胡光伟
- 作品数：9 被引量：13H指数：3
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- 一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关被引量：6
- 2008年
- 设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷(SP4T)RFMEMS开关。单元开关采用以低应力氮氧化硅(SiON)作为桥膜的双端固定桥式结构,并利用附着的金层形成接触结构。整个SP4T开关包括与50Ω特征阻抗相匹配的共面波导,1个输入端,4个输出端,4个静电驱动的侧拉桥,以及4个驱动引出区(pad)。测试数据表明,开关驱动电压18.8V;插入损耗S21<0.26dB@DC-3GHz,S31<0.46dB@DC-3GHz;隔离度S21>69.5dB@DC-3GHz,S31>69.2dB@DC-3GHz。结果显示,此开关的隔离度在所有输出端有很好的一致性,插损在DC-3GHz的频段内均较小,非常适合低频使用。
- 胡光伟刘泽文侯智昊李志坚
- 关键词：MEMS开关
- 串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究被引量：3
- 2008年
- 介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同,解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段（〈10GHz）的问题。其插入损耗为-0.88dB@3GHz,在6GHz以上,插入损耗为-0.5dB;隔离度为-33.5dB@900MHz、-24dB@3GH和-20dB@5GHz,适合于3-5GHz频段的应用。
- 侯智昊刘泽文胡光伟刘理天李志坚
- 关键词：射频微电子机械系统MEMS开关内应力
- 射频微机械串联接触式开关的制作方法
- 本发明涉及射频微机械串联接触式开关的制作方法，属于半导体器件及集成电路制作技术领域，该方法包括：以硅片为衬底，并进行清洗；溅射、电镀、淀积、光刻、刻蚀形成共面波导和下电极；旋涂并固化牺牲层，溅射金属，淀积介质；图形化形成...
- 刘泽文胡光伟刘理天李志坚
- 文献传递
- 具有斜拉梁的串联接触式射频微机电系统开关被引量：1
- 2009年
- 为解决悬臂梁结构的射频微机电系统开关在残余应力的作用下会发生翘曲的问题,提出在悬臂梁的顶端引入斜拉梁的方法。使用Al/Au复合桥膜作为射频微机电系统开关的上电极,实现了Au-Au接触,利用BorofloatTM玻璃作为衬底,使用电阻对导通状态下的射频信号与驱动电极旁路进行隔离,使它的射频性能不受驱动电压的影响。测试表明:隔离度在12 GHz的频率下,插入损耗和隔离度分别为-0.29 dB和-20 dB。该射频微机电系统开关适合于DC-X波段的应用。
- 侯智昊刘泽文胡光伟刘理天李志坚
- 关键词：射频微机电系统开关残余应力
- 微机械开关低应力氮氧化硅桥膜的制备方法
- 本发明涉及微机械开关低应力氮氧化硅桥膜的制备方法，属于半导体器件及集成电路制作技术领域。该方法为：在制备微机械开关的介质桥膜的步骤中，采用等离子增强化学气相淀积方法，在常规的工艺条件下，通过调节反应气体流量比，一次淀积制...
- 刘泽文胡光伟刘理天李志坚
- 文献传递
- Design and Simulation of a DC-Contact Series RF MEMS Switch
- The design and simulation of a DC-contact series RF MEMS switch with slanting beams is reported. By introducin...
- 侯智昊刘泽文胡光伟刘理天李志坚
- 关键词：MEMS
- 射频微机械串联接触式开关的制作方法
- 本发明涉及射频微机械串联接触式开关的制作方法，属于半导体器件及集成电路制作技术领域，该方法包括：以硅片为衬底，并进行清洗；溅射、电镀、淀积、光刻、刻蚀形成共面波导和下电极；旋涂并固化牺牲层，溅射金属，淀积介质；图形化形成...
- 刘泽文胡光伟刘理天李志坚
- 文献传递
- 用于制备高机械可靠性RF MEMS开关的新型工艺被引量：3
- 2008年
- 对介质桥串联接触式RF MEMS开关的制备工艺进行了研究。介绍了开关的结构,说明了采用常规制备工艺容易在桥膜上形成应力集中,严重影响开关的机械可靠性。通过改进工艺,提出了一种侧向钻蚀刻蚀介质桥膜下金属的方法,获得了平坦的介质桥膜。最后,给出了完整的开关制备流程。与常规工艺相比,新工艺避免了应力集中问题,提高了开关的机械可靠性,成品率从10%提高到了95%,工作寿命从1000次提高到了2.5×107次。此外,在23.3 V的驱动电压下,开关插入损耗<0.55 dB@DC-10 GHz,隔离度>53.2 dB@DC-10 GHz。结果表明该工艺可满足无线通讯对MEMS开关成品率、寿命和微波性能的要求。
- 胡光伟刘泽文侯智昊李志坚
- 关键词：MEMS开关接触式开关机械可靠性
- 用于MEMS开关的低应力氮氧化硅桥膜
- 2007年
- 给出了用于微机电(MEMS)开关悬浮桥的低应力氮氧化硅(SiOxNy)薄膜的制备工艺研究结果,分析了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备低应力薄膜的影响因素,通过改变反应气体(SiH4,NH3和N2O)的流量比,用PECVD方法生成系列SiOxNy薄膜样品。利用形貌仪测量样品的曲率半径,计算相应的应力。研究表明,当反应气体(SiH4,NH3和N2O)的流量比为32∶12∶8(N2标定)时,可以得到张应力值为76.8 MPa的SiOxNy薄膜,其折射率为1.688,Si,N和O三种元素的成分比为56.3∶23.7∶20.0。将此薄膜生长工艺应用于开关制备,得到了适用于DC^10 GHz频段的MEMS接触式开关,其驱动电压为23.3 V。
- 胡光伟刘泽文张忠惠侯智昊李志坚
- 关键词：氮氧化硅低应力PECVDMEMS开关接触式开关
