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秦长亮

作品数：141 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 140篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 72篇半导体
  • 63篇栅极
  • 63篇半导体器件
  • 55篇沟道
  • 51篇刻蚀
  • 40篇鳍片
  • 30篇晶体管
  • 26篇侧墙
  • 25篇掩模
  • 24篇迁移率
  • 22篇衬底
  • 18篇应力
  • 18篇湿法腐蚀
  • 17篇堆叠
  • 16篇虚设
  • 16篇迁移
  • 16篇纳米
  • 16篇纳米线
  • 15篇自对准
  • 14篇载流子

机构

  • 141篇中国科学院微...

作者

  • 141篇秦长亮
  • 133篇殷华湘
  • 55篇赵超
  • 35篇李俊峰
  • 33篇尹海洲
  • 29篇王桂磊
  • 28篇朱慧珑
  • 26篇马小龙
  • 15篇洪培真
  • 14篇陈大鹏
  • 8篇徐秋霞
  • 6篇梁擎擎
  • 4篇张青竹
  • 4篇付作振
  • 4篇毛淑娟
  • 4篇邓震
  • 3篇张永奎
  • 3篇张严波
  • 3篇刘实
  • 2篇闫江

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 4篇2020
  • 11篇2019
  • 19篇2018
  • 31篇2017
  • 29篇2016
  • 4篇2015
  • 38篇2014
  • 5篇2013
共 141 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
堆叠纳米线制造方法
本发明公开了一种堆叠纳米线制造方法，包括：步骤a，在衬底上形成硬掩模；步骤b，各向异性刻蚀衬底形成第一沟槽与鳍片；步骤c，湿法腐蚀鳍片以及下方衬底，在第一沟槽侧面形成第二沟槽；其中，多次重复步骤b至步骤c，形成上下层叠的...
马小龙殷华湘秦长亮
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半导体器件制造方法
本发明提供了一种具有外延源漏区域的半导体器件制造方法，通过在源漏沟槽首先外延与阱相同杂质的外延层作为保护层，防止CMOS的器件的串通，以完全替代HALO或者部分代替HALO的作用，然后再进行源漏区域外延，通过这种方法可以...
秦长亮殷华湘
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半导体器件制造方法
本发明提供了一种应力半导体制造方法。在本发明的方法中，在NMOS区域形成经过氮等离子体处理的张应力层，由于经过氮等离子体处理的张应力氮化硅在DHF中的腐蚀速率较未经处理的张应力氮化硅大幅减小，这样，在之后的虚设栅极去除工...
秦长亮王桂磊洪培真尹海洲殷华湘赵超
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一种半导体结构及其制造方法
本发明提供了一种半导体结构，包括衬底；栅堆叠，位于所述衬底之上；侧墙，位于所述栅堆叠的侧壁上；源/漏扩展区，位于所述栅堆叠两侧的衬底中，通过外延生长形成；源/漏区，位于所述源/漏扩展区两侧的衬底中。相应地，本发明还提供了...
殷华湘马小龙秦长亮徐秋霞陈大鹏
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半导体器件制造方法
本发明提供了一种FinFET制造方法，采用了一次或者多次氧化工艺，对低浓度的锗硅层进行处理，消耗其中的硅原子，进而增加锗原子的浓度，有利于获得具有更高迁移率的器件沟道，使FinFET性能进一步的提高成为可能；同时，由于本...
秦长亮殷华湘赵超
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半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种具有外延LDD和Halo区域的晶体管器件及其制造方法。采用了外延与自对准各向异性刻蚀相结合的工艺，避免了现有的采用的离子注入以及退火工艺形成Halo和LDD区域制造方法中的问题，在不增加光刻掩膜数量和复杂...
秦长亮殷华湘
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自对准接触制造方法
一种自对准接触制造方法，包括：在衬底上的第一层间介质层中形成栅极开口，栅极开口侧壁上具有栅极侧墙；在栅极开口中形成并未完全填充栅极开口的栅极绝缘层；在栅极开口中、栅极绝缘层上形成掩模图形；以掩模图形为掩模，刻蚀层间介质层...
秦长亮殷华湘李俊峰赵超
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自对准接触制造方法
一种自对准接触制造方法，包括：在衬底上的层间介质层中形成金属栅极以及金属栅极两侧的栅极侧墙；自对准刻蚀，去除层间介质层，露出栅极侧墙和源漏极区域；形成接触金属层，覆盖衬底的源漏极区域和金属栅极顶部、以及栅极侧墙侧壁；以及...
秦长亮殷华湘李俊峰赵超
半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠；在衬底中进行掺杂形成源漏区；在源漏区上形成应力衬层；执行退火，激活源漏区中的掺杂剂，并同时提高应力衬层的致密性。依照本发明的半导体器件制造方法，在形成双应力...
秦长亮洪培真尹海洲殷华湘李俊峰赵超
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半导体器件制造方法
本发明提供了一种FinFET制造方法，采用SOI衬底，能够获得很好的器件隔离，通过形成硅/锗硅叠层并去除其中一种材料以形成纳米线，由于硅/锗硅叠层包含于鳍片之中，纳米线并不需要采用额外的pad进行支撑，降低了工艺的难度，...
秦长亮殷华湘赵超
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