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张一博

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 11篇沟道
  • 10篇栅结构
  • 9篇势垒
  • 9篇肖特基
  • 9篇肖特基势垒
  • 8篇肖特基接触
  • 8篇晶体管
  • 7篇场效应
  • 7篇场效应晶体管
  • 6篇半导体
  • 4篇基源
  • 2篇异类
  • 2篇栅电极
  • 2篇隧穿
  • 2篇集成度
  • 2篇光刻
  • 1篇电阻
  • 1篇驱动电流
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流

机构

  • 13篇北京大学

作者

  • 13篇王漪
  • 13篇孙雷
  • 13篇徐浩
  • 13篇张一博
  • 13篇韩静文
  • 13篇张盛东

年份

  • 6篇2017
  • 7篇2014
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种杂质分凝肖特基源漏器件及其制备方法
杂质分凝肖特基源漏器件，包括一个垂直方向的环状半导体沟道，一个环状栅电极，一个环状栅介质层，一个源区，一个杂质分凝区，一个漏区，一个杂质分凝区，一个半导体衬底；源区位于垂直沟道的底部，与衬底相接；杂质分凝区介于源区与垂直...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
文献传递
一种垂直环栅隧穿晶体管及其制备方法
一种结合垂直沟道、异类杂质分凝和肖特基势垒源/漏结构的环栅场效应晶体管，包括一个垂直方向的环状半导体沟道，一个环状栅电极，一个环状栅介质层，一个源区，一个杂质分凝区，一个漏区，一个杂质分凝区，一个半导体衬底；其中，源区位...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
一种双层肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法
一种双层源/漏肖特基势垒结构的MOS晶体管，包括半导体衬底、沟道区；下层金属硅化物源区、下层金属硅化物漏区；上层金属硅化物源区、上层金属硅化物漏区；栅介质层和控制栅；其中，沟道区呈长方体状，一侧与上、下两层金属硅化物源区...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
文献传递
一种非对称肖特基源漏晶体管及其制备方法
一种结合垂直沟道和非对称肖特基势垒源/漏结构的环栅MOS晶体管，包括一个垂直方向的环状半导体沟道(4)，一个环状栅电极(6)，一个环状栅介质层(5)，一个源区(2)，一个漏区(3)，一个半导体衬底(1)；其中，源区位于垂...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
一种芯-壳场效应晶体管及其制备方法
一种结合垂直沟道、芯-壳结构和无结结构的环栅场效应晶体管，包括：垂直方向的环状半导体芯，垂直方向的环状半导体壳，环状栅电极，环状栅介质层，芯源区，芯漏区，壳源区，壳漏区，半导体衬底；其中，芯源区位于垂直芯沟道的底部，与衬...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
文献传递
一种无结场效应晶体管及其制备方法
一种结合垂直沟道和无结结构的环栅场效应晶体管，包括一个垂直方向的环状半导体沟道(4)，一个环状栅电极(6)，一个环状栅介质层(5)，一个源区(2)，一个漏区(3)，一个半导体衬底(1)；其中，源区(2)位于垂直沟道(4)...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
文献传递
一种环栅场效应晶体管及其制备方法
一种结合垂直沟道和肖特基势垒源/漏结构的环栅场效应晶体管，包括一个垂直方向的环状半导体沟道(4)，一个环状栅电极(6)，一个环状栅介质层(5)，一个源区(2)，一个漏区(3)，一个半导体衬底(1)；其中，源区(2)位于垂...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
一种芯‑壳场效应晶体管及其制备方法
一种结合垂直沟道、芯‑壳结构和无结结构的环栅场效应晶体管，包括：垂直方向的环状半导体芯，垂直方向的环状半导体壳，环状栅电极，环状栅介质层，芯源区，芯漏区，壳源区，壳漏区，半导体衬底；其中，芯源区位于垂直芯沟道的底部，与衬...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
文献传递
一种非对称肖特基源漏晶体管及其制备方法
一种结合垂直沟道和非对称肖特基势垒源/漏结构的环栅MOS晶体管，包括一个垂直方向的环状半导体沟道(4)，一个环状栅电极(6)，一个环状栅介质层(5)，一个源区(2)，一个漏区(3)，一个半导体衬底(1)；其中，源区位于垂...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
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一种杂质分凝肖特基源漏器件及其制备方法
杂质分凝肖特基源漏器件，包括一个垂直方向的环状半导体沟道，一个环状栅电极，一个环状栅介质层，一个源区，一个杂质分凝区，一个漏区，一个杂质分凝区，一个半导体衬底；源区位于垂直沟道的底部，与衬底相接；杂质分凝区介于源区与垂直...
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