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一种Cu2O纳米薄膜的制备方法: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）配制质量百分比浓度为0.3～1%的HF溶液和质量百分比浓度为25～65%的HNO3溶液，两种配好的溶液取相同体积混合均匀，得混...; 江瑶瑶钟福新王晶晶高云鹏莫德清

一种Cu2O纳米阵列的制备方法: 本发明公开了一种Cu2O纳米阵列的制备方法。将8.8 mmol/L~0.115 mol/L NH4F溶液、7.54 mol/L~7.99 mol/L甘油水溶液与0.027 mm...; 江瑶瑶钟福新高云鹏黎燕莫德清; 文献传递

一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法: 本发明公开了一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法。将纯Cu片和浓度为0.01~0.10mol/L Cu(NO3)2溶液，于80℃~90℃下反应4~6...; 伍泳斌钟福新高云鹏黎燕莫德清; 文献传递

一种水热法制备Cu2O纳米薄膜的方法: 本发明公开了一种水热法制备Cu2O纳米薄膜的方法。（1）取5.00 mL浓度为0.005~0.2 mol/L H2O2溶液与10.00 mL无水乙醇混合均...; 高云鹏钟福新黎燕江瑶瑶莫德清

一种Ni/Cu2O纳米薄膜的制备方法: 本发明公开了一种Ni/Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）称取NiC4H6O4（控制摩尔比nNi:nC...; 丁红钟福新高云鹏黎燕莫德清; 文献传递

一种CdSe量子点的制备方法: 本发明公开了一种CdSe量子点的制备方法。阴极电解液由0.023~0.211 mol/L CdCl2、0.023~0.211 mol/L H2SeO3、0...; 江瑶瑶钟福新高云鹏黎燕莫德清

一种Cu2O纳米薄膜的制备方法: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）分别取10.00 mL 0.10~0.40 mol/L Cu(Ac)2溶液、0.50 mL 0.027~0.227 mmol/...; 丁红钟福新高云鹏黎燕莫德清; 文献传递

一种Cu2O纳米薄膜的制备方法: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。配制含0.0244~0.1220mol/L CuSO4、0.0006~0.0122mol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、0.0...; 高云鹏钟福新黎燕江瑶瑶莫德清; 文献传递

电沉积法制备CdSe薄膜及其光电性能: 2018年; 采用电沉积法制备了硒化镉（CdSe）薄膜,讨论了Cd（NO3）2和H2SeO3摩尔比（n（Cd∶Se））、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）浓度、沉积电压和时间等条件对CdSe薄膜光电压的影响,并对样品进行X射线衍射（XRD）、能谱分析（EDS）和扫描电子显微镜（SEM）等表征。结果表明,CdSe薄膜制备最优条件是在二甲基甲酰胺（DMF）体系中,以0.005 5 mol/L PVP、0.036 mol/L Cd（NO3）2、0.054 mol/L H2SeO3混合液为电解液,室温下3.0 V直流电压沉积15 min,可得最高0.3680 V光电压的CdSe薄膜。XRD表征显示,在2θ值为25.354°,42.010°,49.699°,67.083°和76.780°处出现了（111）,（220）,（311）,（331）和（422）五个晶面衍射峰,与立方型CdSe标准衍射卡（PDF 19-0191）峰位相吻合。EDS分析表明,样品中Cd和Se质量分数分别为45.60%和51.65%,原子分数分别为36.84%和59.02%。SEM表征显示,样品中的CdSe呈多层链网结构,链直径尺寸为80300 nm。; 高云鹏丁红苏泉黎燕钟福新; 关键词：二甲基甲酰胺电沉积光电性能

一种Ni/Cu2O纳米薄膜的制备方法: 本发明公开了一种Ni/Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）称取NiC4H6O4（控制摩尔比nNi:nC...; 丁红钟福新高云鹏黎燕莫德清; 文献传递

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高云鹏