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苏少坚: 作品数：17 被引量：11H指数：2; 供职机构：华侨大学信息科学与工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

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硅基锗材料的外延生长及其应用: 硅基Ge材料是一种重要的硅基异质结构材料，它既是硅基高迁移率材料，同时也是重要的硅基光子学器件用材料，在硅基光电集成中具有重要的应用前景。本文将介绍硅基Ge材料的外延生长，讨论它的可能应用，重点介绍它在硅基高效发光器件、...; 成步文王启明薛春来薛海韵胡炜玄汪巍苏少坚张广泽罗丽萍左玉华; 关键词：光电探测器发光器件光调制器

溅射功率对CoFeB薄膜磁与结构特性的影响被引量：1: 2016年; 以不同功率溅射制备了CoFeB合金薄膜样品并在高真空下退火处理。发现低功率生长的薄膜始终具有磁各向同性,而高功率生长的薄膜随着退火温度的升高,由起始的单轴磁各向异性逐渐向磁各向同性转变。X射线衍射分析也印证了CoFeB薄膜随退火温度的升高,薄膜由非晶态逐渐向结晶态转变。当退火温度高于400℃时,低功率生长的CoFeB样品的矫顽力大于高功率生长薄膜的矫顽力。同时发现低功率生长的CoFeB的(110)峰值高于高功率生长的样品峰值,表明低功率生长的薄膜晶粒尺寸更大。; 黄亚徐展邱于珍陈传文庄凤江苏少坚王可; 关键词：溅射功率退火处理磁性能

硅基GeSn合金光电探测器: 采用MBE方法，在Si(001)衬寸底上，以低、高温两步法生长的Ge薄膜为缓冲层，生长出了高质量的GeSn合金，并研究了GeSn合金的热稳定性。成功制作出硅基GeSn合金p-i-n型光电探测器，相关性能指标为目前国际上最...; 薛春来苏少坚汪巍张广泽成步文王启明; 关键词：硅基

硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管: 2010年; 目前，硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破，并且与现有的微电子工艺完全兼容：硅基光波导在光通讯波段可以实现对光场的强限制以及低损耗传输；通过外延高质量的锗薄膜，实现了近红外波段的高速高量子效率的硅基光探测器；调制速率高达30GHz的基于硅基载流子等离子体色散效应的硅调制器也已经有报导。; 胡炜玄成步文薛春来薛海韵苏少坚白安琪罗丽萍俞育德王启明; 关键词：发光二极管硅基电流注入异质结室温

石墨烯等离激元时间晶体中的慢光: 2022年; 为了实现对慢光群速度的控制,构建了石墨烯等离激元时间晶体慢光波导。对波导采用石墨烯等离激元时间晶体来构造用于传输的Zigzag拓扑界面通道,当结构一定时动态调节石墨烯纳米盘的外加偏置电压,即可获得若干不同时刻的色散曲线,并对相应的群速度进行研究。首先,通过对蜂窝状排列的石墨烯纳米盘的不同区域施加随时间周期性变化的偏置电压,来获得石墨烯等离激元时间晶体。当晶体时间平移对称性遭到破坏时,晶体带隙会随着时间周期性出现及消失,进而呈现出能带拓扑效应。接着,构造Zigzag拓扑界面分析不同时刻下存在的拓扑界面态及其慢光模式。然后,根据该色散曲线计算出对应的群速度。最后,通过数值仿真建立慢光波导模型,并在波导光能捕获点检测场增强过程。模拟结果表明:基于石墨烯等离激元时间晶体所设计的波导可以实现很好的慢光传输效果,在波导结构固定时可以动态调节光的群速度。慢光传输下光能捕获点实现了场增强效应。该慢光波导结构简单,可动态调谐,在慢光调制器件和光储存器件中具有广阔的应用前景。; 何真卓立强李志庄凤江苏少坚林志立邱伟彬; 关键词：慢光石墨烯

