张青竹
- 作品数：206 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金北京市科技新星计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术文化科学更多>>
- 垂直纳米线晶体管与其制作方法
- 本申请提供了一种垂直纳米线晶体管与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供包括衬底与位于衬底上的多个间隔的纳米线的基底，各纳米线包括子纳米线，各子纳米线包括第一端部、中间部和第二端部；步骤S2，形成栅介质层与栅极；步骤...
- 殷华湘张青竹张兆浩许高博
- 文献传递
- 一种半导体器件及其制造方法
- 本申请提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，设置于衬底一侧的源极、漏极、栅极和沟道结构，沟道结构包括多个纳米片形成的叠层，栅极环绕纳米片。沟道结构和源极以及漏极之间分别具有隔离结构，这样就可以利用隔离结构...
- 张青竹桑冠荞殷华湘李庆坤田国良秦旭磊
- 半导体器件及其制备方法、电子设备
- 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，该半导体器件包括衬底、沟道层堆栈部、环绕式栅极、源漏功能部和第一侧墙，沟道层堆栈部形成于衬底一侧，包括多个沟道层，沟道层的长度方向垂直于衬底的厚度方向，沟道层包括沿长度方...
- 张青竹蒋任婕桑冠荞李庆坤曹磊王鹏殷华湘
- 用于获取最佳曝光剂量的设计版图的优化方法及电子束曝光方法
- 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于获取最佳曝光剂量的设计版图的优化方法及电子束曝光方法，包括以下步骤：将设计版图分割成若干个曝光单元；在至少一个曝光单元内形成多组图形；在至少一组图形内形成多种不同尺寸的线条。本发...
- 贺晓彬张青竹李亭亭张兆浩李博刘金彪李俊峰杨涛
- 一种半导体器件的制备方法及半导体器件
- 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的纳米片堆栈部包括：纳米片形成的叠层及位于相邻纳米片之间的支撑结构，支撑结构是由第一半导体形成的，纳米片是由第二半导体形成的，支撑结构的宽度小于纳米片的宽度；环绕式栅极，其...
- 张青竹殷华湘曹磊张兆浩顾杰田佳佳李俊杰姚佳欣李永亮张永奎吴振华赵鸿滨罗军王文武屠海令叶甜春
- 一种晶体管中鳍及鳍式场效应晶体管的制作方法
- 本发明涉及一种晶体管中鳍及鳍式场效应晶体管的制作方法。一种晶体管中鳍的制作方法，其包括：在衬底上外延半导体层；利用侧墙转移技术将所述半导体层刻蚀成鳍状部；用臭氧氧化所述鳍状部的侧壁，在侧壁形成氧化膜；利用原子层刻蚀法刻蚀...
- 李俊峰王鹏桑冠荞曹磊蒋任婕李庆坤张青竹殷华湘罗军卢一泓熊文娟
- 超薄Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)铁电薄膜制备及在ETSOI器件应用研究被引量：1
- 2022年
- 基于超薄铁电薄膜材料的场效应晶体管(field effect transistor,FET)是集成电路在5 nm及以下技术节点实现低功耗和高性能的技术方案之一。然而,由于铁电薄膜存在“死层”(dead layer)效应,造成超薄铁电薄膜保持足够铁电性以应用于先进技术节点器件上困难。针对超薄铁电薄膜面临的问题,本文首先探索了原子层沉积法(atomic layer deposition,ALD)制备Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)铁电薄膜的工艺,发现沉积Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)薄膜厚度与ALD生长周期呈现良好的线性关系,其生长速率约为0.136 nm·cycle^(-1)。接着对Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)薄膜的铁电性进行了表征,发现8 nm Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)薄膜比4 nm和10 nm薄膜具有更大的晶粒和更强的铁电性,并且通过横向对比发现4 nm的Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)薄膜依然具有较好的铁电性(2P_(r)=9.3μC·cm^(-2))。最后,将4 nm Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)薄膜材料集成到n型超薄绝缘体上硅(extra-thin silicon on insulator,ETSOI)器件中,实现室温下的亚阈值摆幅(sub-threshold slop,SS)达到57.4 mV·dec^(-1),突破了玻尔兹曼限制(60 mV·dec^(-1)),为超薄Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)铁电薄膜材料以及负电容ETSOI器件研究和应用提供重要的技术基础。
- 李昱东张兆浩闫江唐波唐波张青竹
- 关键词：铁电
- 一种堆叠纳米片环栅场效应晶体管及其制造方法
- 本申请提供一种堆叠纳米片环栅场效应晶体管及其制造方法，衬底具有多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域，第一掺杂区域上方具有堆叠的多个第一半导体层，第二掺杂区域上方具有堆叠的多个第二半导体层；在多个第一半导体层之间，以及多个第...
- 姚佳欣魏延钊王宇张青竹殷华湘
- 一种纳米线MIM阵列器件及制备方法
- 本发明涉及一种纳米线MIM阵列器件的制备方法，采用两次自对准的侧墙转移技术工艺形成纳米尺度两层侧墙交叉阵列，利用反应离子刻蚀(RIE)刻蚀氧化硅与金属层，形成金属层纳米线MIM阵列器件阵列，再做金属接触互联工艺，最后制备...
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- 文献传递
- 一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法
- 本发明公开了一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法，包括：提供衬底，所述衬底包括NMOS区域和PMOS区域，所述NMOS区域和所述PMOS区域上均设置有金属栅叠层；沉积掺杂有掺杂原子的牺牲层；退火扩散所述牺牲层中的掺杂...
- 殷华湘张青竹赵超叶甜春
- 文献传递
