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一种CdSe纳米晶光电材料的制备方法: 本发明公开了一种CdSe纳米晶光电材料的制备方法。（1）在氩气保护下，将0.7896 g硒粉和7.5624g无水亚硫酸钠加入装有100mL二次蒸馏水的三口烧瓶中，回流2小时，冷却，得Na2SeSO<...; 王晶晶钟福新黎燕江瑶瑶莫德清朱义年; 文献传递

球形CdSe纳米晶的制备及其光电性能被引量：1: 2017年; 以Cd(NO_3)_2和Na_2SeSO_3的混合液为反应体系,采用液相法(绝氧环境)制备CdSe纳米晶。探讨了Cd与Se摩尔比、Na_2EDTA用量、反应温度和反应时间等制备条件对样品在模拟太阳光下光电性能的影响。结果表明,当n(Cd)∶n(Se)=6∶1时,加入25 m L0.16 mol/L Na2EDTA、在90℃下反应40 min所得CdSe纳米晶薄膜具有较高的光电压,其值约为0.387 7 V。X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)以及扫描电子显微镜(SEM)表征结果显示,位于25.354°最强衍射峰(111)晶面和60.943°最弱衍射峰(400)晶面处的CdSe纳米晶粒尺寸分别为44.98 nm和17.82 nm;以Cd元素对CdSe进行归一化处理后,样品中Cd和Se元素原子数分数均为12.42%,质量分数分别为34.77%和24.42%;样品CdSe纳米晶体呈球形,分散均匀,直径约为100 nm。; 江瑶瑶王晶晶黎燕钟福新高云鹏朱义年莫德清; 关键词：液相法球形 CDSE纳米晶光电性能

一种Cu2O纳米薄膜的制备方法: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）配制质量百分比浓度为0.3～1%的HF溶液和质量百分比浓度为25～65%的HNO3溶液，两种配好的溶液取相同体积混合均匀，得混...; 江瑶瑶钟福新王晶晶高云鹏莫德清

一种有机液相法可控制备CdSe量子点的方法: 本发明公开了一种有机液相法可控制备CdSe量子点的方法。（1）在氩气保护下，将0.316？g硒粉和3.528g无水亚硫酸钠加入装有100mL二次蒸馏水的三口烧瓶中，回流2小时，冷却，得Na2SeSO...; 王晶晶钟福新黎燕江瑶瑶莫德清朱义年; 文献传递

CdSe量子点尺寸的可控制备: 本文采用液相法制备CdSe量子点。结果表明,在氮气保护下,将0.03 mol·L-1 Cd（NO3）2、0.03mol·L-1 Na2SeSO3溶胶,0.01 mol·L-1乙二胺四乙酸二钠（EDTA二钠）和0.03 m...; 王晶晶韦心信钟福新; 关键词：CDSE 量子点液相法; 文献传递

一种Cu2O纳米薄膜的制备方法: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）配制质量百分比浓度为0.3～1%的HF溶液和质量百分比浓度为25～65%的HNO3溶液，两种配好的溶液取相同体积混合均匀，得混...; 江瑶瑶钟福新王晶晶高云鹏莫德清; 文献传递

棒状纳米Cu_2O薄膜的制备及其光电性能被引量：2: 2016年; 以硫酸铜、乳酸和乙二胺四乙酸二钠（Na2EDTA）为反应体系,采用电化学沉积法制备棒状纳米氧化亚铜（Cu2O）薄膜,探讨了Na2EDTA和十二烷基苯磺酸钠（SDBS）用量、p H值、沉积电压和沉积时间对棒状纳米Cu2O开路电压的影响。结果表明,当沉积液中含有30 m L的0.1 mol/L CuSO4溶液、10 m L的3 mol/L乳酸溶液、3 m L的0.2 mol/L Na2EDTA和4 m L的0.1 mol/L SDBS,其p H值为12.5,沉积电压为1.3 V,电沉积30 min时,所得样品的开路电压可达0.392 V。能谱仪（EDS）分析结果显示,样品Cu2O中Cu和O元素的质量分数分别为56.85%和27.99%,原子数分数分别为26.68%和52.18%,对Cu元素的原子数分数进行归一化处理,O的质量分数和原子数分数分别为7.16%和13.34%。扫描电子显微镜（SEM）结果显示,样品Cu2O为棒状,长度为50200 nm,直径约为10 nm。X射线衍射（XRD）分析结果表明,在2θ为29.632°,36.503°,42.402°,61.520°和73.699°处出现5个衍射峰,分别对应于Cu2O（110）,（111）,（200）,（220）和（311）晶面,为立方晶型。; 王晶晶江瑶瑶黎燕莫德清朱义年钟福新; 关键词：电化学沉积法开路电压

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王晶晶