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张艺蒙

作品数：236 被引量：8H指数：2
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 230篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 41篇电子电信
  • 15篇电气工程
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇建筑科学
  • 1篇天文地球
  • 1篇文化科学

主题

  • 66篇碳化硅
  • 43篇肖特基
  • 36篇衬底
  • 35篇欧姆接触
  • 33篇电路
  • 32篇肖特基接触
  • 31篇二极管
  • 25篇肖特基二极管
  • 24篇电压
  • 22篇碳化硅衬底
  • 22篇硅衬底
  • 21篇电阻
  • 21篇晶体管
  • 19篇导通
  • 19篇电池
  • 18篇双极型
  • 17篇掺杂
  • 16篇电流
  • 16篇氧化层
  • 14篇碳化硅薄膜

机构

  • 236篇西安电子科技...
  • 2篇西安电子科技...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇OPPO广东...
  • 1篇湖南国芯半导...

作者

  • 236篇张艺蒙
  • 216篇张玉明
  • 193篇宋庆文
  • 164篇汤晓燕
  • 58篇王悦湖
  • 39篇贾仁需
  • 34篇郭辉
  • 30篇元磊
  • 20篇袁昊
  • 16篇胡继超
  • 11篇吕红亮
  • 10篇李彦良
  • 9篇闫宏丽
  • 8篇陈辉
  • 8篇杨帅
  • 6篇张义门
  • 6篇辛斌
  • 6篇王栋
  • 6篇蒋明伟
  • 6篇李钊君

传媒

  • 2篇西安电子科技...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇科技纵览
  • 1篇导航定位学报

年份

  • 17篇2024
  • 12篇2023
  • 16篇2022
  • 16篇2021
  • 22篇2020
  • 31篇2019
  • 13篇2018
  • 33篇2017
  • 12篇2016
  • 5篇2015
  • 55篇2014
  • 4篇2013
共 236 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
夹心串联式PIN结构α辐照电池及其制备方法
本发明公开了一种夹心串联式PIN结构α辐照电池及其制备方法，主要解决当前核电池能量转化率及输出功率低的问题。其包括：串联的上、下两个PIN结和α放射源层；上PIN结自下而上依次为N型外延层欧姆接触电极、N型高掺杂外延层、...
郭辉黄海栗张艺蒙宋庆文张玉明
文献传递
一种脉冲负载电源及其电压滞环控制方法
本发明公开了一种脉冲负载电源及其电压滞环控制方法，所述电压滞环控制方法包括：利用采样电路采集连接在电源与负载之间的交错并联型双向buck/boost变换器的负载端电压；将所述交错并联型双向buck/boost变换器的负载...
孙乐嘉林欣凯张艺蒙张玉明薛璇张少华
双槽UMOSFET器件
本发明涉及一种双槽UMOSFET器件。该器件包括衬底区(1)；漂移区(2)、外延层(3)、源区(4)，依次层叠于衬底区(1)的上表面；栅极，设置于漂移区(2)、外延层(3)及源区(4)内部并位于双槽UMOSFET器件的中...
汤晓燕陈辉宋庆文张艺蒙张玉明
注入增强型SiC PNM-IGBT器件及其制备方法
本发明涉及一种注入增强型SiC PNM‑IGBT器件及其制备方法。该制备方法包括：利用热壁LPCVD工艺在SiC衬底连续生长过渡层、第一漂移层、缓冲层、集电层；利用CMP工艺，去除SiC衬底和过渡层，刻蚀第一漂移层，形成...
汤晓燕姜珊宋庆文张艺蒙张玉明
文献传递
一种纵向沟道的SiC肖特基栅双极型晶体管及制备方法
本发明提供了一种纵向沟道的SiC肖特基栅双极型晶体管，包括N+碳化硅衬底，形成于N+碳化硅衬底表面的发射极接触金属层，形成于N+碳化硅衬底上的P+缓冲层，形成于P+缓冲层上P‑漂移区，形成于P‑漂移区上的P+集电区，形成...
宋庆文刘思成汤晓燕元磊张艺蒙张玉明
文献传递
一种基于N型纳米薄层来提高N型DiMOSFET沟道迁移率方法
本发明公开了一种基于N型纳米薄层来提高N型DiMOSFET沟道迁移率方法，在已有离子注入工艺基础上将注入形成对导电沟道层注氮改为由外延形成的N<Sup>+</Sup>外延层a对导电沟道层注氮；对于N沟DiMOSFET器件...
宋庆文何艳静汤晓燕张艺蒙贾仁需吕红亮张玉明
文献传递
一种互偏置双电压轨产生电路
本发明提供的一种互偏置双电压轨产生电路，包括：自启动电路、高电压轨产生电路和低电压轨产生电路。该互偏置双电压轨产生电路在电源电压和地变化时，产生一条始终比电源电压低V<Sub>REF1</Sub>的电压轨道，以及一条始终...
张艺蒙储子元张玉明宋庆文汤晓燕
带有双区浮动结的碳化硅UMOSFET器件及制作方法
本发明公开了一种带有双区浮动结的碳化硅UMOSFET器件及其制备方法，该器件自下往上依次包括漏极、N+衬底、一次N-漂移区、P+离子注入区和二次N-漂移区，二次N-漂移区上设有槽栅介质，槽栅介质内设有多晶硅，槽栅介质两侧...
汤晓燕田瑞彦宋庆文张艺蒙张玉明
文献传递
一种平面变压器
本发明公开了一种平面变压器，包括磁芯组件和环绕磁芯组件的绕组组件；其中，磁芯组件包括纵向依次排布的第一磁芯、第二磁芯以及第三磁芯；第一磁芯和第三磁芯均包含磁柱，第二磁芯为I型磁芯，且第一磁芯的磁柱朝下并与第二磁芯对应贴合...
张艺蒙孙世凯郭辉汤晓燕宋庆文张玉明
文献传递
基于MOSFET开关动态特性的驱动电路
本发明公开了一种基于MOSFET开关动态特性的驱动电路，其包括控制单元、隔离单元、MOSFET驱动单元。控制单元用于采样MOSFET开关过程中的栅极电压并产生MOSFET开关各阶段切换驱动电阻所需的逻辑信号。隔离单元用于...
张艺蒙许耀宋庆文汤晓燕张玉明
文献传递
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