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毛淑娟

作品数：44 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 21篇半导体
  • 17篇半导体器件
  • 13篇沟道
  • 12篇金属
  • 11篇硅化物
  • 10篇金属硅化物
  • 10篇晶体管
  • 10篇功函数
  • 9篇源区
  • 9篇刻蚀
  • 7篇肖特基
  • 6篇导体
  • 6篇栅极
  • 6篇势垒
  • 6篇肖特基势垒
  • 5篇电流
  • 5篇电子设备
  • 5篇开关比
  • 4篇电阻
  • 4篇堆叠

机构

  • 44篇中国科学院微...

作者

  • 44篇毛淑娟
  • 30篇罗军
  • 23篇许静
  • 19篇殷华湘
  • 13篇刘战峰
  • 8篇张青竹
  • 4篇刘金彪
  • 4篇梁擎擎
  • 4篇李永亮
  • 4篇秦长亮
  • 3篇王桂磊
  • 3篇王文武
  • 3篇李俊杰
  • 2篇闫江
  • 2篇朱正勇
  • 2篇刘卫兵
  • 1篇谢玲
  • 1篇赵利川
  • 1篇张静

传媒

  • 2篇2013‘全...

年份

  • 5篇2023
  • 4篇2022
  • 14篇2021
  • 4篇2020
  • 10篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2014
  • 2篇2013
共 44 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种纳米线MIM阵列器件及制备方法
本发明涉及一种纳米线MIM阵列器件的制备方法，采用两次自对准的侧墙转移技术工艺形成纳米尺度两层侧墙交叉阵列，利用反应离子刻蚀(RIE)刻蚀氧化硅与金属层，形成金属层纳米线MIM阵列器件阵列，再做金属接触互联工艺，最后制备...
田佳佳张青竹殷华湘张兆浩李俊杰李永亮吴次南刘战峰毛淑娟王文武屠海令
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半导体器件与其制作方法
本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该制作方法包括：提供具有源区和/或漏区的锗基半导体预备体，源区和/或漏区的掺杂杂质为第一N型杂质；在源区和/或漏区的裸露表面上设置预外延层，预外延层包括基体材料和掺杂在基体材料中的...
罗军毛淑娟许静
NiPt(10%)Si硅化物特性研究
金属硅化物被广泛应用于微电子器件中的源、漏、栅极与金属电极间的接触,是制备纳米集成电路的关键材料之一.镍硅化物NiSi无明显尺寸效应、形成热预算小、耗硅量少且应力小,受到人们的重视,成为目前自对准硅化物工艺中应用的主流金...
张青竹毛淑娟闫江吴次南
半导体器件制造方法
本发明半导体器件制造方法提供了一种利用间隙壁技术形成栅极的晶体管的制造方法。在本发明的方法中，在第一材料层的侧面，依次形成第一间隙壁、第二间隙壁、第三间隙壁以及第四间隙壁，通过去除第二间隙壁形成了宽度由第二间隙壁控制的栅...
秦长亮梁擎擎殷华湘毛淑娟
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半导体结构及其制备方法
本发明提供的一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括半导体衬底，其内部形成有包括N沟道和P沟道的CMOS电路结构；堆叠结构，位于所述半导体衬底之上，且内部形成有源极和漏极以及与该源极和漏极电连接的氧化层，所述...
殷华湘毛淑娟刘战峰张兆浩张青竹罗彦娜周娜罗军
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肖特基势垒晶体管及其制备方法
本发明提供了一种肖特基势垒晶体管及其制备方法。该肖特基势垒晶体管包括衬底以及位于衬底上的栅极结构，肖特基势垒晶体管还包括：沟道区，位于与栅极结构对应的衬底表面上，沟道区包括第一金属硅化物层；源漏区，包括位于沟道区两侧的第...
罗军毛淑娟许静
Ge基NMOS晶体管及其制作方法
一种Ge基NMOS晶体管及其制作方法，其中制作方法包括：在Ge基衬底上形成栅堆叠；在Ge基衬底内形成有源区，该有源区包括位于栅堆叠两侧的源区和漏区；在源区和漏区上形成第一金属层；对第一金属层进行氧化处理形成介质层叠层，该...
毛淑娟罗军许静
一种Ge基CMOS晶体管制备方法
本发明公开了一种Ge基CMOS晶体管制备方法，包括步骤：提供Ge衬底；在Ge衬底上形成栅堆叠，以及在栅堆叠的两侧分别形成第一源/漏区和第二源/漏区，以分别形成NMOS和PMOS晶体管；分别对NMOS和PMOS晶体管进行注...
毛淑娟罗军许静
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一种CMOS晶体管、CMOS晶体管的制备方法及电子设备
本发明公开了一种CMOS晶体管，包括衬底，以及在衬底上形成的PMOS晶体管和NMOS晶体管；其中，PMOS晶体管和NMOS晶体管均包括：依次叠置在衬底上的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区；绕沟道区的至少部分外围形成的栅...
毛淑娟罗军许静
文献传递
一种半导体器件及其制造方法
本申请提供了一种半导体器件及其制造方法，在衬底上形成位于第一层间介质层中的第一器件，在第一层间介质层上形成第二器件，第二器件包括源极、漏极、源极和漏极之间的沟道和与沟道连接的栅极，其中第二器件的源漏为金属锗化物和P型杂质...
毛淑娟殷华湘刘战峰罗军刘金彪张青竹张亚东
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