您的位置： 专家智库 > >

杨增敏

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇晶体管
  • 1篇功率器件
  • 1篇VDMOS
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇刘英坤
  • 1篇杨增敏
  • 1篇郎秀兰
  • 1篇王占利

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1998
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
400MHz 250W VDMOS功率场效应晶体管被引量：4
1998年
研制出了在４００ＭＨｚ下连续波输出２５０Ｗ，功率增益１０ｄＢ的垂直双扩散场效应晶体管（ＶＤ－ＭＯＳＦＥＴ）．采用Ｍｏ栅降低串联电阻，４００ＭＨｚ下用共源推挽结构成功地进行了并联工作，在Ｖｄｓ＝５０Ｖ下实现了连续波输出２５０Ｗ，增益１０ｄＢ，漏极效率６０％．
刘英坤杨增敏郎秀兰王占利何玉樟吕仲志李勇周晓黎
关键词：功率器件场效应晶体管VDMOS
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0