蒋先伟
- 作品数：33 被引量：60H指数：4
- 供职机构：合肥师范学院更多>>
- 发文基金：安徽省高校省级自然科学研究项目国家自然科学基金安徽省高等学校优秀青年人才基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学理学更多>>
- 改善Si_3N_4俘获层过擦现象的第一性原理研究
- 2015年
- 采用第一性原理方法对如何改善电荷俘获存储器的过擦现象进行了研究.过擦是由于氮空位中Si原子对电荷的局域能力弱导致,因此,在Si3N4超胞中分别建立了以C,N,O替换氮空位中的Si原子的缺陷结构作为本文的研究模型.分别计算了擦写之后体系的巴德电荷分布、相互作用能、态密度,借以分析替位原子对过擦的影响.巴德电荷分布的计算结果表明,Si3N4在O替位128号Si后的过擦现象被明显改善;C替位128号Si也可以改善过擦,但由于C替位对电荷的局域作用变弱,不利于电荷的存储实现;N替位128号Si则不能改善过擦;而在162和196号Si位置,三种原子的替换均无法改善过擦现象.相互作用能的研究表明,在128号Si位置,三种原子都能够和氮空位形成团簇,在体系中稳定存在.特别地,O替位Si后,体系中两缺陷的相互吸引作用最弱,从而写入的电荷能够短暂的打破O团簇的稳定性,实现电荷重构,将电荷局域在O团簇周围.此外,态密度的分析结果表明O在128号Si位置能够在Si3N4禁带中引入深能级缺陷,深能级局域电荷的能力强.以上分析证明,O替位可以很好的改善Si3N4中的过擦现象.本文的研究结果为电荷俘获存储器改善过擦提供了一种方法,对提高器件的电荷保持特性和优化存储窗口具有指导意义.
- 代月花金波汪家余陈真李宁蒋先伟卢文娟李晓风
- 关键词：第一性原理N4SI3N4
- Matlab在星座图教学中的应用研究被引量：1
- 2013年
- 星座图是《通信原理》课程中的一个重点和难点,对于进一步深入掌握数字调制有着非常重要的作用。本文阐述了各种数字调制星座图的基本原理,并借助于Matlab仿真软件,对多种数字调制的星座图进行仿真。最后以QPSK调制为例,对不同信噪比之下的星座图进行了观察,验证了星座图在判断通信系统的误码率性能方面的直观作用。
- 周元元程莹蒋先伟朱徐来
- 关键词：通信原理星座图教学MATLAB
- Al掺杂与HfO_2本征缺陷互作用的研究被引量：1
- 2016年
- 文章采用MS和VASP软件研究了HfO2作为电荷俘获存储器(charge trapping memory,CTM)俘获层时,在其中掺入Al杂质对本征缺陷的影响,计算了4种缺陷下氧空位的形成能大小、电荷俘获能及态密度。结果表明:掺入Al可以有效降低氧空位形成能,缺陷更易形成;Al+Vo3体系对空穴的数据保持能力相对较强,而Al+Vo4体系对电子的数据保持特性相对较好。
- 蒋先伟陈军宁金波王菲菲鲁世斌
- 关键词：第一性原理AL掺杂氧空位
- 基于Multisim的负反馈电路性能分析被引量：3
- 2017年
- 负反馈是模拟电子课程中的重要概念,内容抽象繁杂,与基本放大电路关系密切,经常造成学生理解混乱。本文以电压串联负反馈电路为例,利用Multisim软件仿真功能,直观的计算负反馈电路的各性能指标和输入输出波形,将较为抽象的理论知识具体化,结果表明,加强了学生对负反馈作用的理解,教学效果明显提高。
- 汪海波蒋先伟王菲菲杨金鲁世斌
- 关键词：晶体管负反馈MULTISIM
- 阻变存储器复合材料界面及电极性质研究被引量：1
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理对比研究了Cu(111)/HfO2(001),Cu(111)/HfO2(010),Cu(111)/HfO2(100)三种复合材料界面模型的失配率、界面束缚能、电荷密度、电子局域函数以及差分电荷密度.计算结果表明:Cu(111)/HfO2(010)失配率最小,界面束缚能最大,界面体系相对最稳定;对比电荷密度及电子局域函数图显示,只有HfO2(010)方向形成的复合材料体系出现了垂直Cu电极方向完整连通的电子通道,表明电子在此方向上具有局域性、连通性,与阻变存储器(RRAM)器件导通方向一致;差分电荷密度图显示,Cu(111)/HfO2(010)复合材料体系界面处存在电荷密度分布重叠的现象,界面处有电子的相互转移、成键的存在;进一步计算了Cu(111)/HfO2(010)体系距离界面不同位置的间隙Cu原子形成能,表明越靠近界面Cu原子越容易进入HfO2体内,在外加电压下易发生电化学反应,从而导致Cu导电细丝的形成与断裂.研究结果可为RRAM存储器的制备及性能的提高提供理论指导和设计工具.
