别涉及与空间环境结合的应用加固器件单粒子效应评估试验方法，属于粒子辐照测试技术领域。本发明的方法能够更加准确地测试器件采取的EDAC、TMR、定时刷新等应用加固...; 罗磊孙毅于庆奎张洪伟梅博李晓亮; 文献传递

重离子引起SiC MOSFET栅氧化物潜在损伤研究被引量：1: 2023年; 针对空间应用,开展SiC MOSFET单粒子效应试验研究。在加速器上用重离子辐照1200 V SiC MOSFET,离子线性能量传输(LET)在0.26~118 MeV·cm^(2)/mg之间,辐照中被试器件加50~600 V静态漏源偏置电压、栅源短接,实时测量电特性,进行辐照后栅应力(PIGS)测试。试验结果发现,50~100 V偏置电压下,离子引起瞬态电流,PIGS测试栅失效。分析认为离子引起栅氧化物潜在损伤,PIGS测试过程中,潜在损伤进一步退化导致栅失效。氧化物潜在损伤不仅与辐照偏置电压有关,还与入射离子LET和注量有关。PIGS测试需要的栅应力时间与潜在损伤程度有关,可超过300 s。并给出了电荷累积损伤模型。模型进行SiC MOSFET单粒子效应评估时,应考虑离子引起栅氧化物潜在损伤的影响,需根据轨道和任务周期确定试验离子注量,根据应用情况确定辐照偏置电压,并评估确定PIGS测试栅应力时间。; 于庆奎曹爽张琛睿孙毅孙毅王乾元梅博魏志超张洪伟王贺柏松; 关键词：单粒子效应单粒子烧毁