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刘翔宇

作品数：15 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 11篇隔离沟槽
  • 10篇刻蚀
  • 10篇刻蚀工艺
  • 9篇引线
  • 5篇沟道
  • 4篇离子注入
  • 4篇离子注入工艺
  • 4篇CMOS
  • 3篇光刻
  • 2篇应变SI
  • 2篇栅极
  • 2篇阈值电压
  • 2篇粒子束
  • 2篇介质材料
  • 2篇介质层
  • 2篇耗尽型
  • 2篇干法刻蚀
  • 2篇干法刻蚀工艺
  • 2篇NMOS
  • 2篇锗

机构

  • 15篇西安电子科技...

作者

  • 15篇刘翔宇
  • 13篇舒斌
  • 13篇胡辉勇
  • 13篇宋建军
  • 13篇宣荣喜
  • 13篇张鹤鸣
  • 7篇王斌
  • 1篇连永昌
  • 1篇王萌

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 3篇2018
  • 2篇2016
  • 8篇2015
  • 2篇2014
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
异沟道CMOS集成器件及其制备方法
本发明涉及一种异沟道CMOS集成器件及其制备方法，该制备方法包括:选取SOI衬底；在SOI衬底上连续生长P型应变Ge层和P型应变Si层，以分别形成PMOS的沟道层和NMOS的沟道层；在P型应变Si层表面上采用刻蚀工艺形成...
胡辉勇刘翔宇王斌张鹤鸣宋建军宣荣喜舒斌
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基于GOI的增强型NMOS形成的应变SiGe CMOS集成器件及制备方法
本发明涉及一种基于GOI的增强型NMOS形成的应变SiGe CMOS集成器件及制备方法，该制备方法包括:选取GOI衬底；生长N型应变SiGe层，形成增强型NMOS和耗尽型PMOS的有源区；在NMOS有源区和PMOS有源区...
刘翔宇胡辉勇王斌张鹤鸣宋建军宣荣喜舒斌
文献传递
应变SiGe沟道的倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法
本发明涉及一种应变SiGe沟道的倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法，该制备方法包括:选取GOI衬底；生长N型应变SiGe层和N型Si帽层；采用刻蚀工艺形成隔离沟槽以划分出NMOS有源区和PMOS有源区；采用离子注入工艺在...
刘翔宇王斌胡辉勇张鹤鸣宋建军舒斌宣荣喜
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异质沟道槽型栅CMOS集成器件及其制备方法
本发明涉及一种异质沟道槽型栅CMOS集成器件及其制备方法，该制备方法包括:选取SOI衬底；形成SiGe层；连续生长N型应变Ge层和N型应变Si层；采用刻蚀工艺形成隔离沟槽，形成NMOS有源区和PMOS有源区；刻蚀NMOS...
刘翔宇胡辉勇张鹤鸣宋建军舒斌宣荣喜
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新型凹槽栅极应变Ge NMOS器件设计与特性研究
随着微电子技术的发展，晶体管的特征尺寸越来越小，集成电路的规模也越来越大，采用传统的等比例缩小原则提升集成电路性能的方法越来越受到物理与工艺的限制，制约了集成电路性能的进一步发展。应变Ge材料与技术具有载流子迁移率高、能...
刘翔宇
关键词：场效应器件
应变Ge槽型栅CMOS集成器件制备方法及其CMOS集成器件
本发明涉及一种应变Ge槽型栅CMOS集成器件制备方法及其CMOS集成器件，该制备方法包括:选取SOI衬底；生长SiGe层、应变Ge层及应变Si帽层；采用刻蚀工艺形成隔离沟槽；利用干法刻蚀工艺在NMOS有源区表面指定的NM...
刘翔宇胡辉勇张鹤鸣宋建军舒斌宣荣喜
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应变Ge CMOS集成器件的制备方法及其CMOS集成器件
本发明涉及一种应变Ge CMOS集成器件的制备方法及其CMOS集成器件，该制备方法包括:选取SOI衬底；生长N型应变Ge层以形成NMOS有源区和PMOS有源区；采用刻蚀工艺形成隔离沟槽；在PMOS有源区内注入P型离子形成...
刘翔宇胡辉勇王斌张鹤鸣宋建军宣荣喜舒斌
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基于SOI的应变Ge沟道倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法
本发明涉及一种基于SOI的应变Ge？CMOS集成器件及制备方法，该制备方法包括:选取SOI衬底；形成SiGe层，生长应变Ge层和Si帽层以形成NMOS和PMOS有源区；采用刻蚀工艺形成隔离沟槽；在NMOS有源区表面光刻形...
刘翔宇苗渊浩胡辉勇张鹤鸣宋建军舒斌宣荣喜
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新型Ge基FET关键技术研究
为了使集成电路按照摩尔定律继续发展下去，新工艺、新结构与新材料等在半导体器件中得到了应用。高迁移率器件就是在新材料方面的一种探索，它使用具有更高载流子迁移率的材料作为器件沟道。与Si材料相比，Ge材料的电子与空穴迁移率分...
刘翔宇
关键词：场效应晶体管金属氧化物结构参数
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基于SOI的应变Si沟道倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法
本发明涉及一种基于SOI的应变Si沟道倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法，该制备方法包括:选取SOI衬底；生长P型SiGe层和N型应变Si层形成NMOS和PMOS有源区；采用刻蚀工艺形成隔离沟槽；在NMOS有源区表面采用...
刘翔宇王斌胡辉勇张鹤鸣宋建军舒斌宣荣喜
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