曹震
- 作品数：66 被引量：7H指数：2
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- 新型缓冲层分区电场调制横向双扩散超结功率器件被引量：1
- 2014年
- 为了突破传统横向双扩散金属-氧化物-半导体器件(lateral double-diffused MOSFET)击穿电压与比导通电阻的极限关系,本文在缓冲层横向双扩散超结功率器件(super junction LDMOS-SJ LDMOS)结构基础上,提出了具有缓冲层分区新型SJ-LDMOS结构.新结构利用电场调制效应将分区缓冲层产生的电场峰引入超结(super junction)表面而优化了SJ-LDMOS的表面电场分布,缓解了横向LDMOS器件由于受纵向电场影响使横向电场分布不均匀、横向单位耐压量低的问题.利用仿真分析软件ISE分析表明,优化条件下,当缓冲层分区为3时,提出的缓冲层分区SJ-LDMOS表面电场最优,击穿电压达到饱和时较一般LDMOS结构提高了50%左右,较缓冲层SJ-LDMOS结构提高了32%左右,横向单位耐压量达到18.48 V/μm.击穿电压为382 V的缓冲层分区SJ-LDMOS,比导通电阻为25.6 mΩ·cm2,突破了一般LDMOS击穿电压为254 V时比导通电阻为71.8 mΩ·cm2的极限关系.
- 段宝兴曹震袁嵩袁小宁杨银堂
- 关键词：击穿电压比导通电阻
- 基于SiGe材料的SJ-VDMOS及其制备方法
- 本发明公开一种基于SiGe材料的SJ‑VDMOS及其制备方法，该集成式器件包括源极，栅绝缘层，半绝缘多晶硅层，栅电极，绝缘体，漏电极，衬底漏区，外延层N型漂移区，外延层P型漂移区，基区，沟道衬底接触，源区。通过在外延层P...
- 曹震彭乔巍杨世卿郭磊侯彪焦李成杨银堂
- 一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物元素半导体场效应晶体管
- 本发明提出了一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物元素半导体场效应晶体管(VDMOS)，该结构主要是在器件栅电极下方的漂移区形成电荷补偿层并在侧壁填充高介电常数(High K)介质层。器件关断时电荷补偿层与High K...
- 段宝兴张琛袁嵩曹震赵逸涵师通通杨银堂
- 文献传递
- 高K介质沟槽横向双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法
- 本发明提出了一种高K介质(High‑K Dielectric Pillar，HK)沟槽横向双扩散金属氧化物元素半导体场效应管(LDMOS)及其制作方法。该器件的主要是在漏端形成深槽高介电常数介质层，高K介质沟槽层的下端深...
- 段宝兴曹震董自明师通通杨银堂
- 文献传递
- 一种异构平台大幅图像目标检测的多线程加速方法
- 本发明涉及一种异构平台大幅图像目标检测的多线程加速方法，包括步骤：根据第一图像的像素将第一图像划分为若干分辨率相同的第二图像；根据异构平台中ARM架构的CPU核心数和FPGA资源确定目标检测线程数量，使得每个线程包括1个...
- 侯彪王浩任博任仲乐杨晨曹震
- 基于SOM-SNN和Spiking-SOM算法的事件流聚类方法
- 本发明公开了一种基于SOM‑SNN和Spiking‑SOM算法的事件流聚类方法，主要解决现有技术难以有效利用事件流中的历史脉冲信息和脉冲达到顺序信息造成的聚类速度慢、聚类效果差的问题。本发明构建的SOM‑SNN网络包含一...
- 曹震马钏烽刘橘郭磊彭乔巍侯彪李卫斌焦李成
- 一种具有半绝缘多晶硅层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管
- 本发明提出了一种具有半绝缘多晶硅(SIPOS)层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)，该器件主要的特征是在器件漂移区的侧壁形成SIPOS填充层，SIPOS填充层两端分别连接器件的栅漏两端。一方面，由于SIP...
- 段宝兴曹震师通通吕建梅袁嵩杨银堂
- 一种具有宽带隙衬底材料的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管
- 本发明提出了一种具有宽带隙衬底材料的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)，该VDMOS器件主要特点是将宽带隙材料与硅材料相结合，在宽带隙N+型衬底材料上表面形成掺杂浓度较小的N型宽带隙外延层，再以该N型宽带隙...
- 段宝兴吕建梅曹震袁嵩杨银堂
- 具有N型缓冲层REBULF Super Junction LDMOS被引量：3
- 2014年
- 针对功率集成电路对低损耗LDMOS(lateral double-diffused MOSFET)类器件的要求,在N型缓冲层super junction LDMOS(buffered SJ-LDMOS)结构基础上,提出了一种具有N型缓冲层的REBULF(reduced BULk field)super junction LDMOS结构.这种结构不但消除了N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底带来的衬底辅助耗尽效应问题,使super junction的N区和P区电荷完全补偿,而且同时利用REBULF的部分N型缓冲层电场调制效应,在表面电场分布中引入新的电场峰而使横向表面电场分布均匀,提高了器件的击穿电压.通过优化部分N型埋层的位置和参数,利用仿真软件ISE分析表明,新型REBULF SJ-LDMOS的击穿电压较一般LDMOS提高了49%左右,较文献提出的buffered SJ-LDMOS结构提高了30%左右.
- 段宝兴曹震袁小宁杨银堂
- 关键词：击穿电压表面电场
- 一种具有宽带隙材料与硅材料复合垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管
- 本发明提出了一种具有宽带隙材料与硅材料复合垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)，该VDMOS器件主要特点是将宽带隙材料与硅材料相结合，在宽带隙N+型衬底材料上表面形成掺杂浓度较小的N型宽带隙外延层，再以该N型...
- 段宝兴吕建梅袁嵩曹震杨银堂