外延生长Ge_(1-x)Sn_x合金的研究进展: 2010年; Ge1-xSnx是一种新型的Ⅳ族材料,具有广阔的应用前景,但是其生长存在许多困难,尤其是Sn易于分凝。采用离子轰击和快速变温等方法可以有效地抑制Sn的分凝,但是所生长的材料的热稳定性都比较差。采用化学气相沉积法获得了较高质量的Ge1-xSnx合金,但是所用的Sn气体源难以获得。综述了Ge1-xSnx合金外延生长的研究进展。; 苏少坚汪巍胡炜玄张广泽薛春来左玉华成步文王启明; 关键词：合金

Ge(001)衬底上分子束外延生长高质量的Ge_(1-x)Sn_x合金被引量：1: 2013年; Ge1-xSnx是一种新型IV族合金材料,在光子学和微电子学器件研制中具有重要应用前景.本文使用低温分子束外延(MBE)法,在Ge(001)衬底上生长高质量的Ge1-xSnx合金,组分x分别为1.5%,2.4%,2.8%,5.3%和14%,采用高分辨X射线衍射(HR-XRD)、卢瑟福背散射谱(RBS)和透射电子显微镜(TEM)等方法表征Ge1-xSnx合金的材料质量.对于低Sn组分(x5.3%)的样品,Ge1-xSnx合金的晶体质量非常好,RBS的沟道/随机产额比(χmin)只有5.0%,HR-XRD曲线中Ge1-xSnx衍射峰的半高全宽(FWHM)仅100″左右.对于x=14%的样品,Ge1-xSnx合金的晶体质量相对差一些,FWHM=264.6″.; 苏少坚张东亮张广泽薛春来成步文王启明; 关键词：锗分子束外延

分子束外延生长硅基Ge1-xSnx合金薄膜: 使用高质量的Ge薄膜作为缓冲层，在Si(001)衬底上分子束外延生长出了晶体质量很好的、没有发生Sn表面分凝的Gel-xSnx(x=0.025、0.052和0.078)合金薄膜。Sn含量比较低时(～2.5％)，Gel-x...; 苏少坚汪巍胡炜玄张广泽成步文王启明; 关键词：锗硅基

用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构被引量：2: 2009年; 用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄(500—1000 nm)的多孔阳极氧化铝膜,贴合到硅片上进行干法刻蚀,实现图形转移,得到了硅基纳米孔阵列结构,并对工艺中影响图形转移质量的因素进行了探索.扫描电镜(SEM)测试结果表明该途径得到的纳米结构孔形态均匀且大面积有序,孔深度可达到125 nm.对该样品进行热氧化处理后进行光致发光(PL)测试,结果表明其光致发光机理是基于通常较微弱的TO声子辅助的硅带边发光,并实现了显著发光增强,对这种增强效果的物理机理进行了理论分析.该结构具有的独特光学特性为利用这一途径改变硅的弱发光性质,乃至实现硅基高效发光带来曙光.; 白安琪胡迪丁武昌苏少坚胡炜玄薛春来樊中朝成步文俞育德王启明; 关键词：多孔阳极氧化铝模板

GeSn合金的晶格常数对Vegard定律的偏离被引量：2: 2012年; 在Si(001)衬底上,以高质量的弛豫Ge薄膜作为缓冲层,先后生长Sn组分x分别为2.5%,5.2%和7.8%的完全应变的三层Ge_(1-x)Sn_x合金薄膜.在Si(001)衬底上直接生长了x分别为0.005,0.016,0.044,0.070和0.155的五个弛豫Ge_(1-x)Sn_x样品.通过卢瑟福背散射谱、高分辨X射线衍射和X射线倒易空间图等方法测量了Ge_(1-x)Sn_x合金的组分与晶格常数.实验得到的晶格常数相对Vegard定律具有较大的正偏离,弯曲系数b=0.211 A.; 苏少坚成步文薛春来张东亮张广泽王启明; 关键词：晶格常数