段宝兴
- 作品数：221 被引量：64H指数：4
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- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管及其制作方法
- 本发明提出了一种具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管(LDMOS)及其制作方法。该LDMOS器件的主要是将碳化硅材料与硅材料结合，在碳化硅衬底上通过异质外延技术或键合技术形成硅外延层，并采用深漏区结构，漏区...
- 段宝兴黄芸佳王彦东杨鑫孙李诚杨银堂
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- 一种N型硅基宽禁带材料及其制作方法
- 本发明公布一种N型硅基宽禁带材料及其制作方法，已解决现有N型硅半导体材料禁带宽度较小问题。其基本单元是基于Si晶胞的Si<Sub>x</Sub>C<Sub>y</Sub>P<Sub>z</Sub>超晶胞，x+y+z＝1，...
- 段宝兴王雨龙杨银堂
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- 一种具有变K介质侧边的VDMOS器件
- 本发明公开一种具有变K介质侧边的VDMOS器件，该新型结构通过依次填充多种不同介电常数(K值)的介质构成的侧边层产生新的电场峰，调制了VDMOS高阻漂移区的电场分布，增强了横向电场调制效应，使漂移区可以进行更高浓度的掺杂...
- 袁嵩段宝兴蔡海杨银堂
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- 一种栅控双极-场效应复合元素半导体基垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管
- 本发明公开了一种栅控双极‑场效应复合元素半导体基垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管。该结构的衬底和外延生成的漂移区均为元素半导体材料，基极与源极隔离，与栅极电连接，满足：栅极接入电压时，基区获得的电压使得器件寄生的双极型晶...
- 段宝兴董自明杨银堂
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- 具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的U-MOSFET及其制作方法
- 本发明提出了一种具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的U‑MOSFET及其制作方法。该U‑MOSFET器件主要特点是将氮化镓材料与硅材料相结合形成异质结，以氮化镓衬底和N型氮化镓外延层整体的凸字型结构表面为基础形成N型硅外...
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- 一种具有额外电极的折叠硅LDMOS及其制作方法
- 本发明提供了一种具有额外电极的折叠硅LDMOS及其制作方法，以解决现有技术中延伸的金属栅电极末端的高电场峰限制了器件击穿电压提升的技术问题。本发明包括P型衬底，栅氧化层和场氧化层，P型阱区以及N型漂移区，设置在P型阱区上...
- 段宝兴周子煜张瑶王彦东杨银堂
- 一种具有多环电场调制衬底的元素半导体横向双扩散晶体管
- 本发明公开一种具有多环电场调制衬底的元素半导体横向双扩散晶体管。该结构中漂移区下方的衬底为电荷补偿多环结构。衬底多环电荷补偿可以扩展横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的纵向空间电荷区，同时该多环结构还能在表面横向电场和体...
- 段宝兴董自明杨银堂
- 一种栅控垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管
- 本发明公开了一种栅控垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管，把晶体管的沟道区和JFET区从上表面和前后侧面用栅电极包裹起来，这样在正向导通时扩展的栅电极使器件沟道区与JFET区都形成多数载流子积累层，从而能明显减小导通...
- 段宝兴袁嵩杨银堂郭海君
- 新型缓冲层分区电场调制横向双扩散超结功率器件被引量：1
- 2014年
- 为了突破传统横向双扩散金属-氧化物-半导体器件(lateral double-diffused MOSFET)击穿电压与比导通电阻的极限关系,本文在缓冲层横向双扩散超结功率器件(super junction LDMOS-SJ LDMOS)结构基础上,提出了具有缓冲层分区新型SJ-LDMOS结构.新结构利用电场调制效应将分区缓冲层产生的电场峰引入超结(super junction)表面而优化了SJ-LDMOS的表面电场分布,缓解了横向LDMOS器件由于受纵向电场影响使横向电场分布不均匀、横向单位耐压量低的问题.利用仿真分析软件ISE分析表明,优化条件下,当缓冲层分区为3时,提出的缓冲层分区SJ-LDMOS表面电场最优,击穿电压达到饱和时较一般LDMOS结构提高了50%左右,较缓冲层SJ-LDMOS结构提高了32%左右,横向单位耐压量达到18.48 V/μm.击穿电压为382 V的缓冲层分区SJ-LDMOS,比导通电阻为25.6 mΩ·cm2,突破了一般LDMOS击穿电压为254 V时比导通电阻为71.8 mΩ·cm2的极限关系.
- 段宝兴曹震袁嵩袁小宁杨银堂
- 关键词：击穿电压比导通电阻
- 一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应晶体管
- 本发明提出了一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应晶体管(VDMOS)，该器件主要是在器件栅电极下方的漂移区形成电荷补偿层并在侧壁填充高介电常数(High K)介质层。器件关断时电荷补偿层与High ...
- 段宝兴张琛袁嵩吕建梅赵逸涵杨银堂
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