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段瑞飞: 作品数：60 被引量：30H指数：3; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学金属学及工艺文化科学更多>>

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自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究: 2010年; 采用镀Ti插入层在氢化物外延设备中制备了高质量自支撑GaN厚膜。X射线衍射测试发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽为260arcsec;5K下样品带边发光峰的半高宽为3meV,室温下样品的带边发光峰也只有20meV,并且在室温的PL谱中观察不到黄光带;扫描电子显微镜观察显示,腐蚀后的自支撑GaN厚膜表面有位错延伸形成的六角坑,并估算出样品位错密度约为2.1×l07cm-2。这些结果说明镀Ti插入层有助于提高GaN外延层的晶体质量。通过Raman和低温荧光分析,可以看出自支撑GaN厚膜表面应力已经完全释放。研究了不同温度下样品的荧光特性,证明得到的无应力自支撑GaN厚膜具有很好的晶体质量和光学质量。; 胡强魏同波段瑞飞羊建坤霍自强卢铁城曾一平; 关键词：性能研究晶体质量显微镜观察表面应力摇摆曲线位错密度

一种化学气相沉积装置: 本发明公开了一种化学气相沉积装置，该装置包括多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于一箱体之内，使用机械臂进行样品的传递，分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长，以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利...; 段瑞飞曾一平王军喜冉军学胡国新羊建坤梁勇路红喜李晋闽; 文献传递

制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置: 一种制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置，包括：一竖直式石英外延生长室，该竖直式石英外延生长室为筒状；一生长室加热装置，该生长室加热装置为环形，套置安装在竖直式石英外延生长室的外围；一上盖板，该上盖板固定在竖直式石英外...; 刘喆王军喜钟兴儒李晋闽曾一平段瑞飞马平魏同波林郭强; 文献传递

减少激光剥离损伤的方法: 一种减少激光剥离损伤的方法，包括如下步骤：步骤1：将外延片置于一底板上；步骤2：将底板加热，该底板加热，是电阻加热、射频加热或外部光源加热，该底板加热的温度范围在100-600℃；步骤3：利用激光剥离设备的激光扫描，对外...; 段瑞飞王良臣刘志强季安王国宏曾一平李晋闽; 文献传递

提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件: 一种提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件，依次包括衬底、缓冲层、n型AluGa1-uN接触层、发光有源区、AlxGa1-xN最后一个...; 姬小利闫建昌郭金霞张连杨富华段瑞飞王军喜曾一平王国宏李晋闽; 文献传递

HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征被引量：4: 2008年; 使用气相沉积SiO2和普通光刻以及湿法腐蚀方法,在c面蓝宝石上开出不同尺寸的正方形窗口,在窗口区域中露出衬底,然后使用氢化物气相外延(HVPE)方法选区外延GaN薄膜.采用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)和喇曼谱测试(Ramanshift)对薄膜进行分析.结果表明,在c面蓝宝石衬底上独立的正方形窗口区域中外延生长的,厚度约20μm的GaN薄膜,当窗口面积为100μm×100μm时,GaN表面无裂纹;而当窗口面积为300μm×300μm和500μm×500μm时,GaN表面有裂纹.随着窗口面积的减小,GaN双晶衍射摇摆曲线的(0002)峰的半高宽(FWHM)减小,表明晶体的质量更好,最小的半高宽为530″.从正方形窗口区的角上到边缘再到中心,GaN的面内压应力逐渐减小,分析认为这与GaN横向外延区(ELO区)与SiO2掩膜之间的相互作用,以及窗口区到ELO区的线位错的90°扭转有关.; 林郭强曾一平段瑞飞魏同波马平王军喜刘喆王晓亮李晋闽; 关键词：氮化镓氢化物气相外延

无衬底GaN基LED单颗晶粒及其制备方法: 一种无衬底GaN基微晶粉体LED发光二极管，包括：一n型GaN基化合物半导体层；一量子阱或异质结有源层，其制作在n型GaN基化合物半导体层上；一p型GaN基化合物半导体层，其制作在量子阱或异质结有源层上；一P电极，其制作...; 伊晓燕刘志强何志段瑞飞黄洋王军喜李晋闽; 文献传递

一种化学气相沉积装置: 本发明公开了一种化学气相沉积装置，该装置包括多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于一箱体之内，使用机械臂进行样品的传递，分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长，以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利...; 段瑞飞曾一平王军喜冉军学胡国新羊建坤梁勇路红喜李晋闽

一种氮化物材料的外延方法: 本发明是一种高性能氮化物材料的低成本外延方法。包括：采用图形衬底或者应力释放层作为衬底；采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)模式生长成核层；采用氢化物气相外延(HVPE)模式生长铝镓铟氮(AlGaIn)N缓冲层；采用...; 段瑞飞王军喜曾一平王国宏李晋闽; 文献传递

一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法: 本发明公开了一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法：通过在衬底表面沉积一层低熔点金属，利用其在高温下的熔融性质来消除衬底层和外延层由于热膨胀系数不同而形成的热应力；为了成功进行异质外延，还需要在金属表面覆盖掩膜层，...; 安平博张硕赵丽霞段瑞飞路红喜王军喜李晋闽