贾仁需
- 作品数：214 被引量：50H指数：4
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- 基于CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>3</Sub>材料的P型HHMT晶体管及其制备方法
- 本发明涉及一种基于CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>3</Sub>材料的P型HHMT晶体管及其制备方法。该方法包括：选取Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>材料作为...
- 贾仁需汪钰成庞体强刘银涛张玉明
- 文献传递
- (HfO2)x(Al2O3)1-x/SiC的能带结构
- 采用原子层淀积(ALD)的方法在碳化硅(SiC)上生长(HfO2)x(Al2O3)1-xhigh-k栅介质材料,运用X射线光电子能谱(XPS)分析了样品各元素的含量及存在形式,并从栅介质的XPS价带谱中采用线性外推法提取...
- 闫宏丽贾仁需宋庆文汤晓燕张玉明魏海亮
- 关键词：半导体材料栅介质
- 一种双波段紫外光电探测器件及其制备方法
- 本发明涉及一种双波段紫外光电探测器件及其制备方法，制备方法包括：选取衬底；在衬底表面生长光吸收层；在光吸收层表面形成叉指电极。本发明提供的双波段紫外光电探测器件具有衬底、(In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x...
- 贾仁需余建刚董林鹏杨茜
- 文献传递
- 增强型β-Ga_(2)O_(3)/4H-SiC异质结VDMOS的设计与研究
- 2023年
- 由于β-Ga_(2)O_(3)材料难以形成P型掺杂,目前β-Ga_(2)O_(3)功率器件大多为无结耗尽型。为了解决β-Ga_(2)O_(3)器件难以形成增强型的问题,提出了一种具有β-Ga_(2)O_(3)/4H-SiC异质结的纵向双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOS)。添加P型4H-SiC后,利用形成的PN结的单向导通性得到了正阈值电压,实现了增强型器件。使用Sentaurus TCAD仿真软件模拟了器件结构并研究了其电学特性,通过调节SiC厚度、SiC沟道浓度、外延层厚度和外延层浓度四个重要结构参数,对器件的功率品质因数进行优化设计。优化后的器件具有1.62 V的正阈值电压、39.29 mS/mm的跨导以及5.47 mΩ·cm^(2)的比导通电阻。最重要的是器件的关态击穿电压达到了1838 V,功率品质因数高达617 MW/cm^(2)。结果表明,该β-Ga_(2)O_(3)/4H-SiC异质结VDMOS为实现高性能增强型β-Ga_(2)O_(3)功率器件提供了一种可行的设计思路。
- 王海林栾苏珍程梅霞贾仁需
- 关键词：异质结增强型
- 提升网状生长Web Growth的刻蚀方法
- 本发明涉及一种提升Web Growth的刻蚀方法，方法包括：将加工SiC衬底利用超声、碱性混合剂、浓硫酸混合液、酸性混合、的HF酸溶液将加工SiC衬底清洗；利用外延炉对加工SiC衬底进行原位刻蚀；对加工SiC衬底进行同质...
- 贾仁需辛斌宋庆文张艺蒙闫宏丽
- 文献传递
- 基于离子注入的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件及其制造方法
- 本发明涉及一种基于离子注入的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，所述碳化硅SBD器件包括金属、Si0<Sub>2</Sub>隔离介质、沟槽、一次N-外延层、P+离子注入区、二次N<Sup>-</Sup>外延层、N<Sup>+<...
- 宋庆文杨帅汤晓燕张艺蒙贾仁需张玉明王悦湖
- 文献传递
- 零偏4H-SiC衬底的同质外延方法被引量：1
- 2014年
- 基于水平热壁化学气相沉积(CVD)技术,采用原位刻蚀方法,在3英寸(1英寸=2.54 cm)(0001)Si面零偏4H-SiC衬底上生长了高质量的同质外延层,并对其主要工艺参数和生长机制进行了探讨。利用微分干涉相差显微镜、喇曼散射及湿法腐蚀等表征手法对样品进行了测试分析。测量结果表明,4H-SiC占整个外延表面积的99%以上,此外,该工艺消除了4H-SiC同质外延层中的基面位错,提高了外延层的质量。同时对零偏4H-SiC衬底的同质外延的工艺过程和理论进行了研究和讨论,实验发现,生长前的原位刻蚀、初始生长参数、碳硅原子比以及生长温度对于维持外延层晶型、避免3C-SiC多型的产生具有重要影响。
- 孙哲吕红亮王悦湖贾仁需汤晓燕张玉明张义门杨霏钮应喜
- 一种减少4H－SiC中本征深能级缺陷的方法
- 本发明公开了一种减少4H－SiC中本征深能级缺陷的方法，可用于4H－SiC材料质量的改进和器件的应用。其具体过程是：(1)对4H－SiC衬底进行预处理，并在该4H－SiC衬底正面生长N<Sup>－</Sup>外延层；(2...
- 贾仁需张玉明张义门郭辉王悦湖
- 文献传递
- 一种基于CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>3</Sub>和Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>材料的MOS电容光敏器件及其制备方法
- 本发明涉及一种基于CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>3</Sub>和Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>材料的MOS电容光敏器件及其制备方法，包括以下步骤：选取Si衬...
- 贾仁需李欢汪钰成庞体强
- 文献传递
- Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/Hf<Sub>x</Sub>La<Sub>1-x</Sub>O/SiO<Sub>2</Sub>堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法
- 本发明涉及一种Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/Hf<Sub>x</Sub>La<Sub>1-x</Sub>O/SiO<Sub>2</Sub>堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法，包括：SiC...
- 贾仁需赵东辉吕红亮张玉明
- 文献传递
