卢文娟
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：安徽大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 改善Si_3N_4俘获层过擦现象的第一性原理研究
- 2015年
- 采用第一性原理方法对如何改善电荷俘获存储器的过擦现象进行了研究.过擦是由于氮空位中Si原子对电荷的局域能力弱导致,因此,在Si3N4超胞中分别建立了以C,N,O替换氮空位中的Si原子的缺陷结构作为本文的研究模型.分别计算了擦写之后体系的巴德电荷分布、相互作用能、态密度,借以分析替位原子对过擦的影响.巴德电荷分布的计算结果表明,Si3N4在O替位128号Si后的过擦现象被明显改善;C替位128号Si也可以改善过擦,但由于C替位对电荷的局域作用变弱,不利于电荷的存储实现;N替位128号Si则不能改善过擦;而在162和196号Si位置,三种原子的替换均无法改善过擦现象.相互作用能的研究表明,在128号Si位置,三种原子都能够和氮空位形成团簇,在体系中稳定存在.特别地,O替位Si后,体系中两缺陷的相互吸引作用最弱,从而写入的电荷能够短暂的打破O团簇的稳定性,实现电荷重构,将电荷局域在O团簇周围.此外,态密度的分析结果表明O在128号Si位置能够在Si3N4禁带中引入深能级缺陷,深能级局域电荷的能力强.以上分析证明,O替位可以很好的改善Si3N4中的过擦现象.本文的研究结果为电荷俘获存储器改善过擦提供了一种方法,对提高器件的电荷保持特性和优化存储窗口具有指导意义.
- 代月花金波汪家余陈真李宁蒋先伟卢文娟李晓风
- 关键词：第一性原理N4SI3N4
- 基于静态随机存取存储器的存内计算研究进展被引量：1
- 2022年
- 随着“算力时代”到来,大规模数据需要在存储器和处理器之间往返,然而传统冯·诺依曼架构中计算与存储分离,无法满足频繁访问的需求。存内计算(CIM)技术的诞生突破了冯·诺依曼瓶颈,打破了传统计算架构中的“存储墙”,因此对于“算力时代”具有革命性意义。由于静态随机存取存储器(SRAM)读取数据的速度快且与先进逻辑工艺具有较好的兼容性,因此基于SRAM的存内计算技术受到国内外学者的关注。该文主要概述了基于SRAM的存内计算技术在机器学习、编码、加解密算法等方面的应用;回顾了实现运算功能的各种电路结构,比较了各类以模数转换器(ADC)为核心的量化技术;之后分析了现有存内计算架构面临的挑战并且给出了现有的解决策略,最后从不同方面展望存内计算技术。
- 蔺智挺徐田童忠瑱吴秀龙汪方铭彭春雨卢文娟赵强陈军宁
- 关键词：静态随机存取存储器人工智能卷积神经网络模数转换器
- 金属掺杂改善HfO_(2)阻变存储器(RRAM)氧空位导电细丝性能被引量：2
- 2021年
- 本研究采用金属掺杂的方式调控氧空位导电细丝的电子结构以获得更好的器件性能。计算了HfO_(2)体系中四组氧空位的形成能,得到V_(O4)-V_(O23)-V_(O34)-V_(O46)最易形成的氧空位簇;分波电荷态密度进一步表明在[010]晶向上电荷聚集形成导电通道。另外,研究了Ag、Mg、Ni、Cu、Al、Ta、Ti掺杂对该缺陷体系电子结构的影响,显示Ni与其它金属相比,在共缺陷体系中最易形成,体系最稳定;V_(O)-Ni共缺陷体系中导电细丝最均匀,最高等势面值最大,证明导电细丝最易形成;V_(O)-Ni之间相互作用能为-2.335eV,表明缺陷相互吸引;金属Ni具有很强的局域电子能力。
- 王菲菲代月花卢文娟鲁世斌汪海波万丽娟蒋先伟
- 关键词：氧空位掺杂第一性原理
- SRAM单元SEUR脉冲宽度缩减的工艺优化方法研究
- 2020年
- 集成电路中电荷共享效应引起的多节点电荷收集在当前成为集成电路发生软错误的主要原因,然而在存储单元如SRAM中可以通过晶体管布局利用电荷共享效应将SRAM单元发生的单粒子翻转效应进行恢复。本文基于三维器件物理仿真软件对65 nm体硅CMOS工艺SRAM单元进行混合仿真,通过调节工艺参数和晶体管布局的方法研究了SRAM单元单粒子翻转恢复(SEUR)效应的特性。研究结果表明,将PMOS晶体管布局在靠近P阱/N阱边界处的位置和增加N阱深度可以减少N阱中空穴的排出量,进而提升N阱电势,抑制了器件内部的寄生双极效应,最终缩减了SRAM单元的SEUR脉冲宽度,降低了SRAM单元发生单粒子翻转的概率。该研究结果对集成电路存储单元抗辐射加固具有一定的指导意义。
- 张景波赵强卢文娟吴秀龙
- 关键词：单粒子翻转抗辐射加固版图