- 杨金周茂秀徐太龙代月花汪家余罗京许会芳蒋先伟陈军宁
- 关键词：复合材料
- 密度泛函理论研究氧空位对HfO2晶格结构和电学特性影响被引量：3
- 2015年
- HfO2因高k值、热稳定性良好和相对Si导带偏移良好等特点,作为电荷俘获型存储器栅介质材料得到了广泛研究.为了明确高k俘获层提高CTM电荷俘获效率的原因,运用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了氧空位引起HfO2的晶格变化及其影响计算结果显示优化后氧空位最近邻氧原子间距明显减小,次近邻O与Hf间距变化稍小.优化后氧空位明显改变局部晶格,而对较远晶格影响逐渐减弱,即引起了局部晶格变化深能级和导带电子态密度主要是Hf原子贡献,而价带则是O原子贡献.优化后各元素局部电子态密度和总电子态密度都明显大于未优化体系,局部电子态密度之和比总电子态密度小.优化后俘获电荷主要在氧空位周围和相邻氧原子上,而未优化时电荷遍布整个体系.优化后缺陷体系电荷局域能增大,电荷量增加时未优化体系电荷局域能明显减小,即晶格变化无饱和特性对电荷局域影响大.说明晶格变化对电荷的俘获能力较强,有利于改善存储器特性.
- 代广珍蒋先伟徐太龙刘琦陈军宁代月花
- 关键词：密度泛函理论第一性原理氧空位
- 负反馈放大电路方框图分析的仿真与讨论被引量：1
- 2007年
- 采用方框图分析法,以引入电压并联负反馈的直接耦合差分——共射放大电路为例,讨论了反馈网络的变化对基本放大器和反馈放大器的影响.仿真分析表明:反馈电阻减小,反馈系数和环路放大倍数提高,对放大电路工作性能的影响增大,验证了负反馈放大电路中的一些基本结论,说明了仿真分析在负反馈放大电路方框图法中的应用.
- 杨一军蒋先伟贾峰梅
- 关键词：负反馈方框图仿真
- 金属掺杂改善HfO_(2)阻变存储器(RRAM)氧空位导电细丝性能被引量：2
- 2021年
- 本研究采用金属掺杂的方式调控氧空位导电细丝的电子结构以获得更好的器件性能。计算了HfO_(2)体系中四组氧空位的形成能,得到V_(O4)-V_(O23)-V_(O34)-V_(O46)最易形成的氧空位簇;分波电荷态密度进一步表明在[010]晶向上电荷聚集形成导电通道。另外,研究了Ag、Mg、Ni、Cu、Al、Ta、Ti掺杂对该缺陷体系电子结构的影响,显示Ni与其它金属相比,在共缺陷体系中最易形成,体系最稳定;V_(O)-Ni共缺陷体系中导电细丝最均匀,最高等势面值最大,证明导电细丝最易形成;V_(O)-Ni之间相互作用能为-2.335eV,表明缺陷相互吸引;金属Ni具有很强的局域电子能力。
- 王菲菲代月花卢文娟鲁世斌汪海波万丽娟蒋先伟
- 关键词：氧空位掺杂第一性原理
- 电荷俘获存储器数据保持特性第一性原理研究被引量：1
- 2015年
- 本文研究HfO2掺入Al替位Hf杂质和氧空位共同掺杂对电荷俘获型存储器存储特性的影响.HfO2作为高介电常数材料由于具有缩小器件尺寸、提高器件性能等优势,被广泛用于CTM的俘获层.采用MS和VASP研究了HfO2俘获层中掺入Al对氧空位形成能的影响.同时计算了两种缺陷在不同距离下的相互作用能.计算结果表明在HfO2中掺入Al使得氧空位的形成能降低,并且三配位氧空位的形成能比四配位氧空位的形成能降低的更多.通过研究Al和三配位氧空位两种缺陷间不同距离的三种情况,计算结果表明当缺陷间距为2.107?时,体系的电荷俘获能最大;量子态数最多;布居数最小、Al—O键最长.通过研究三种体系写入空穴后键长的变化,得出当缺陷间距为2.107?时,写入空穴后体系的Al—O键长变化最小.以上研究结果表明,掺入Al后可以有效提高电荷俘获型存储器的数据保持能力.因而本文的研究为改善电荷俘获型存储器数据保持特性提供一定的理论指导.
- 蒋先伟鲁世斌代广珍汪家余金波陈军宁
- 关键词：第一性原理氧空位HFO2
- 一种可变增益放大器的设计
- 介绍了可变增益放大器的几种电路,采用Chartered0.35μm标准CMOS工艺,设计了适用于DVB-C标准的高频调谐器中的可变增益放大器,运用Mentor公司的Eldo工具对电路进行了仿真,仿真结果达到低功耗、低噪声...
- 蒋先伟吴秀龙徐超陈军宁周杰
- 关键词：高频调谐器CMOS
- 文献传递
