陈宏
- 作品数：58 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程化学工程理学更多>>
- SiC衬底的图形化方法
- 本发明提供了一种SiC衬底的图形化方法。该图形化方法包括以下步骤：S1，在SiC衬底的表面形成刻蚀窗口，对应刻蚀窗口的SiC衬底的表面裸露；S2，形成覆盖于刻蚀窗口的金属层，使与SiC衬底接触的金属层与SiC衬底发生硅化...
- 杨成樾王臻星白云汤益丹陈宏田晓丽刘新宇
- 文献传递
- 一种碳化硅双沟槽MOSFET器件有源区的制备方法
- 本发明公布了一种碳化硅双沟槽MOSFET器件有源区的制备方法。该方法只需通过两次光刻即可实现栅沟槽、源沟槽的两次刻蚀以及P‑、P+和N+有源区的三次离子注入。其中，栅沟槽刻蚀和P‑、N+注入通过一次光刻和两次自对准工艺实...
- 杨成樾白云汤益丹陈宏田晓丽王臻星刘新宇
- 文献传递
- 一种双沟槽SS-SiC MOSFET结构
- 本发明公开了一种双沟槽SS‑SiC MOSFET结构，包括：一碳化硅衬底；依次堆叠在衬底之上的一碳化硅N型电子漂移外延层、一碳化硅N型电流扩展外延层、一碳化硅P型基区层、一碳化硅N型重掺杂层、两个对称分布、从碳化硅N型重...
- 韩忠霖白云陈宏杨成樾陆江汤益丹田晓丽王臻星刘新宇
- 文献传递
- 一种沟槽型MOSFET结构及其制作方法
- 本发明提供了一种沟槽型MOSFET结构，包括：N型衬底(2)；在N型衬底(2)的上表面由下至上依次设有N型漂移区(3)、N型电流扩展层(4)以及第一P型基区(5)；第一P型基区(5)上表面设有第一P型重掺杂区(7)以及第...
- 韩忠霖白云刘新宇陈宏杨成樾汤益丹
- 文献传递
- SiC氧化中SiC-SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法
- 一种SiC氧化中SiC‑SiO<Sub>2</Sub>界面碳杂质类型与位置分布的测定方法，包括：提供一个包含SiC‑Si<Sup>16</Sup>O<Sub>2</Sub>‑Si<Sup>18</Sup>O<Sub>2<...
- 刘新宇王盛凯白云韩忠霖汤益丹田晓丽陈宏杨成樾
- 文献传递
- 6.5 kV SiC光控晶闸管的研制
- 2021年
- 基于Sentaurus TCAD软件,研制了一款6.5 kV SiC光控晶闸管。通过优化雪崩击穿模型,对多层外延材料的规格及渐变终端技术进行研究,有效抑制了芯片表面峰值电场,实现了6.5 kV的耐压设计;此外结合实际应用需求,对器件的开通特性进行了仿真模拟。在4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC工艺平台制备了6.5 kV SiC光控晶闸管,并对器件性能进行了测试。测试结果显示,芯片击穿电压超过6.5 kV,在4 kV电源电压以及365 nm波长紫外光触发的条件下,器件导通延迟约为200 ns,脉冲峰值电流约为2.1 kA,最大导通电流变化率(di/dt)达到6.3 kA/μs,测试结果与仿真模拟结果基本一致。
- 杨燎陈宏郑昌伟白云杨成樾
- 关键词：脉冲开关
- 碳化硅功率器件终端及其制作方法
- 一种碳化硅功率器件终端及其制作方法，碳化硅功率器件终端包括：第一重掺杂类型或第二重掺杂类型SiC衬底；第一轻掺杂类型SiC外延层，生长在所述第一重掺杂类型或第二重掺杂类型SiC衬底上；具有凹槽结构的第二重掺杂类型主结和第...
- 田晓丽白云杨成樾汤益丹陈宏刘新宇
- 文献传递
- 基于交流电压下微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件制造方法
- 一种基于交流电压下微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件制造方法，包括：步骤一、提供具有凹槽结构的碳化硅衬底，并将其放在微波发生装置中；步骤二、加入含氧气体，在交流电压下将其电离，产生氧等离子体；步骤三、通过所述交流电压...
- 刘新宇王盛凯白云汤益丹韩忠霖田晓丽陈宏杨成樾
- SiC衬底的图形化方法
- 本发明提供了一种SiC衬底的图形化方法。该图形化方法包括以下步骤：S1，在SiC衬底的表面形成刻蚀窗口，对应刻蚀窗口的SiC衬底的表面裸露；S2，形成覆盖于刻蚀窗口的金属层，使与SiC衬底接触的金属层与SiC衬底发生硅化...
- 杨成樾王臻星白云汤益丹陈宏田晓丽刘新宇
- 双极晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种双极晶体管，包括：按自下而上的顺序依次设置的集电极、N<Sup>+</Sup>衬底、N<Sup>‑</Sup>集电区、P<Sup>+</Sup>基区；设置于所述P<Sup>+</Sup>基区上的P<Sup...
- 白云郝继龙刘新宇田晓丽杨成樾汤益丹陈宏
