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杨成樾

作品数：153 被引量：23H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家电网公司科技项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 140篇专利
  • 12篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 45篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇文化科学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 29篇肖特基
  • 24篇碳化硅
  • 20篇衬底
  • 17篇微波等离子体
  • 17篇肖特基二极管
  • 17篇二极管
  • 14篇欧姆接触
  • 14篇肖特基接触
  • 14篇半导体
  • 13篇气体
  • 13篇晶体管
  • 13篇刻蚀
  • 13篇含氧气体
  • 12篇氧化层
  • 12篇离子
  • 11篇击穿电压
  • 10篇势垒
  • 10篇外延层
  • 8篇双极晶体管
  • 7篇探测器

机构

  • 153篇中国科学院微...
  • 7篇中国科学院大...
  • 2篇株洲南车时代...
  • 2篇株洲中车时代...
  • 2篇株洲中车时代...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇淄博美林电子...
  • 1篇国网智能电网...

作者

  • 153篇杨成樾
  • 112篇刘新宇
  • 106篇白云
  • 99篇汤益丹
  • 61篇田晓丽
  • 47篇陈宏
  • 44篇周静涛
  • 43篇申华军
  • 30篇刘焕明
  • 22篇王盛凯
  • 14篇李博
  • 14篇陆江
  • 11篇金智
  • 9篇吴德馨
  • 8篇李宝霞
  • 7篇张慧慧
  • 5篇李志华
  • 5篇万里兮
  • 4篇彭朝阳
  • 3篇陈晓娟

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇电源学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇电工电能新技...
  • 1篇微电子学
  • 1篇空间电子技术
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇太赫兹科学与...
  • 1篇智能电网（汉...

年份

  • 12篇2024
  • 6篇2023
  • 13篇2022
  • 8篇2021
  • 12篇2020
  • 20篇2019
  • 18篇2018
  • 7篇2017
  • 5篇2016
  • 7篇2015
  • 7篇2014
  • 8篇2013
  • 15篇2012
  • 5篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
共 153 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种肖特基接触孔制备过程中可测试性的图形监控方法
本发明公开了一种肖特基接触孔制备过程中可测试性的图形监控方法，该方法包括：在刻蚀肖特基接触孔的同时，在刻蚀肖特基接触孔的同一个衬底沉积有金属的区域上刻蚀两组圆形监控图形；以及在刻蚀肖特基接触孔一定时间后，通过在扫描电镜下...
杨成樾周静涛金智任田昊
文献传递
一种碳化硅双极结型晶体管
一种碳化硅双极结型晶体管，该晶体管在发射极(1)台面边缘与基极(2)欧姆接触之间的外基区表面形成有一个肖特基接触结构，从而在所述外基区表面形成肖特基势垒。所述肖特基接触结构包括一基区及位于所述基区上的一金属层。本发明的碳...
郭飞申华军汤益丹张有润白云杨成樾宋凌云柏思宇彭朝阳
一种新型肖特基二极管及其制作方法
本发明提供了一种新型肖特基二极管及其制作方法。本发明的新型肖特基二极管的制作方法，包括如下步骤：S1：在衬底的外延层上形成肖特基金属区域图形；S2：光刻后制作肖特基金属，在肖特基金属区域图形形成T型结构；S3：制作阳极电...
蒋文静周静涛杨成樾张润泽
紫外探测器及其制备方法
本发明公开了一种紫外探测器及其制备方法，所述紫外探测器包括：按自下而上的顺序依次设置的N<Sup>+</Sup>型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC集电区、P型SiC基区、N型Ga<Sub>2</Sub>O<Sub...
白云杨成樾汤益丹陈宏田晓丽刘新宇
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用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置
一种用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置，包括外腔体和设置在所述外腔体内的多个微孔/微纳结构双耦合谐振腔，其中所述谐振腔包括一圆柱形腔体，所述圆柱形腔体的周壁上均匀分布由多个微孔形成的微孔阵列，所述微孔的直径是波...
刘新宇汤益丹王盛凯白云杨成樾
文献传递
一种基于台面多区复合JTE终端结构的器件及其制作方法
本发明提供一种基于台面多区复合JTE终端结构的器件制作方法，其中包括：在晶圆片表面制作有源区，淀积氧化物层并进行图形化，形成台面区开孔；刻蚀氧化物层以及晶圆片材料，形成终端台面；在终端台面表面淀积氧化物层并进行图形化，形...
徐少东汤益丹白云杨成樾刘新宇
文献传递
硅基复合介质模斑转换器及其制备方法
本发明公开了一种硅基复合介质模斑转换器及其制备方法。该模斑转换器在沿光传输方向上交替由硅和氧化硅两种材料按不同的组分比例排列在一起，构成周期结构。通过两种材料组分比例的变化实现模斑转换器等效折介质射率的变化，进而实现光斑...
杨成樾周静涛张慧慧刘焕明
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一种4H-SiC MOSFET功率器件及其制造方法
本发明公开了一种4H‑SiC MOSFET功率器件及其制造方法，该功率器件包括：源极(1)、SiO<Sub>2</Sub>层间介质(2)、栅极(3)、栅氧化层(4)、P+接触区(5)、N+源区(6)、P阱(7)、额外注入...
宋瓘白云陈宏汤益丹杨成樾田晓丽陆江刘新宇
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用于微波等离子体发生装置的微孔微纳结构双耦合谐振腔
一种用于微波等离子体发生装置的微孔/微纳结构双耦合谐振腔，包括一圆柱形腔体，所述圆柱形腔体的周壁上均匀分布由多个微孔形成的微孔阵列，所述微孔的直径是波长的奇数倍，所述腔体的内壁上具有金属微纳结构，所述微孔阵列与金属微纳结...
刘新宇汤益丹王盛凯白云杨成樾
文献传递
一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法
本发明公开了一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法，该方法是在需要腐蚀的氧化硅层之上沉积一薄层氧化硅介质，通过调节该薄层氧化硅介质的致密度及厚度，实现对需要腐蚀的氧化硅层的侧向腐蚀速度控制，进而实现对需要腐蚀的...
杨成樾申华军吴佳汤益丹白云李诚瞻刘国友刘新宇
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