郑云光
- 作品数：52 被引量：66H指数：6
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种新型结构的光电负阻器件被引量：2
- 2003年
- 提出了一种新型结构的硅光电负阻器件———光电双耦合区晶体管 (photoelectricdualcoupledareatransistor,PDUCAT) ,它是由一个P+ N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的 .由于两个NPN管到光电二极管的距离不同 ,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异 ,同时两个NPN管电流放大系数相差较大 ,最终导致器件负阻现象的出现 .文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟 ,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论 ,初步建立了器件模型 .
- 李丹李树荣夏克军郭维廉郑云光
- 关键词：光电器件负阻晶体管
- SOI结构P型SiGe沟道混合模式晶体管器件模型研究被引量：1
- 2003年
- 在带有应变SiGe沟道的SOIMOSFET结构中 ,把栅和衬底相连构成了新型的混合模式晶体管 (SiGeSOIBMHMT) .在SIVACO软件的器件数值模拟基础上 ,对这种结构的P型沟道管工作过程作了分析 ,并建立了数学模型 .提出在低电压 (小于 0 7V)下 ,衬底电极的作用可近似等效成栅 ,然后依据电荷增量 (非平衡过剩载流子 )的方法 ,推导出该结构的I V特性方程 .该方程的计算结果与器件模拟结果相一致 .
- 夏克军李树荣王纯郭维廉郑云光陈培毅钱佩信
- 关键词：晶体管SIGESOIMOSFET
- 由OLED和PDUBAT构成的光学双稳态被引量：4
- 2001年
- 对以Al/Alq3/TPD/ITO/玻璃有机 /聚合物发光二极管 (OLED)为负载器件 ,以光电双基区晶体管 (PDUBAT)型硅光电负阻器件为驱动器件而构成的光学双稳态反相器进行了实验研究。测量了输出光强 -输入光强光学双稳态特性曲线 ,并对实验结果进行了分析讨论。
- 郭维廉张世林郑云光李树荣候晶莹高强李丰刘式墉
- 关键词：硅光电负阻器件光学双稳态OLED
- 高性能硅光电探测器设计及温度特性研究被引量：3
- 2007年
- 采用适当的器件工艺和特制2mm厚无附加镀层光学玻璃滤光片,使所研制的绿光Si光电探测器的最大量子效率η达到91%,光响应信噪比(SNR)大于1×104。对该Si光电探测器在零偏下的光电流温度特性进行了测量,并对结果做了较深入的理论分析。
- 闫阳肖夏姚素英郑云光张寅辰
- 关键词：温度特性
- Si-Ge异质结基区混合模式晶体管的提出和模拟
- 2001年
- 在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件—— Si- Ge异质结基区混合模式晶体管。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入势垒的提高 ,使 IB空穴电流减小 ,从而提高了注入效率 ;迁移率增高 ,从而提高特征频率。因而这种器件具有 β高、基区电阻低、基区渡越时间短等优点。通过器件模拟证实了该器件具有输出电流大、低温放大倍数极高、常温放大倍数较高、特征频率高等优点 ,是下一代
- 郭维廉毛陆虹李树荣郑云光王静吴霞宛
- 关键词：混合模式晶体管
- λ<,P>=0.97μm横向PIN结构锗硅光电探测器
- 采用UHV/CVD锗硅薄膜生长工艺在SOI衬底上生长应变SiGe/Si结构后,用CMOS工艺流水线制作横向叉指状PIN光电探测器.测试结果为:在垂直入射光照射下,其响应波长范围为0.5~1.2μm,峰值响应波长为0.97...
- 郭辉郭维廉郑云光郝禄国李树荣吴霞宛
- 关键词：CMOS/SOISIGE/SI光电探测器
- 文献传递
- 高性能视觉半导体光电近代探测器研制
- 张生才李树荣张世林赵毅强姚素英郑云光张为刘激扬阎富兰王涌萍牛秀文田利平崔金标元冰如
- “高性能视觉半导体光电探测器的研制”是为我国第五套人民币防伪验钞机配套专用的特殊器件。项目选择长寿命优质无缺陷的单晶硅材料，优化器件设计，浅结注入（或扩散）技术，光抗反射技术，选用大面积光敏面等，实现了暗电流小，光灵敏度...
- 关键词：
- 关键词：高性能光电探测器高可靠性
- 光电双基区晶体管中的光控电流开关效应被引量：6
- 2000年
- 光电双基区晶体管在光电混合模式工作条件下具有光控“S”型负阻特性及其光控电流开关效应。测量了光照时IBE-VBE特性、Ith(光阈值)-RC特性等曲线。并利用电注入双基区晶体管的“S”型负阻产生机理解释了测得的结果。
- 郭维廉张培宁郑云光李树荣张世林
- 关键词：光电负阻器件光控电流开关光电晶体管
- DPLBT型高频硅光电负阻器件的研制
- 2002年
- 研制出特征频率 fT≥ 2 2 0MHz ,且具有较高光电灵敏度和最大峰值电流的光电负阻器件———达林顿光电λ型双极晶体管 (DPLBT) ,并首先用发光二极管 (LED)和光电负阻器件(DPLBT)封装成一种和常规光电耦合器不同的具有光电流开关、光控电流双稳态和光控正弦波振荡多种功能的新型光电耦合器 (PCDPLBT)。
- 郑云光张世林沙亚男郭维廉李树荣张振宇唐明浩黄杰
- 关键词：光电负阻器件光学双稳态光电耦合器
- 近红外Si_(0.8)Ge_(0.2)/Si横向pin探测器的模拟与测试被引量：1
- 2003年
- 设计了一种新型叉指状近红外 Si0 .8Ge0 .2 / Si pin横向光电探测器。采用半导体器件模拟软件 Atlas分别对该器件平衡条件下物理特性及反向偏压下电场分布、光电特性进行了模拟 ;对实际制作的光电探测器进行了测试 ,结果表明 :其波长响应范围为 0 .4～ 1 .3μm,峰值响应波长在 0 .93μm,响应度达 0 .3 8A/ W,寄生电容小于 2 .0 p F。实验结果和模拟结果符合得很好。其良好的光电性能为应用于近红外光的高速。
- 莫太山张世林郭维廉郭辉郑云光
- 关键词：光电集成电路光电性能近红外光
