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来萍

作品数:44 被引量:41H指数:4
供职机构:信息产业部电子第五研究所更多>>
发文基金:电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金国家重点实验室开放基金国家部委资助项目更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 15篇专利
  • 11篇会议论文

领域

  • 29篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇元器件
  • 7篇电路
  • 5篇静电放电
  • 5篇可靠性
  • 5篇封装
  • 4篇氮化镓
  • 4篇电子元
  • 4篇电子元器件
  • 4篇塑封
  • 4篇塑封微电路
  • 4篇结温
  • 4篇晶体管
  • 3篇电子设备
  • 3篇有限元
  • 3篇增益
  • 3篇振荡器
  • 3篇失效模式
  • 3篇热分析
  • 3篇微波功率晶体...
  • 3篇微波振荡器

机构

  • 38篇信息产业部电...
  • 5篇华南理工大学
  • 5篇电子元器件可...
  • 3篇广东工业大学
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇信息产业部
  • 1篇成都亚光电子...

作者

  • 43篇来萍
  • 10篇恩云飞
  • 10篇何小琦
  • 9篇黄云
  • 6篇郑廷圭
  • 5篇李萍
  • 4篇宋芳芳
  • 4篇李斌
  • 4篇梁晓思
  • 4篇冯敬东
  • 4篇陈媛
  • 3篇廖超
  • 3篇牛付林
  • 3篇邝贤军
  • 3篇陈辉
  • 3篇肖庆中
  • 2篇潘金辉
  • 2篇杨少华
  • 2篇谢国雄
  • 2篇李少平

传媒

  • 14篇电子产品可靠...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇中国电子学会...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇2005第十...
  • 1篇第六届电子产...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 7篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 5篇2009
  • 6篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2002
  • 1篇2000
  • 1篇1999
44 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硅脉冲双极型微波功率管参数退化探索被引量:1
2009年
首先提出了硅脉冲双极型微波功率晶体等在应用中会出现功率增益、饱和压降以及EB结反向击穿电压参数的退化现象,并对此进行了研究探索。测试了良品和失效品EB结的正向特性和C-V特性,通过比较分析两者的区别,从理论推导并得出了退化的一大原因是由于基区浓度值的减小以及浓度梯度降低的结论。分析表明,导致基区浓度发生变化的原因是器件长期工作在高温下而发生了杂质再扩散。
潘金辉来萍李斌廖超
关键词:微波功率晶体管功率增益饱和压降击穿电压
双极型微波功率晶体管热失效原因分析
本文阐述了双极型微波功率晶体管的主要失效模式及失效机理,重点分析了热应力导致的失效,介绍了两个典型的失效分析案例,并提出对功率管进行优选的措施。
李萍来萍郑廷圭
关键词:二次击穿
文献传递
微波器件失效分析结果统计与分析
本文对56例微波器件失效分析结果进行了统计和分析,得到了微波器件在使用中失效的主要原因、分类及其分布,为微波器件的生产方和使用方提供了有价值的统计数据及分析结果.
来萍李萍张晓明郑廷珪李少平徐爱斌施明哲牛付林何小琦
关键词:微波器件统计分析可靠性
文献传递
梳状谐波发生器的失效原因分析
2004年
介绍了对一进口梳状谐波发生器功能失效样品进行分析的案例。分析结果表明,失效原因是导电胶粘接导致的键合失效,这也是目前国内微波模块中最常见的失效原因之一。通过对失效部位的修补,恢复了失效样品的功能,从而也验证了失效定位和原因分析的准确性。
来萍李萍郑廷圭
关键词:谐波发生器键合粘接
氮化镓基高电子迁移率晶体管的栅电极
本发明涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管的栅电极,包括依次连接的氮化镓层、势垒层、势垒金属层、栅帽金属层,以及设于所述势垒金属层和所述栅帽金属层之间的应力缓冲层;所述应力缓冲层包括缓冲金属层,所述缓冲金属层的热膨胀系数与...
曾畅黄云王远声廖雪阳李汝冠来萍苏伟陈义强恩云飞
文献传递
微波放大器自激振荡的分析定位
2002年
介绍了对一种进口微波放大器在静态条件下产生自激振荡的原因进行分析的案例。在保证不破坏原有现象和尽量保证样品完整性的前提下,采用各种技术手段,成功地进行了分析定位。确定导致样品自激振荡的直接原因是:第3级放大管反馈回路中的电容特性退化。
来萍郑廷圭
关键词:微波放大器自激振荡可靠性
微波振荡器可靠性试验参数监测系统及其监测方法
一种微波振荡器可靠性试验参数监测系统及其监测方法,控制装置控制供电装置为若干个微波振荡器提供工作电压;控制开关阵列装置分别接入各微波振荡器输出的微波信号至数据采集装置。数据采集装置对各微波振荡器输出的微波信号进行数据采集...
尧彬陈辉肖庆中来萍陈安定马建军
文献传递
GaAs MMIC的热生成机制的建模与仿真方法
2013年
以GaAs基异质结双极性晶体管(HBT)单片微波集成电路(MMIC)为例,研究了器件内部的热生成机制,包括:确定器件内部的热生成机制及热生成区的位置,讨论器件内部热传导和热耗散的形式,建立器件的详细3 D实体模型。利用有限元软件ANSYS WorkBench,对已确定的热生成区进行热功耗加载,以便更加精确地模拟器件的峰值结温。
赵磊何小琦来萍周斌恩云飞
关键词:峰值结温有限元仿真单片微波集成电路
双极型微波功率晶体管热失效原因分析
本文阐述了双极型微波功率晶体管的主要失效模式及失效机理,重点分析了热应力导致的失效,介绍了两个典型的失效分析案例,并提出对功率管进行优选的措施.
李萍来萍郑廷圭
关键词:微波晶体管热应力
文献传递
GaAs器件寿命试验结温测试方法研究
2012年
在GaAs器件寿命试验中,器件的性能参数退化与结温密切相关。对于如何确定结温问题进行了研究,介绍了热阻的定义以及目前热阻测试中常用的方法。针对GaAs器件长期使用中出现的参数漂移、输出功率下降等问题,试验设计了4种相关的单机理评价结构,并使用电参数测试法确定出GaAs加速寿命试验中最合适的环境温度。
洪潇芦忠来萍
关键词:砷化镓器件热阻测试结温
共5页<12345>
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