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张硕

作品数：12 被引量：12H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 3篇电流扩展
  • 3篇金属薄膜
  • 3篇衬底
  • 2篇电晶体
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结界面
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇热应力
  • 2篇外延层
  • 2篇外延层生长
  • 2篇金属
  • 2篇晶体管
  • 2篇光电
  • 2篇光电集成
  • 2篇光电晶体管
  • 2篇光敏
  • 2篇光敏特性

机构

  • 12篇中国科学院

作者

  • 12篇张硕
  • 11篇李晋闽
  • 11篇王军喜
  • 7篇伊晓燕
  • 6篇段瑞飞
  • 6篇刘志强
  • 4篇梁萌
  • 2篇曾一平
  • 2篇路红喜
  • 2篇赵丽霞
  • 2篇魏同波
  • 1篇冉军学
  • 1篇何志
  • 1篇刘立莉
  • 1篇杨华
  • 1篇张勇辉
  • 1篇袁国栋

传媒

  • 2篇半导体技术

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法
本发明公开了一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法：通过在衬底表面沉积一层低熔点金属，利用其在高温下的熔融性质来消除衬底层和外延层由于热膨胀系数不同而形成的热应力；为了成功进行异质外延，还需要在金属表面覆盖掩膜层，...
安平博张硕赵丽霞段瑞飞路红喜王军喜李晋闽
文献传递
一种氮化物外延装置及方法
本发明公开了一种的氮化物外延装置，包括真空腔室、溅射腔室和至少一个外延生长腔室；所述溅射腔室和至少一个外延生长腔室位于所述真空腔室内，所述溅射腔室用于在衬底上生长缓冲层，所述至少一个外延生长腔室用于在生长了缓冲层的衬底上...
张硕段瑞飞曾一平王军喜李晋闽
文献传递
GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线
本发明公开了一种GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线，其中，该制备方法包括：在衬底上制备二维材料层，得到复合生长模板；在复合生长模板的二维材料层上制备金属薄膜层；将带有金属薄膜层的复合生长模板设置于生长设备中，生长GaN...
刘志强闫岩张硕伊晓燕王军喜李晋闽
石墨烯作为插入层的GaN/AlGaN异质结构及其制备方法
一种石墨烯作为插入层的GaN/AlGaN异质结构及其制备方法，该GaN/AlGaN异质结构包括：衬底，氮化镓层设置在衬底上，石墨烯插入层，设置在氮化镓层上；势垒层，设置在石墨烯插入层上；帽层，设置在势垒层上。本发明为Ga...
刘志强冯涛梁萌伊晓燕张硕王军喜李晋闽
一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法
本发明公开了一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法：通过在衬底表面沉积一层低熔点金属，利用其在高温下的熔融性质来消除衬底层和外延层由于热膨胀系数不同而形成的热应力；为了成功进行异质外延，还需要在金属表面覆盖掩膜层，...
安平博张硕赵丽霞段瑞飞路红喜王军喜李晋闽
半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法
本发明公开了一种透明电极及其制作方法，在正装LED结构中使用透明的金属网状电极代替传统的退火ITO透明电极层形成欧姆接触。本发明使用自组装方法铺设周期性结构作为掩膜铺设金属电极，通过金属网格的孔洞实现电极的透明功能。并能...
张硕段瑞飞何志魏同波张勇辉伊晓燕王军喜李晋闽
文献传递
GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线
本发明公开了一种GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线，其中，该制备方法包括：在衬底上制备二维材料层，得到复合生长模板；在复合生长模板的二维材料层上制备金属薄膜层；将带有金属薄膜层的复合生长模板设置于生长设备中，生长GaN...
刘志强闫岩张硕伊晓燕王军喜李晋闽
白光LED的光生物安全性被引量：9
2016年
随着蓝光激发荧光粉转换白光LED在照明领域的商业化应用不断扩展,其光生物安全问题逐渐成为了照明领域专家和公众间的热点话题。综述了可见光中的蓝光波段对人体视网膜与昼夜节律可能产生的危害影响及其作用机理,对比分析了LED与传统照明灯具的功率分布光谱和蓝光危害评估。色温可以作为一个对光源蓝光危害和对褪黑素分泌水平的影响进行有效评估的参数,对不同类型白光光源的对比分析结果表明,在相同的色温与照度下,白光LED对人体并不产生更加严重的蓝光危害。最后简要介绍了目前照明行业所采用光源生物安全性认证标准,市面上符合评级标准要求的照明白光LED不会对人体造成蓝光危害。
张硕刘立莉杨华段瑞飞
关键词：白光LED
使用溅射AlN成核层实现大规模生产深紫外LED被引量：3
2017年
高质量AlN薄膜对制造高性能深紫外器件非常重要,但是目前还很难使用大型工业MOCVD生长出高质量的AlN薄膜。采用磁控溅射制备了不同厚度的用作成核层的AlN薄膜,使用大型工业MOCVD直接在成核层上高温生长AlN外延层,研究了不同成核层对AlN外延层质量的影响。通过扫描电子显微镜和原子力显微镜对成核层AlN薄膜的表面形貌进行表征;使用高分辨X射线衍射仪对AlN外延层晶体质量进行表征,结果表明:在溅射成核层上生长的AlN外延层的晶体质量有显著提高。使用大型工业MOCVD在蓝宝石衬底上成功制备出中心波长为282 nm的可商用深紫外LED,在注入电流为20 m A时,单颗深紫外LED芯片的光输出功率达到了1.65 m W,对应的外量子效率为1.87%,饱和光输出功率达到4.31 mW。
杜泽杰段瑞飞魏同波张硕王军喜曾一平冉军学李晋闽
基于绝缘衬底的纳米柱LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种基于绝缘衬底的纳米柱LED芯片及其制备方法，该芯片包括：绝缘衬底；石墨烯层，生长于绝缘衬底上；纳米柱LED，间隔生长在所述石墨烯层上，所述纳米柱LED自衬底至上包括：n‑GaN层、多量子阱发光层和p‑Ga...
刘志强任芳张硕尹越王蕴玉梁萌伊晓燕袁国栋王军喜李晋闽
文献传递
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