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张咏梅

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：天津大学电子信息工程学院电子信息工程系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇双极晶体管
  • 2篇晶体管
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅发射极
  • 1篇多晶硅发射极...
  • 1篇硅双极晶体管
  • 1篇发射极
  • 1篇发射极晶体管
  • 1篇FE
  • 1篇高性能
  • 1篇H

机构

  • 2篇天津大学
  • 1篇北京市科学技...

作者

  • 2篇郭维廉
  • 2篇张咏梅
  • 1篇蒋翔六
  • 1篇郑云光
  • 1篇李树荣

传媒

  • 2篇电子学报

年份

  • 1篇1994
  • 1篇1993
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
多晶硅发射极晶体管h_(FE)、G_e、和K的普遍表达式及其分类被引量：2
1993年
本文综合考虑了影响多晶硅发射极晶体管(PET)电流增益的多种因素,针对最全面的器件结构推导出PET的共发射极直流电流增益h_FE发射极Gummel数G_e,和电流增益的增强因子k解析形式的普遍表达式,覆盖了PET的多种结构。并以此对PET从器件结构上进行了科学地分类。此普遍表达式也包含了Ning和Graaff的理论结果。
蒋翔六郭维廉张咏梅
关键词：多晶硅发射极晶体管双极晶体管
一种高性能的低温硅双极晶体管被引量：1
1994年
本文设计并研制出在液氮温度（７７Ｋ）下，ｈＦＥ≈３００；在１０Ｋ下，ｈＦＥ＝２１．７的高性能硅双极晶体管，此值优于文献报导的水平［７］．测量了该器件在７７Ｋ的ＩＣ，ＩＢ－ＶＢＥ特性和ｈＦＥ－１／Ｔ特性，并对这些曲线的解释进行了新的理论探讨。
郭维廉郑云光李树荣张咏梅
关键词：晶体管硅双极晶体管
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共1页<1>
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