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张绵

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：北京工业大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 5篇单片
  • 5篇单片集成
  • 4篇功率器件
  • 3篇电阻
  • 3篇探测器
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇金属
  • 3篇光探测
  • 3篇光探测器
  • 2篇单片集成电路
  • 2篇电路
  • 2篇钝化层
  • 2篇异质结
  • 2篇片内集成
  • 2篇微波单片
  • 2篇微波单片集成
  • 2篇微波单片集成...
  • 2篇微波集成
  • 2篇微波集成电路
  • 2篇微波器件

机构

  • 13篇北京工业大学

作者

  • 13篇王青
  • 13篇王智勇
  • 13篇张绵
  • 8篇郑建华
  • 5篇尧舜

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 9篇2015
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种清洗钝化GaAS晶圆表面的方法
一种清洗钝化GaAS晶圆表面的方法，首先将GaAS晶圆用有机溶液处理，除去表面的油污；然后用盐酸溶液浸泡GaAS衬底，除去表面的氧化层；接着采用紫外-臭氧方法对GaAs表面进行钝化；最后将钝化后的GaAS衬底用去离子水冲...
王智勇张绵王青尧舜高鹏坤郑建华
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一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺
一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺，在GaAs基微波器件的制备工艺过程中，加入Pt薄膜热敏电阻制造工艺环节，并使其完全融入现有微波器件工艺，在晶圆上制备出Pt热敏电阻对器件温度进行实时检测...
王智勇张绵尧舜王青高鹏坤郑建华
一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺
一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺，在GaAs基微波器件的制备工艺过程中，加入Pt薄膜热敏电阻制造工艺环节，并使其完全融入现有微波器件工艺，在晶圆上制备出Pt热敏电阻对器件温度进行实时检测...
王智勇张绵尧舜王青高鹏坤郑建华
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一种带表面钝化工艺的GaN、HEMT的制作方法
一种GaN、HEMT功率器件表面钝化方法，其特征在于：该方法包括以下步骤，使用电子束蒸发设备制备Ti/Al/Ni/Au源漏金属形成欧姆接触，使用化学收缩法制备T型栅，在纯氮环境下，进行850℃持续1分钟的热退火处理；使用...
王智勇高鹏坤王青张绵郑建华
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一种芯片级GaAs功率器件、微波单片电路表面温度检测方法
一种芯片级GaAs功率器件、微波单片电路表面温度检测方法，S1利用片内集成的负温度系数的Pt热敏电阻NTC检测管芯温度或结温，将片外可调精密电阻阻值调至NTC参考值，通过检测温度检测点处电压，从而计算出管芯温度；S2通过...
王智勇高鹏坤王青张绵郑建华
GaAs基PHEMT和长波长谐振腔单片集成光探测器
GaAs基PHEMT和长波长谐振腔单片集成光探测器，该结构由GaAs基PHEMT和RCE两部分组成，所述GaAs基PHEMT和RCE被腐蚀截止层InGaP隔开；所述腐蚀截止层InGaP在所述N型高掺杂盖帽层GaAs上分子...
王智勇王青高鹏坤张绵
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一种基于AlGaN/GaN HEMT的生物表面微流道制备方法
一种基于AlGaN/GaN HEMT的生物表面微流道制备方法微流道工艺，该工艺包括以下步骤，使用MOCVD、PECVD等外延生长AlGaN/GaN HEMT的异质结材料结构；制作源漏金属形成欧姆接触；制备微流道；使用PE...
王智勇王青高鹏坤张绵
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一种芯片级GaAs功率器件、微波单片电路表面温度检测方法
一种芯片级GaAs功率器件、微波单片电路表面温度检测方法，S1利用片内集成的负温度系数的Pt热敏电阻NTC检测管芯温度或结温，将片外可调精密电阻阻值调至NTC参考值，通过检测温度检测点处电压，从而计算出管芯温度；S2通过...
王智勇高鹏坤王青张绵郑建华
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一种基于AlGaN/GaN HEMT的生物表面微流道制备方法
一种基于AlGaN/GaN HEMT的生物表面微流道制备方法微流道工艺，该工艺包括以下步骤，使用MOCVD、PECVD等外延生长AlGaN/GaN HEMT的异质结材料结构；制作源漏金属形成欧姆接触；制备微流道；使用PE...
王智勇王青高鹏坤张绵
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一种含自支撑结构的亚百纳米T型栅的制备方法
一种含自支撑结构的亚百纳米T型栅的制备方法，首先在器件外延层上淀积SiN<Sub>x</Sub>薄膜；在SiN<Sub>x</Sub>表面涂覆电子束光刻胶；在形成所述细栅线条的区域，所述SiN<Sub>x</Sub>表面...
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