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王占利

作品数：2 被引量：6H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇晶体管
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇功率
  • 1篇功率器件
  • 1篇高频
  • 1篇高频大功率
  • 1篇VDMOS
  • 1篇VDMOSF...
  • 1篇VDMOS场...
  • 1篇大功率
  • 1篇高功率

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇郎秀兰
  • 2篇王占利
  • 1篇刘英坤
  • 1篇杨增敏
  • 1篇刘英坤

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇1998
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
400MHz 250W VDMOS功率场效应晶体管被引量：4
1998年
研制出了在４００ＭＨｚ下连续波输出２５０Ｗ，功率增益１０ｄＢ的垂直双扩散场效应晶体管（ＶＤ－ＭＯＳＦＥＴ）．采用Ｍｏ栅降低串联电阻，４００ＭＨｚ下用共源推挽结构成功地进行了并联工作，在Ｖｄｓ＝５０Ｖ下实现了连续波输出２５０Ｗ，增益１０ｄＢ，漏极效率６０％．
刘英坤杨增敏郎秀兰王占利何玉樟吕仲志李勇周晓黎
关键词：功率器件场效应晶体管VDMOS
高频大功率VDMOS场效应晶体管被引量：3
2001年
采用Ｍｏ栅工艺技术和ｎ沟道增强型ＶＤＭＯＳ结构，研制出了在９５－１０５ＭＨｚ，脉宽Ｐｗ＝５０ｕｓ，占空．比ＤＦ＝５％的条件下，输出功率Ｐｏ≥６００Ｗ，共源结构输出功率达６００ Ｗ的高性能ＶＤＭＯＳＦＥＴ。
郎秀兰刘英坤王占利
关键词：场效应晶体管高频高功率VDMOSFET
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