税国华
- 作品数：37 被引量：29H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 高压大功率低压差线性集成稳压电源电路的制造方法
- 本发明涉及一种高压大功率低压差线性集成稳压电源电路的制造方法。该方法步骤包括：首先利用硅/硅键合、减薄抛光技术方法获得所需要的SOI片，然后在SOI材料片上通过深槽刻蚀、多晶硅回填的介质隔离技术方法结合纵向PNP与纵向N...
- 徐世六张正元刘玉奎胡永贵税国华
- 文献传递
- 用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法
- 一种用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，步骤包括在单晶硅片一上制作N型埋层和P型埋层；在单晶硅片一上进行深槽刻蚀、牺牲层氧化、沟阻氧化、淀积填槽多晶硅及CMP多晶硅，形成介质隔离区；在单晶硅片二上生长埋氧...
- 唐昭焕税国华胡刚毅李儒章王斌张杨波吴建
- 文献传递
- 低压大变容比二极管的制造方法
- 本发明涉及一种低压大变容比二极管的制造方法。本发明采用双离子注入技术形成PN结二极管，通过调节PN结P型区域和N型区域的注入剂量和退火时间，形成陡峭的PN结，确保在低的反向电压下保证二极管的变容比，使其满足低压便携式接收...
- 胡明雨欧红旗税国华
- 文献传递
- 一种Nanometrics膜厚测试仪精密度评价方法
- 2010年
- 通过采用PPM、SPC软件和数理统计方法对样本进行处理的方式,对一种Nanometrics膜厚测试仪精密度的评价方法进行研究。讨论了样本在数据收集、分析、处理过程中的难点,得到Nanometrics膜厚测试仪精密度为1.25%的结论;找到了一种适合该膜厚测试仪精密度的评价方法。
- 唐昭焕徐岚刘勇税国华
- 关键词：SPC半导体工艺
- 高压功率器件硼基区工艺优化研究
- 随着功率双极集成电路在军民两用的各种电源管理、功率驱动等领域中应用日益广泛，集成电路工作电压逐步提高，原有工艺技术和工艺规范已不满足这类产品的要求。文章介绍了工作电压高于50V的功率器件硼基区工艺优化方案，给出了工艺结果...
- 曾莉王志宽李杰税国华
- 关键词：高压功率器件
- 功率器件硼基区注入工艺研究
- 2007年
- 随着功率双极集成电路在军民两用的各种电源管理、功率驱动等领域的广泛应用,以及集成电路生产规模的进一步扩大,对参数一致性、重复性、均匀性的要求越来越高;文章重点介绍功率器件硼基区注入工艺,对工艺原理和工艺方案进行了详细阐述;并给出了工艺结果以及在产品中的应用情况。
- 曾莉税国华李杰
- 关键词：功率器件离子注入集成电路工艺
- 多晶硅发射极工艺技术研究
- 通过对多晶硅发射极工艺的研究，优化多晶硅淀积工艺，界面氧化层控制在3nm左右，穿透电阻降低到2.5Ω/口，有效提高了发射效率，实现多晶硅发射极工艺稳定，多晶硅发射极工艺制作的NPN管单管频率提高到4GHz，满足高速运算放...
- 黄磊税国华陈俊肖可
- 关键词：集成电路多晶硅
- 一种基于PJFET的低温漂基准设计方法
- 2021年
- 本文介绍了一种基于PJFET技术的电压基准源设计方法。该方法利用PJFET夹断电压的温度特性产生负温漂电压,在此基础上叠加一个正温漂电压进行温度补偿,产生低温漂基准电压。根据文中的理论方法,基于1.5μm 32 V双极工艺设计了一款输出5 V的电压基准源。测试结果表明,该电压基准源温漂在5 ppm/℃以内,具有低噪声,低温漂等特性。
- 朱哲序徐青梁盛铭税国华罗焰娇
- 关键词：电压基准源低温漂夹断电压
- 一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件及其制造方法
- 本发明公开了一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件及其制造方法；器件包括P型衬底100、P型埋层101、N型外延层102、P型隔离穿透区103、场氧层104、预氧层105、P型沟道区106、P型重掺杂源漏区107、多晶栅区1...
- 刘建税国华林涛欧红旗冯志成阚玲刘青朱坤峰黄磊王飞张剑乔张培健
- 正温度系数随温度线性变化的P型电阻的制造方法
- 本发明公开了一种正温度系数随温度线性变化的P型电阻的制造方法。本发明方法的主要工艺步骤为：1)在低掺杂的N<Sup>－</Sup>型硅片上制作Ar埋层；2)在形成Ar埋层后的所述硅片上制作P<Sup>－</Sup>电阻层...
- 税国华欧宏旗胡明雨
- 文献传递
