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彭博

作品数：25 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇经济管理

主题

  • 16篇异质结
  • 13篇欧姆接触
  • 13篇肖特基
  • 13篇肖特基接触
  • 11篇外延层
  • 9篇掺杂
  • 7篇电子迁移率
  • 7篇栅电极
  • 7篇欧姆接触电极
  • 7篇迁移率
  • 7篇接触电极
  • 7篇高电子迁移率
  • 6篇离子
  • 5篇CR掺杂
  • 5篇衬底
  • 4篇源区
  • 3篇异质结二极管
  • 3篇退火
  • 3篇退火时间
  • 3篇缺陷密度

机构

  • 25篇西安电子科技...

作者

  • 25篇彭博
  • 22篇张玉明
  • 21篇贾仁需
  • 14篇元磊
  • 12篇杨宇
  • 5篇吕红亮
  • 2篇孙凯
  • 1篇吴志华
  • 1篇郭辉
  • 1篇娄利飞
  • 1篇于淼

年份

  • 4篇2024
  • 1篇2023
  • 6篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 5篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2014
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法，其中，制备方法包括：选取蓝宝石衬底；利用MBE工艺在蓝宝石衬底表面生长Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；在Ga<Sub>2</Sub>...
贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
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基于博弈论对民生银行从业人员操作风险的研究
银行作为经营货币信贷业务的金融机构,伴随商品货币经济的发展应运而生。近十几年来,随着银行业务种类及业务规模的不断扩大,我国商业银行在整体经营过程中对相关银行从业人员的整体操作风险监督面临严峻的考验,接连不断的银行人员操作...
彭博
关键词：博弈论操作风险
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基于Cr掺杂4H-SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种基于Cr掺杂4H‑SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制备方法，该方法包括：选取4H‑SiC衬底；利用MBE工艺在4H‑SiC衬底表面生长Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；利用离...
贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
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异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法
本发明涉及一种异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法。晶体管包括：包括：3C‑SiC漏区、3C‑SiC源区、3C‑SiC沟道区、肖特基接触栅电极、Si衬底、漏极、源极、SiN隔离层；3C‑SiC漏区、3C‑SiC源...
贾仁需彭博吕红亮张玉明
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高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法包括：选取4H‑SiC衬底；在所述4H‑SiC衬底上生长N型Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；在所述N型Ga<Sub>2</...
贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
SiC材料缺陷诱导磁性研究
通常在铁磁材料中，提供局域磁矩的元素的主量子数应满足n≥3的条件。然而，目前已经发现，在不满足主量子数n≥3条件的元素所组成的固体中，仍然可以在特定条件下观测到磁有序现象。通常在这些材料中对铁磁有序形成起关键作用的是位于...
彭博
关键词：半导体材料碳化硅铁磁性
基于石墨烯用于获取微弱能量的柔性微结构及其制造方法
本发明公开了一种基于石墨烯用于获取微弱能量的柔性微结构及其制造方法，柔性微结构为层结构，分两部分，第一部分结构为：柔性衬底，形成于柔性衬底上的石墨烯层，生长于石墨烯层上的氧化锌纳米线层，以及石墨烯层上的引出电极层；第二部...
娄利飞潘青彪吴志华彭博
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异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法
本发明涉及异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法。晶体管包括：包括：3C‑SiC漏区、3C‑SiC源区、3C‑SiC沟道区、肖特基接触栅电极、4H‑SiC衬底、漏极、源极、SiN隔离层；3C‑SiC漏区、3C‑Si...
贾仁需彭博吕红亮张玉明
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Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法
本发明涉及一种Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法，该方法包括：选取蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底表面生长Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；在Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
基于4H-SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制造方法
本发明涉及一种基于4H‑SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制造方法，该方法包括：选取4H‑SiC衬底；利用MBE工艺在4H‑SiC衬底表面生长Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；利用离子注入工...
贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
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