胡炜玄
- 作品数:13 被引量:7H指数:2
- 供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>
- 硅基锗材料的外延生长及其应用
- 硅基Ge材料是一种重要的硅基异质结构材料,它既是硅基高迁移率材料,同时也是重要的硅基光子学器件用材料,在硅基光电集成中具有重要的应用前景。本文将介绍硅基Ge材料的外延生长,讨论它的可能应用,重点介绍它在硅基高效发光器件、...
- 成步文王启明薛春来薛海韵胡炜玄汪巍苏少坚张广泽罗丽萍左玉华
- 关键词:光电探测器发光器件光调制器
- 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法
- 本发明提供一种硅衬底上的高锗组分锗硅虚衬底的生长方法,包括以下步骤:步骤1:在一外延生长装置中置入硅衬底;步骤2:在硅衬底上生长锗缓冲层;步骤3:在锗缓冲层上生长锗硅虚衬底,锗的原子组分大于0.5且小于1。
- 胡炜玄成步文薛春来张广泽王启明
- Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜被引量:5
- 2011年
- 使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge0.975Sn0.025合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明,Ge0.975Sn0.025合金薄膜具有很好的晶体质量,并且没有发生Sn表面分凝.另外,Ge0.975Sn0.025合金薄膜在500℃下具有很好的热稳定性,有望在Si基光电器件中得到应用.
- 苏少坚汪巍张广泽胡炜玄白安琪薛春来左玉华成步文王启明
- 关键词:分子束外延
- Ge/SiGe量子阱直接带隙室温电致发光
- 刘智胡炜玄李冲李亚明薛春来李传波左玉华成步文王启明
- 关键词:电致发光
- 硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管
- 2010年
- 目前,硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破,并且与现有的微电子工艺完全兼容:硅基光波导在光通讯波段可以实现对光场的强限制以及低损耗传输;通过外延高质量的锗薄膜,实现了近红外波段的高速高量子效率的硅基光探测器;调制速率高达30GHz的基于硅基载流子等离子体色散效应的硅调制器也已经有报导。
- 胡炜玄成步文薛春来薛海韵苏少坚白安琪罗丽萍俞育德王启明
- 关键词:发光二极管硅基电流注入异质结室温
- 外延生长Ge_(1-x)Sn_x合金的研究进展
- 2010年
- Ge1-xSnx是一种新型的Ⅳ族材料,具有广阔的应用前景,但是其生长存在许多困难,尤其是Sn易于分凝。采用离子轰击和快速变温等方法可以有效地抑制Sn的分凝,但是所生长的材料的热稳定性都比较差。采用化学气相沉积法获得了较高质量的Ge1-xSnx合金,但是所用的Sn气体源难以获得。综述了Ge1-xSnx合金外延生长的研究进展。
- 苏少坚汪巍胡炜玄张广泽薛春来左玉华成步文王启明
- 关键词:合金
- 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器
- 一种亚微米波导型Ge量子阱电光调制器,包括:一SOI衬底,该SOI衬底包括一硅衬底,一制作在硅衬底上的二氧化硅层和制作在二氧化硅层上的硅波导层,该硅波导层的宽度小于二氧化硅层的宽度;一缓冲层,该缓冲层制作在SOI衬底上面...
- 赵红卫胡炜玄成步文王启明
- 文献传递
- 分子束外延生长硅基Ge1-xSnx合金薄膜
- 使用高质量的Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上分子束外延生长出了晶体质量很好的、没有发生Sn表面分凝的Gel-xSnx(x=0.025、0.052和0.078)合金薄膜。Sn含量比较低时(~2.5%),Gel-x...
- 苏少坚汪巍胡炜玄张广泽成步文王启明
- 关键词:锗硅基
- 用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构被引量:2
- 2009年
- 用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄(500—1000 nm)的多孔阳极氧化铝膜,贴合到硅片上进行干法刻蚀,实现图形转移,得到了硅基纳米孔阵列结构,并对工艺中影响图形转移质量的因素进行了探索.扫描电镜(SEM)测试结果表明该途径得到的纳米结构孔形态均匀且大面积有序,孔深度可达到125 nm.对该样品进行热氧化处理后进行光致发光(PL)测试,结果表明其光致发光机理是基于通常较微弱的TO声子辅助的硅带边发光,并实现了显著发光增强,对这种增强效果的物理机理进行了理论分析.该结构具有的独特光学特性为利用这一途径改变硅的弱发光性质,乃至实现硅基高效发光带来曙光.
- 白安琪胡迪丁武昌苏少坚胡炜玄薛春来樊中朝成步文俞育德王启明
- 关键词:多孔阳极氧化铝模板
- 硅同质外延中表面形貌与生长模式的转变
- 硅同质外延在纯硅器件制备以及硅基异质结构材料生长中都有重要应用。发现生长温度对Si外延膜的表面形貌影响很大,因此深入理解其生长机理和表面形成的过程有重要意义。利用超高真空化学气相淀积方法,采用高纯Si2H6为气源,在Si...
- 胡炜玄成步文苏少坚王启明