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李俊峰

作品数：514 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 490篇专利
  • 17篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 3篇科技成果

领域

  • 102篇电子电信
  • 21篇自动化与计算...
  • 12篇一般工业技术
  • 6篇文化科学
  • 5篇金属学及工艺
  • 4篇交通运输工程
  • 2篇化学工程
  • 2篇矿业工程
  • 2篇电气工程
  • 2篇建筑科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇农业科学
  • 1篇理学

主题

  • 144篇半导体
  • 131篇刻蚀
  • 99篇半导体器件
  • 78篇衬底
  • 61篇沟道
  • 60篇纳米
  • 56篇光刻
  • 54篇栅极
  • 46篇退火
  • 41篇纳米线
  • 41篇介质层
  • 40篇平坦化
  • 40篇金属栅
  • 38篇晶圆
  • 30篇掩膜
  • 30篇刻蚀工艺
  • 29篇硅化物
  • 28篇晶体管
  • 27篇金属硅化物
  • 26篇牺牲层

机构

  • 514篇中国科学院微...
  • 2篇北方工业大学
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇贵州大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇全球能源互联...
  • 1篇国网智能电网...

作者

  • 514篇李俊峰
  • 227篇赵超
  • 187篇杨涛
  • 123篇罗军
  • 117篇李俊杰
  • 115篇殷华湘
  • 114篇王桂磊
  • 109篇刘金彪
  • 99篇高建峰
  • 91篇王文武
  • 81篇贺晓彬
  • 48篇李春龙
  • 42篇闫江
  • 38篇陈大鹏
  • 35篇秦长亮
  • 31篇李永亮
  • 31篇徐秋霞
  • 30篇刘卫兵
  • 29篇张青竹
  • 28篇崔虎山

传媒

  • 4篇Journa...
  • 2篇微电子学
  • 2篇第十二届全国...
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  • 1篇材料导报
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇电子器件
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  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇中国科技成果
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇真空科学与技...
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  • 1篇智能电网（汉...

年份

  • 37篇2024
  • 58篇2023
  • 26篇2022
  • 30篇2021
  • 50篇2020
  • 44篇2019
  • 36篇2018
  • 29篇2017
  • 66篇2016
  • 40篇2015
  • 26篇2014
  • 23篇2013
  • 30篇2012
  • 1篇2011
  • 4篇2006
  • 7篇2005
  • 2篇2004
  • 4篇2003
  • 1篇2000
共 514 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括衬底、衬底上的栅极侧墙、衬底中的源漏区、以及栅极堆叠，其中，栅极堆叠包括栅极侧墙内侧衬底上的第一部分，以及在衬底中源漏区之间的沟道区内的第二部分。依照本发明的半导体器件及其制造...
秦长亮尹海洲李俊峰赵超
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半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成伪栅极堆叠结构；在衬底中伪栅极堆叠结构两侧形成源漏区，并且在衬底上伪栅极堆叠结构两侧形成栅极侧墙；去除伪栅极堆叠结构，形成栅极沟槽；在栅极沟槽中依次形成界面层、栅极绝...
王桂磊杨涛徐强闫江李俊峰赵超
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半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构；执行第一离子注入，在栅极堆叠结构两侧的衬底中注入第一掺杂离子；在衬底和栅极堆叠结构上淀积金属层；执行第一退火，金属层与衬底反应形成金属硅化物的源漏区...
罗军邓坚赵超钟汇才李俊峰陈大鹏
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后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法
本发明提供了一种后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法，包括以下步骤：在晶圆表面形成多晶硅假栅结构以及测试结构；确定测试结构密度量测目标及误差范围；使用XRR设备测量测试结构的密度，判断多晶硅假栅是否完全移除。该技术可以有...
杨涛赵超李俊峰闫江陈大鹏
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半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在衬底上形成有绝缘隔离层；在所述绝缘隔离层中形成有绝缘隔离层沟槽；在所述绝缘隔离层沟槽中形成有有源区层；在所述有源区层中和其上形成半导体器件结构；其特征在于，所述有源区层的载...
王桂磊李春龙赵超李俊峰
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半导体器件的制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底上具有去除伪栅后形成的开口；在开口中填充顶层金属层，顶层金属层具有压应力；对PMOS器件区域的顶层金属层，进行非晶化注入。本发明有利于提高NMOS器件的...
王桂磊刘金彪高建峰李俊峰赵超
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一种ITO薄膜的图案化方法
本申请公开了一种ITO薄膜的图案化方法，该ITO薄膜的上方形成有图案化的掩模层，该方法包括：通过湿法腐蚀方法去除未被掩模层覆盖的ITO薄膜；去除掩模层，得到图案化的ITO薄膜；其中，湿法腐蚀方法采用的湿法腐蚀溶液为氧化性...
李俊杰胡艳鹏崔虎山杨涛李俊峰
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提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法
本发明公开了提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法，包括：在浅沟槽中淀积形成氧化硅隔离层，所述氧化硅隔离层具有凸出部分和凹陷部分；执行离子注入，改变所述凸出部分的结晶状态；对所述氧化硅隔离层执行化学机械抛光，直至露出停...
杨涛刘金彪李俊峰赵超
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用于获取最佳曝光剂量的设计版图的优化方法及电子束曝光方法
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于获取最佳曝光剂量的设计版图的优化方法及电子束曝光方法，包括以下步骤：将设计版图分割成若干个曝光单元；在至少一个曝光单元内形成多组图形；在至少一组图形内形成多种不同尺寸的线条。本发...
贺晓彬张青竹李亭亭张兆浩李博刘金彪李俊峰杨涛
热电堆及其制作方法
一种热电堆及其制作方法，热电堆的制作方法包括如下步骤：在衬底正面形成热电堆结构；在热电堆结构上形成正面保护膜；在衬底背面形成掩膜层；采用干法刻蚀，在掩膜层上形成定位刻蚀窗口；采用湿法腐蚀，对定位刻蚀窗口区域的衬底进行刻蚀...
周娜雷雨潇李俊杰卢一泓高建峰杨涛李俊峰王文武
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