王青
- 作品数：38 被引量：17H指数：3
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术医药卫生更多>>
- 一种清洗钝化GaAS晶圆表面的方法
- 一种清洗钝化GaAS晶圆表面的方法，首先将GaAS晶圆用有机溶液处理，除去表面的油污；然后用盐酸溶液浸泡GaAS衬底，除去表面的氧化层；接着采用紫外-臭氧方法对GaAs表面进行钝化；最后将钝化后的GaAS衬底用去离子水冲...
- 王智勇张绵王青尧舜高鹏坤郑建华
- 文献传递
- 双区理论指导下的金属元素致癌机理的探讨
- 该文在双区理论的指导下,采用碱洗脱法对致癌金属元素铍、镉和不致癌金属元素镁、锌与DNA碱基的络合作用进行了检测,结果表明:致癌性的铍、镉化合物与DNA碱基之间能形成稳定的络合物,而非致癌性的镁、锌化合物与碱基对的络合未检...
- 王青
- 关键词：铍镉致癌机理双区理论
- 热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜
- 我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变...
- 吴越颖胡跃辉阴生毅荣延栋王青高卓李瀛宋雪梅陈光华
- 关键词：A-SI:H薄膜热丝光敏性
- 文献传递
- 一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺
- 一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺，在GaAs基微波器件的制备工艺过程中，加入Pt薄膜热敏电阻制造工艺环节，并使其完全融入现有微波器件工艺，在晶圆上制备出Pt热敏电阻对器件温度进行实时检测...
- 王智勇张绵尧舜王青高鹏坤郑建华
- 热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜
- 2004年
- 我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105.找到最佳辅助热丝温度为1450℃.通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6～1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比.
- 吴越颖胡跃辉阴生毅荣延栋王青高卓李瀛宋雪梅陈光华
- 关键词：A-SI:H薄膜热丝光敏性
- a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
- 采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σ<,p>/σ<,d>)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅...
- 王青阴生毅胡跃辉朱秀红荣延栋周怀恩陈光华
- 关键词：氢化非晶硅氢含量光敏性
- 文献传递
- a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
- 2004年
- 采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.
- 王青阴生毅胡跃辉朱秀红荣延栋周怀恩陈光华
- 关键词：氢化非晶硅氢含量光敏性
- 一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺
- 一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺，在GaAs基微波器件的制备工艺过程中，加入Pt薄膜热敏电阻制造工艺环节，并使其完全融入现有微波器件工艺，在晶圆上制备出Pt热敏电阻对器件温度进行实时检测...
- 王智勇张绵尧舜王青高鹏坤郑建华
- 文献传递
- 一种带表面钝化工艺的GaN、HEMT的制作方法
- 一种GaN、HEMT功率器件表面钝化方法，其特征在于：该方法包括以下步骤，使用电子束蒸发设备制备Ti/Al/Ni/Au源漏金属形成欧姆接触，使用化学收缩法制备T型栅，在纯氮环境下，进行850℃持续1分钟的热退火处理；使用...
- 王智勇高鹏坤王青张绵郑建华
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- 一种长波长GaAs基MSM和PHEMT单片集成光探测器
- 本发明公开了一种长波长GaAs基MSM和PHEMT单片集成光探测器，该结构由GaAs基PHEMT和MSM两部分组成，所述GaAs基PHEMT和所述MSM被腐蚀截止层隔开；本发明将GaAs基PHEMT和长波长MSM集成在同...
- 王智勇郑建华高鹏坤王青
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